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IRF7601PBF一般目的mosfet力MosfetのトランジスターNチャネル

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 20 V 5.7A (Ta)の1.8W (Ta)表面の台紙Micro8™
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Pulsed Drain Current :
30 A
電力損失:
1.8 W
Linear Derating Factor:
14 mW/°C
Gate-to-Source Voltage:
±12 V
ピーク ダイオードの回復dv/dt ‚:
5.0 V/ns
接続点および保管温度:
-55 + 150 °Cに
ハイライト:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

導入

IRF7601 HEXFET®力MOSFET

• 世代別V技術

•超低いオン抵抗

•N-Channel MOSFET

•非常に小さいSOICのパッケージ

•控えめ(<1>

•テープ及び巻き枠で利用できる

•速い切換え

記述

国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。

標準的なSO-8の足跡区域半分のの新しいMicro8パッケージは、SOICの輪郭で利用できる最も小さい足跡を提供する。これはMicro8にプリント基板 スペースが報酬にある適用のための理想的な装置を作る。控えめの(<1>

絶対最高評価

変数 最高。 単位
ID @ TA = 25°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 4.5V 5.7
ID @ TA = 70°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 4.5V 4.6
IDM 脈打つ現在のを流出させなさい 30
PD @TA = 25°C 電力損失 1.8 W
線形軽減の要因 14 mW/°C
VGS ゲートに源の電圧 ± 12 V
dv/dt ピーク ダイオードの回復dv/dt ‚ 5.0 V/ns
TJ、TSTG 接続点および保管温度の範囲 -55に+ 150 °C

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
LD1117S25TR 39000 ST 13+ SOT-223
LD1117S33CTR 32000 ST 16+ SOT-223
LD39015M18R 8024 ST 16+ SOT23-5
LD39300PT33-R 6785 ST 14+ TO-252
LD7531AMGL 16615 LD 16+ SOT23-6
LD7830GR 9996 LD 15+ SOP-8
LDB212G4005C-001 56000 村田 14+ SMD
LF25CDT 21498 ST 13+ TO-252
LF347MX 7640 NS 00+ SOP-14
LFB212G45SG8A192 40000 村田 16+ SMD
LFCN-400+ 1736 小型 14+ SMD
LFCN-80+ 3554 小型 15+ SMD
LFCN-900+ 3324 小型 15+ SMD
LFE2M100E-6FN900C-5I 256 格子 16+ BGA900
LFXP2-8E-5TN144C 1363 格子 16+ QFP144
LH1518AABTR 3172 VISHAY 04+ SMD-6
LH1520AAC 8563 VISHAY 13+ SOP-8
LH1540AABTR 5958 VISHAY 00+ SOP-6
LH5116NA-10 14603 シャープ 13+ SOP-24
LHI878/3902 14674 HEIMANN 10+ CAN-3
LIS2DH12TR 7611 ST 15+ LGA12
LIS3DHTR 4847 ST 14+ LGA16
LL4004 15000 ST 16+ LL41
LL4148-GS08 45000 VISHAY 15+ LL34
LLQ2012-F56NJ 12000 TOKO 16+ SMD
LM1086CSX-3.3 21569 NS 15+ TO-263
LM1086CT-3.3 15605 NS 15+ TO-220
LM111J-8 5202 NSC 15+ CDIP-8
LM19CIZ 4073 NS 16+ TO-92
LM201AN 4387 16+ DIP-8

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