FQP30N06力Mosfetのトランジスター力mosfet ICのN-Channel MOSFET
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Drain-Source Voltage:
60 V
Gate-Source Voltage:
± 25 V
単一の脈打ったなだれエネルギー:
280 mJ
Avalanche Current:
30 A
Repetitive Avalanche Energy:
7.9 mJ
Operating and Storage Temperature:
-55 to +175 °C
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| MCIMX535DVV1C | 1066 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| MCIMX6S7CVM08AC | 769 | FREESCALE | 16+ | BGA |
| MCP100T-270I/TT | 68000 | マイクロチップ | 15+ | SOT23-3 |
| MCP100T-315I/TT | 57000 | マイクロチップ | 16+ | SOT23-5 |
| MCP100T-450I/TT | 58000 | マイクロチップ | 10+ | SOT23-3 |
| MCP120T-315I/TT | 24000 | マイクロチップ | 14+ | SOT-23 |
| MCP1252-33X50I/MS | 6935 | マイクロチップ | 16+ | MSOP |
| MCP1525T-I/TT | 22350 | マイクロチップ | 14+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-1802E/MB | 11219 | マイクロチップ | 16+ | SOT-89 |
| MCP1700T-1802E/TT | 17041 | マイクロチップ | 06+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-3302E/MB | 14911 | マイクロチップ | 09+ | SOT-89 |
| MCP1700T-3302E/TT | 87000 | マイクロチップ | 12+ | SOT-23 |
| MCP1700T-5002E/TT | 6249 | マイクロチップ | 16+ | SOT-23 |
| MCP1702T-3302E/MB | 8308 | マイクロチップ | 13+ | SOT-89 |
| MCP1703T-5002E/DB | 6320 | マイクロチップ | 13+ | SOT-223 |
| MCP1825ST-3302E/DB | 5514 | マイクロチップ | 16+ | SOT-223 |
| MCP1826T-3302E/DC | 6845 | マイクロチップ | 15+ | SOT223-5 |
| MCP2122-E/SN | 7708 | マイクロチップ | 13+ | SOP-8 |
| MCP23S17-E/SO | 8974 | マイクロチップ | 15+ | SOP-28 |
| MCP2551-I/SN | 7779 | マイクロチップ | 16+ | SOP-8 |
| MCP2551T-E/SN | 3957 | マイクロチップ | 16+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5841 | マイクロチップ | 15+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5770 | マイクロチップ | 15+ | SOP-8 |
| MCP3208-CI/P | 8740 | マイクロチップ | 15+ | すくい |
| MCP3421AOT-E/CH | 12828 | マイクロチップ | 16+ | SOT23-6 |
| MCP3422AO-E/SN | 3875 | マイクロチップ | 10+ | SOP-8 |
| MCP3424-E/SL | 8273 | マイクロチップ | 16+ | SOP-14 |
| MCP3551-E/SN | 7817 | マイクロチップ | 16+ | SOP-8 |
| MCP41050T-I/SN | 4450 | マイクロチップ | 11+ | SOP-8 |
| MCP41100-I/SN | 3572 | マイクロチップ | 15+ | SOP-8 |
FQP30N06
60V N-Channel MOSFET
概説
これらのN-Channelの強化モード力の電界効果トランジスタは、平面の縞専有、フェアチャイルドDMOSの技術を使用して作り出される。
この先端技術は特にオン州の抵抗を、優秀な転換の性能を提供するために最小にするために合い、なだれおよび代わりモードの高エネルギーの脈拍に抗する。これらの装置は携帯用および電池式プロダクトの力管理のための自動車、DC/DCのコンバーターおよび高性能の切換えのような低電圧の適用のためにうってつけである。
特徴
•30A、60V、RDS （） = 0.04Ω @VGS = 10ボルト
•低いゲート充満（典型的な19 NC）
•低いCrss （典型的な40 pF）
•速い切換え
•100%のなだれはテストした
•改善されたdv/dtの機能
•175°C最高の接合部温度の評価
通知がなければ絶対最高評価TC = 25°C
| 記号 | 変数 | FQP30N06 | 単位 |
| VDSS | 下水管源の電圧 | 60 | V |
| ID |
現在を-連続的流出させなさい（TC = 25°C） -連続的（TC = 100°C） |
30 | |
| 21.3 | |||
| IDM | 現在を-脈打つ流出させなさい（ノート1） | 120 | |
| VGSS | ゲート源の電圧 | ± 25 | V |
| EAS | 単一の脈打ったなだれエネルギー（ノート2） | 280 | mJ |
| IAR | なだれの流れ（ノート1） | 30 | |
| 耳 | 反復的ななだれエネルギー（ノート1） | 7.9 | mJ |
| dv/dt | ピーク ダイオードの回復dv/dt （ノート3） | 7.0 | V/ns |
| PD |
電力損失（TC = 25°C） - 25°Cの上で軽減しなさい |
79 | W |
| 0.53 | With°C | ||
| TJ、TSTG | 作動し、保管温度の範囲 | -55から+175 | °C |
| TL | はんだ付けする目的のための最高の鉛の温度、5秒の言い分からの1/8" | 300 | °C |
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