MUR1620CTRGの整流器ダイオードの超高速の整流器16アンペア、200ボルト
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
MUR1620CTR、MURB1620CTR
SWITCHMODE™力の整流器
超高速の整流器16アンペア、200ボルト
これらのstate−of−the−art装置は否定的な転換の電源、インバーターのそして自由な回転ダイオードとして使用のために設計されている。また、共通の陰極の二重超高速の整流器と共に使用されて、単一フェーズのfull−wave橋を作る。
特徴
•共通の陽極二重整流器（8.0 Aかパッケージ1個あたりの足1本あたりの16 A）
•超高速の35ナノ秒の逆の回復時間
•柔らかい回復特徴を表わす
•高温ガラス不動態化された接続点
•低い漏出指定@ 150°C場合温度
•現在の軽減の@場合および周囲温度両方
•エポキシの大会UL 94 V−0 @ 0.125 inに
•MUR1620CTおよびMURB1620CTの共通の陰極への補足物装置
•Pb−Freeのパッケージは利用できる
機械特徴:
•場合:エポキシ、形成される
•重量:MUR1620CTR:1.9グラム（およそ）
MURB1620CTR:1.7グラム（およそ）
•終わり:すべての外面は防蝕浮上し、末端の鉛は容易にSolderableである
•はんだ付けする目的のための鉛の温度:最高260°C。10秒のため
最高の評価（足1本あたりに）
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
|---|---|---|---|
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ピーク反復的な逆電圧 働くピーク逆電圧 DCの妨害電圧 |
VRRM VRWM VR |
200 | V |
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平均は前方電圧を調整した （評価されるVR、TC = 160°C） 足1本あたり 総装置ごと |
（AV） |
8.0 16 |
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ピーク反復的なサージ電流 （VRの方形波、20のkHz、TCを= 140°C）評価した ダイオードごと |
IFM | 16 | |
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Non−Repetitiveのピークのサージ電流 （定格負荷の状態の半波、単一フェーズ、60のHzに加えられるサージ） |
IFSM | 100 | |
| 作動の接続点および保管温度の範囲 | TJ、Tstg | +175への−65 | °C |
最高の評価はどの装置損傷が起こることができるかを越えるそれらの価値である。最高の評価は装置にで、個々の圧力の限界値（正常な動作条件）である同時に無効適用した。これらの限界が超過すれば、装置機能操作は意味されない、損傷は起こり、信頼性は影響を受けるかもしれない。
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| BC847A-1EW | 9000 | 16+ | SOT-323 | |
| HCPL-181-000E | 9000 | AVAGO | 16+ | SOP-4 |
| BC858ALT1G | 9000 | 0N | 13+ | SOT-23 |
| MPSA06 | 9000 | 15+ | TO-92 | |
| NC7SZ08P5X | 9000 | フェアチャイルド | 16+ | SOT353 |
| NTE4151PT1G | 9000 | 16+ | SOT323 | |
| SDM20U30-7 | 9000 | ダイオード | 14+ | SOD523 |
| TISP4265M3BJR-S | 9000 | BOURNS | 14+ | DO-214AA |
| X9C103PIZ | 9000 | INTERSIL | 14+ | DIP-8 |
| WPMD2008-6 | 9010 | WILLSEMI | 16+ | DFN6 |
| 2N7000TA | 9100 | フェアチャイルド | 16+ | TO-92 |
| BZX84C5V6LT1G | 9100 | 13+ | SOT-23 | |
| MCP809T-300I/TT | 9100 | マイクロチップ | 15+ | SOT23-3 |
| CD74HC245M96 | 9110 | チタニウム | 16+ | SOP |
| MBRS340 | 9110 | 16+ | SMC | |
| PGA2500IDBR | 9111 | チタニウム | 14+ | SSOP28 |
| LD1117S33 | 9112 | ST | 14+ | SOT-223 |
| BZX84-C39 | 9120 | 14+ | SOT-23 | |
| IRFPC50 | 9120 | IR | 16+ | TO-247 |
| MAX3373EEKA | 9191 | 格言 | 16+ | SOT23-8 |
| IRF740PBF | 9220 | IR | 13+ | TO-220 |
| LCP1521SRL | 9222 | ST | 15+ | SOP8 |
| 24LC02BT-I/SN | 9400 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
| LD7575PN | 9500 | 16+ | DIP8 | |
| NTR4101PT1 | 9500 | 14+ | SOT23 | |
| NCP1117ST33T3G | 9511 | 14+ | SOT-223 | |
| SR360 | 9555 | MIC | 14+ | DO-27 |
| MMSZ5230BT1G | 9600 | 16+ | SOD-123 | |
| STM32F103RCT6 | 9600 | ST | 16+ | LQFP64 |
| IRF7105TRPBF | 9700 | IR | 13+ | SOP-8 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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