メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > SS16-E3/61Tの整流器ダイオードの表面の台紙のショットキー障壁の整流器

SS16-E3/61Tの整流器ダイオードの表面の台紙のショットキー障壁の整流器

メーカー:
製造者
記述:
ダイオード60 V 1Aの表面の台紙DO-214AC (SMA)
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
装置印コード:
S6
最高の反復的なピーク逆電圧:
60ボルト
最高RMSの電圧:
42ボルト
最高DCの妨害電圧:
60ボルト
電圧変化率:
10 000 V/µs
保管温度:
- + 150 °Cへの65
ハイライト:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

導入

SS12によるSS16

表面の台紙のショットキー障壁の整流器

特徴

•控えめなパッケージ

•自動化された配置のための理想

•過電圧の保護のためのGuardring

•低い電力の損失、高性能

•低い前方電圧低下

•高いサージ機能

•大会MSLのレベル1、J-STD-020ごとに、260 °CのLFの最高のピーク

•はんだのすくい260の°C、40 s

•RoHS 2002/95/ECおよびWEEE 2002/96/ECへの調和の部品

典型的な適用

低電圧、高周波インバーター、惰性で動くこと、dcにdcコンバーターおよび極性の保護適用の使用のため。

機械データ

場合:DO-214AC (SMA)

エポキシはUL 94V-0の燃焼性の評価に会う

ターミナル:J-STD-002およびJESD22-B102ごとに無光沢のスズメッキをされた鉛、solderable

消費者等級のためのE3接尾辞は、JESD 201のクラス1Aのひげテストに、高い信頼性の等級(修飾されるAEC Q101)のためのHE3接尾辞、会うJESD 201のクラス2のひげテストに会う

極性:色バンドは陰極の端を表示する

第一次特徴

(AV) 1.0 A
VRRM 20ボルトから60ボルト
IFSM 40 A
VF 0.50ボルト、0.75ボルト
最高TJ。 125 °C、150 °C

最高の評価(通知がなければTA = 25 °C)

変数 記号 SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 単位
装置印コード S2 S3 S4 S5 S6
最高の反復的なピーク逆電圧 VRRM 20 30 40 50 60 V
最高RMSの電圧 VRMS 14 21 28 35 42 V
最高DCの妨害電圧 VDC 20 30 40 50 60 V
最高平均はTL (図1)で先に現在を調整した (AV) 1.0
定格負荷で重ねられるピーク前方サージ電流8.3氏の単一の半分の正弦波 IFSM 40
電圧変化率(VRを評価した) dV/dt 10000 V/µs
作動の接合部温度の範囲 TJ -65に+ 125 -65に+ 150 °C
保管温度の範囲 TSTG -65に+ 150 °C

インチ(ミリメートル)のパッケージの輪郭次元

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
MBRM120LT1G 40000 16+ 芝地
MC9S08AW32CFGE 4552 FREESCALE 13+ LQFP
NAND512R3A2SZA6E 5760 ST 14+ BGA
OPA695IDR 8180 チタニウム 12+ SOP-8
BFS20 9000 15+ SOT23
MSP430F2471TPMR 6722 チタニウム 15+ LQFP
ATMEGA64A-AU 5001 ATMEL 15+ QFP-64
LMV331IDBVR 10000 チタニウム 15+ SOT-23-5
LM3880MFX-1AB 4505 NSC 15+ SOT-23-6
MOC3022 30000 フェアチャイルド 16+ DIP-6
LM611CMX 1428 NSC 14+ SOP-14
PIC18F6720-I/PT 4298 マイクロチップ 10+ QFP
MAX9768ETG+T 11152 格言 15+ TQFN
NCP3063BDR2G 8371 16+ SOP-8
PIC18F8722-I/PT 4253 マイクロチップ 14+ QFP
30119* 208 BOSCH 10+ ZIP-3
30381* 2090年 BOSCH 11+ SOP-20
OPA373AIDBVR 7520 チタニウム 16+ SOT23-5
M24C64-WMN6TP 30000 ST 16+ SOP
LT3750EMS 5613 LT 14+ MSOP
LM4811MM 4410 NSC 15+ MSOP-10
LM4875MMX 2543 NSC 14+ MSOP-8
PTH12040WAH 800 チタニウム 15+ すくい
M41T93RMY6 3633 ST 14+ SOP
NH82801GB-SL8FX 2200 INTEL 16+ BGA
MC79L05ACDR2G 30000 13+ SOP-8
2SA1941+2SC5198 6304 東芝 15+ TO-3P
MJD340T4G 10000 16+ TO-252
LMH6646MAX 2729 NSC 14+ SOP-8
MC14528BCP 6257 16+ すくい

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs