FS3KM-9A#B00力Mosfetのトランジスター高速転換力mosfet
指定
Drain-source breakdown voltage:
500 V
Gate-source breakdown voltage:
±30 V
Gate-source leakage current:
±10 µA
Drain-source leakage current:
1 mA
Reverse transfer capacitance:
6 pF
源下水管の電圧:
1.5 V
ハイライト:
power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
ICM7211AMIQH | 2177 | 格言 | 15+ | PLCC44 |
ICM7218BIJI | 2128 | INTERSIL | 16+ | DIP-28 |
ICM7555ISA+T | 7263 | 格言 | 16+ | SOP |
ICS501M | 13486 | ICS | 13+ | SOP-8 |
ICS542MILF | 2436 | IDT | 06+ | SOP-8 |
IDG-2020 | 2483 | INVENSENS | 13+ | QFN |
IDT7132SA100P | 8650 | IDT | 16+ | すくい |
IDT71V124SA10PHG | 2079年 | IDT | 14+ | TSOP-32 |
IDT7201LA50J | 4619 | IDT | 00+ | PLCC |
IDT74ALVC164245PAG | 6881 | IDT | 15+ | TSSOP |
IKW40T120 | 7085 | 16+ | TO-247 | |
IKW50N60T | 4078 | 14+ | TO-247 | |
IKW75N60T | 3696 | 13+ | TO-247 | |
IL420 | 3961 | VISHAY | 13+ | DIP-6 |
ILQ621GB | 2307 | VISHAY | 13+ | DIP-16 |
ILQ74 | 6004 | VISHAY | 16+ | DIP-16 |
IM03GR | 16005 | TYCO | 16+ | SMD |
INA101AG | 364 | チタニウム | 12+ | DIP-14 |
INA110SG | 1498 | チタニウム | 12+ | CDIP-16 |
INA118UB | 2360 | チタニウム | 15+ | SOIC-8 |
INA121U/2K5G4 | 2330 | チタニウム | 15+ | SOP-8 |
INA122U | 3809 | チタニウム | 14+ | SOP-8 |
INA122UA | 4600 | チタニウム | 15+ | SOP |
INA132UA/2K5 | 5750 | チタニウム | 14+ | SOP-8 |
INA138NA | 7872 | チタニウム | 16+ | SOT23-5 |
INA155UA/2K5 | 6852 | チタニウム | 15+ | SOP-8 |
INA168NA/3K | 4279 | チタニウム | 16+ | SOT23-5 |
INA2128U/1K | 2281 | チタニウム | 14+ | SOP-16 |
INA331IDGKR | 14035 | チタニウム | 13+ | MSOP |
INA826AIDR | 5661 | チタニウム | 15+ | SOP-8 |
三菱Nch力MOSFET FS3KM-10
高速転換の使用
VDSS ................................................................................ 500V
rDS () (MAX) ................................................................. 4.4Ω
ID ......................................................................................... 3A
Viso ................................................................................ 2000V
適用
プリンターのSMPS、DC-DCのコンバーター、充電器、電源、コピアー、HDD、FDD、TV、ビデオデッキ、パーソナル コンピュータ等。
最高の評価(Tc = 25°C)
記号 | 変数 | 条件 | 評価 | 単位 |
VDSS | 下水管源の電圧 | VGS = 0V | 500 | V |
VGSS | ゲート源の電圧 | VDS = 0V | ±30 | V |
ID | 現在を流出させなさい | 3 | ||
IDM | 下水管の流れ(脈打つ) | 9 | ||
PD | 最高の電力損失 | 30 | W | |
Tch | チャネルの温度 | – 55 | +150 | °C | |
Tstg | 保管温度 | – 55 | +150 | °C | |
Viso | 分離の電圧 | 1minuteのためのAC、包装するべきターミナル | 2000年 | Vrms |
重量 | 典型的な価値 | 2.0 | g |
外形図
TO-220FN
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
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標準的:
MOQ:
10pcs