メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > 200A力Mosfetのトランジスター速い転換力MOSFET IRFP260NPBF

200A力Mosfetのトランジスター速い転換力MOSFET IRFP260NPBF

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 200 V 50A (穴TO-247ACを通したTc) 300W (Tc)
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Pulsed Drain Current:
200 A
電力損失:
300 W
線形軽減の要因:
2.0 With°C
Gate-to-Source Voltage:
±20 V
単一の脈拍のなだれエネルギー:
560 mJ
なだれの流れ:
50 A
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

IRFP260NPbF HEXFET®力MOSFET

• 高度の加工技術か。

•動的dv/dtの評価か。

•175°C実用温度か。

•速い切換えか。

•評価される十分になだれか。

•平行になる容易さか。

•簡単なドライブ条件

•無鉛

記述

国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。

TO-220装置の使用を排除するためにTO-247パッケージが商業産業適用高い発電のレベルのために好まれる。TO-247は類似している隔離された取り付け穴のためにより早いTO-218パッケージより優秀でありではない。

絶対最高評価

変数 最高。 単位
ID @ TC = 25°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 50
ID @ TC = 100°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 35
IDM 脈打った下水管の流れ 200
PD @TC = 25°C 電力損失 300
線形軽減の要因 2.0 With°C
VGS ゲートに源の電圧 ±20 V
EAS 単一の脈拍のなだれエネルギー 560 mJ
IAR なだれの流れか。 50
反復的ななだれエネルギーか。 30 mJ
dv/dt ピーク ダイオードの回復dv/dt 10 V/ns
TJTSTG 作動の接続点および保管温度の範囲 -55から+175 °C
10秒のはんだ付けする温度、 300 (場合からの1.6mm) °C
トルク、6-32またはM3 srewを取付ける 10 lbfïin (1.1Nïm)

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
LM2662MX 5344 チタニウム 16+ SOP-8
LM2663M 6856 NS 16+ SOP-8
LM2675MX-5.0 5274 チタニウム 16+ SOP-8
LM2675MX-ADJ 5415 チタニウム 15+ SOP-8
LM2734YMK 12799 チタニウム 16+ SOT23-6
LM2767M5X 6927 NSC 16+ SOT23-5
LM2825N-ADJ 1525 NSC 06+ DIP-24
LM2842YMK-ADJL 4655 チタニウム 16+ SOT23-6
LM285MX-1.2 5929 NS 16+ SOP-8
LM2901DR2G 104000 13+ SOP
LM2902DR2G 77000 15+ SOP
LM2903DR2G 107000 15+ SOP
LM2903IMX 13191 FSC 11+ SOP-8
LM2904DR2G 82000 16+ SOP-8
LM2904MX 11700 NS 15+ SOP-8
LM2904P 20000 チタニウム 16+ TSSOP-8
LM2904QPWRQ1 6065 チタニウム 14+ TSSOP-8
LM2907N-8 8781 NS 97+ DIP-8
LM2917N-8 6580 NS 13+ DIP-8
LM2931AD-5.0R2G 19723 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 14829 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 10000 15+ SOP-8
LM2936MPX-3.3 9351 チタニウム 14+ SOT-223
LM2936Z-5.0 3406 NS 05+ TO-92
LM2937ESX-3.3 9135 NSC 07+ TO-263
LM2937IMPX-3.3 1862 チタニウム 16+ SOT-223
LM2940CSX-5.0 8095 NS 14+ TO-263
LM2940S-5.0 10367 NS 16+ TO-263
LM2940SX-5.0 8852 NS 15+ TO-263
LM2941CT 5900 NS 00+ TO-220

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs