TYN612力mosfetモジュールの州の現在の高い刺し傷の高いサージ機能の最高
指定
IT(RMS):
12 A
IT(AV):
8 A
ITSM:
125 A
I2t:
72 A2s
Tl:
260 °C
ハイライト:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
導入
TYN612
高いサージ機能高いON-STATEの現在の高い刺し傷
物品目録
IPS024G | 1780 | IR | 13+ | SOP-16 |
ADM691ANZ | 2000年 | 広告 | 14+ | すくい |
FDN306P | 2200 | FSC | 15+ | SOT-23 |
BCP55 | 12000 | 16+ | SOT-223 | |
IRLZ44Z | 890 | IR | 15+ | TO-220 |
IRFU024NPBF | 1500 | IR | 12+ | TO-251 |
BCX19 | 6000 | FSC | 15+ | SOT-23 |
FOD817C300 | 2200 | FSC | 15+ | DIP-4 |
HFCN-440+ | 1520 | 小型 | 13+ | SMD |
BTA26-800CW | 2100 | ST | 15+ | TO-220 |
FM22L16-55-TG | 2200 | RAMTRON | 15+ | TSSOP44 |
1N4150W-V-GS08 | 9000 | VISHAY | 16+ | SOD123 |
DG508ACJ+ | 8310 | 格言 | 13+ | DIP-16 |
AD8495ARMZ | 2450 | 広告 | 15+ | MSOP-8 |
GP1S094HCZOF | 3460 | シャープ | 13+ | すくい |
IRG4PF50WD | 1500 | IR | 13+ | TO-3P |
BCX71J | 6000 | 13+ | SOT-23 | |
IRGPS40B120UDP | 1100 | IR | 12+ | TO-247 |
DS75S+T | 4470 | 格言 | 16+ | SOP-8 |
CY8C29666-24PVXIT | 2450 | CYPRESS | 14+ | SSOP |
EDJ2116DASE-DJ-F | 3120 | ELPIDA | 16+ | BGA |
IRLL2705TRPBF | 6000 | IR | 16+ | SOT-23 |
CDRH2D18/HP-2R2NC | 5500 | SUMIDA | 15+ | SMD |
DLW21HN900SQ2L | 7950 | 村田 | 16+ | SMD |
FAN5331SX | 1950年 | FSC | 15+ | SOT23-5 |
AD5160BRJZ50-RL7 | 2450 | 広告 | 15+ | SOT23-8 |
DTC114ESA | 3450 | ROHM | 16+ | TO-92S |
HT7130-1 | 2460 | HOLTEK | 13+ | SOT-89 |
ATMEGA16-16AU | 2500 | ATMEL | 15+ | QFP-44 |
74HCT04D | 7500 | 15+ | SOP | |
26PCAFA6D | 3000 | ハネウェル社 | 15+ | SIP |
ATMEGA168PA-AU | 2500 | ATMEL | 16+ | QFP |
BYT230PIV-400 | 900 | ST | 15+ | SOP |
74F827N | 7500 | 16+ | すくい | |
BC817-16 | 15000 | 15+ | SOT-23 | |
AD711JN | 2450 | 広告 | 15+ | すくい |
特徴
. 高いサージ機能
. 高いON-STATEの流れ
. 安定性が高く、信頼性
. TXN Serie:絶縁された電圧= 2500V (RMS)
(ULは確認した:E81734)
記述
TYN/TXN 0512---> TYN/TXNのシリコン制御整流素子の1012の系列は高性能のガラス不動態化された技術を使用する。シリコン制御整流素子のこの一般目的の系列は抵抗または誘導負荷の400Hzまで電源のために設計されている。
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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標準的:
MOQ:
50pcs