FDS6975力Mosfetモジュール二重P -チャネル、PowerTrenchTM MOSFET
multi emitter transistor
,silicon power transistors
FDS6975二重P-Channel、論理のレベル、PowerTrenchTM MOSFET
概説
これらのP-Channelの論理のレベルのMOSFETsはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能のための低いゲート充満を維持するために作り出される高度のPowerTrenchプロセスを使用して。
これらの装置はノート パソコンの塗布のためにうってつけである:負荷切換えおよび力管理、バッテリーの充電回路およびDC/DCの転換。
特徴
• -6 A、-30 V. RDS () = 0.032 W @ VGS = -10ボルト、
RDS () = 0.045 W @ VGS = -4.5 V。
•低いゲート充満(典型的な14.5nC)。
•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術()。
•高い発電および現在の処理の機能。
通知がなければ絶対最高評価TA = 25℃
記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
---|---|---|---|
VDSS | 下水管源の電圧 | -30 | V |
VGSS | ゲート源の電圧 | ±20 | V |
ID |
現在を-連続的流出させなさい (ノート1a) - 脈打つ |
-6 | |
-20 | |||
PD | 双対演算のための電力損失 | 2 | W |
半二重操作(ノート1a)のための電力損失 (ノート1b) (ノート1c) |
1.6 | ||
1 | |||
0.9 | |||
TJ、TSTG | 作動し、保管温度の範囲 | -55から150 | °C |
熱特徴
RθJA | 接続点に包囲された熱抵抗(ノート1a) | 78 | °C/W |
RθJC | 熱抵抗、接続点に場合(ノート1) | 40 | °C/W |
注:
1. RθJAは場合の熱参照が下水管ピンのはんだの土台表面と定義される接続点に場合および場合に包囲された熱抵抗の合計である。RθJCはRθCAがユーザーの板設計によって定められる間、意図的に保証される。
2. 脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300µsの使用率の≤ 2.0%。
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
IRF3707PBF | 6217 | IR | 11+ | TO-220 |
IRF5210PBF | 2546 | IR | 15+ | TO-220 |
IRF5800TRPBF | 54000 | IR | 16+ | TSOP-6 |
IRF6218PBF | 8426 | IR | 06+ | TO-220AB |
IRF640NPBF | 5610 | IR | 15+ | TO-220 |
IRF640NSTRLPBF | 4905 | IR | 16+ | TO-263 |
IRF6638TRPBF | 4492 | IR | 13+ | SMD |
IRF7303TRPBF | 15463 | IR | 14+ | SOP-8 |
IRF7328TRPBF | 6288 | IR | 13+ | SOP-8 |
IRF740B | 49000 | FSC | 16+ | TO-220 |
IRF740PBF | 11487 | IR | 16+ | TO-220 |
IRF7416TRPBF | 23190 | IR | 16+ | SOP-8 |
IRF7494TRPBF | 9525 | IR | 14+ | SOP-8 |
IRF7907TRPBF | 12836 | IR | 13+ | SOP-8 |
IRF8010PBF | 17656 | IR | 16+ | TO-220 |
IRF840PBF | 14327 | VISHAY | 16+ | TO-220 |
IRF8788TRPBF | 21214 | IR | 12+ | SOP-8 |
IRF9530NPBF | 5539 | IR | 16+ | TO-220 |
IRF9620PBF | 3435 | VISHAY | 13+ | TO-220 |
IRF9Z24N | 9496 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB3004PBF | 8497 | IR | 09+ | TO-220 |
IRFB31N20D | 6973 | IR | 14+ | TO-220 |
IRFB3207ZPBF | 16234 | IR | 15+ | TO-220 |
IRFB3306PBF | 7959 | IR | 13+ | TO-220 |
IRFB4227PBF | 14319 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB4310PBF | 7645 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB4332PBF | 5199 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB4332PBF | 4735 | IR | 16+ | TO-220 |
IRFB52N15DPBF | 7716 | IR | 15+ | TO-220 |
IRFI4019HG-117P | 4847 | IR | 14+ | TO-220-5 |

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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![]() |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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![]() |
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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![]() |
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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![]() |
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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![]() |
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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