メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > 2N3906 PNPの一般目的のアンプ力MosfetのトランジスターPNPスイッチング・トランジスタ

2N3906 PNPの一般目的のアンプ力MosfetのトランジスターPNPスイッチング・トランジスタ

メーカー:
製造者
記述:
バイポーラ(BJT) トランジスタ PNP 40 V 200 mA 250MHz 625 mW スルーホール TO-92
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector-Base電圧:
−40 V
Collector-emitter電圧:
−40 V
Emitter-base電圧:
−6 V
全体の電力損失:
500 MW
保管温度:
+150 °Cへの−65
作動の周囲温度:
+150 °Cへの−65
ハイライト:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

導入


PNPのスイッチング・トランジスタ2N3906

特徴
•低い現在(最高。200 mA)
•低電圧(最高。40 V)。

適用
•産業適用の高速切換え。

記述
TO-92のPNPのスイッチング・トランジスタ;SOT54プラスチック パッケージ。NPNの補足物:2N3904.

ピンで止めること

PIN記述
1コレクター
2基盤
3エミッター








限界値
絶対最高評価システム(IEC 134)に従って。

記号変数条件MIN.MAX.単位
VCBOcollector-base電圧開いたエミッター−40V
VCEOcollector-emitter電圧開いた基盤−40V
VEBOemitter-base電圧開いたコレクター−6V
ICコレクター流れ(DC) −200mA
ICMピーク コレクター流れ −300mA
IBMピーク基礎流れ −100mA
Ptot全体の電力損失Tambの≤ 25の°C500MW
Tstg保管温度 −65+150°C
Tj接合部温度 150°C
Tamb作動の周囲温度 −65+150°C

Fig.2 DCの現在の利益;典型的な価値。

転換の時のFig.3テスト回路


パッケージの輪郭
プラスチック片端接地の加鉛(穴を通して)パッケージ;3つの鉛 SOT54


標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。ブランドD/Cパッケージ
IS62C1024-45T580ISSI10+TSSOP
HM91101429HMC10+DIP18
TG43-1406NTR5000ハロー10+SSOP48
MC74HC30N549NS10+すくい
AM29F010-120JC711AMD10+PLCC32
TMPZ84C30AP-62420東芝10+DIP-28
TDA1675A810ST10+ジッパー
STK73601008TDK10+SIP-14
24LC512-I/P3750マイクロチップ16+DIP8
BFR91A5000VISHAY14+TO-50
LE88266DLC5800LEGERITY14+QFP80
NJU7391AV-TE1-#ZZZB7000JRC14+SSOP32
BTA06-800BW7660ST16+TO-220
25LC256-I/SN9600MICROCHI16+SOP-8
MT8816AE5000ZARLINK13+DIP-40
ULN2003APWR5000チタニウム15+TSSOP16
XC5VSX95T-2FFG1136I100XILINX16+BGA
LRPS-2-12000年小型16+SMD
BC847C400014+SOT-23
MUR120RLG2000年14+DO-41
BC548B5000PH14+TO-92
LTC2440CGN5000LT16+SSOP16
MB4S50009月16+SMD4
MUR160RLG500013+DO-41
BC817-25600015+SO23
ES2J5000VISHAY16+SMB
ATMEGA1281-16AU3500ATMEL16+QFP
LTC1263CS8#PBF2500線形14+SOIC-8
MB6S7000VISHAY14+SMD-4
BZX84C3V0LT1G800014+SOT-23





関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs