メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > HER208G-TPの整流器ダイオードの高性能の整流器の超高速のダイオード

HER208G-TPの整流器ダイオードの高性能の整流器の超高速のダイオード

メーカー:
製造者
記述:
ダイオード 1000V 2A スルーホール DO-15
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
ピーク反復的な逆電圧:
1000ボルト
働くピーク逆電圧:
1000ボルト
DCの妨害電圧:
1000ボルト
RMSの逆電圧:
700ボルト
平均によって調整される出力電流:
2.0 A
ピーク逆の流れ:
5.0 µA
実用温度:
-65から+125 °C
保管温度:
-65から+150 °C
ハイライト:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

導入

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
INN8186 14106 INNO 15+ SOP-8
IP4220CZ6 95000 14+ SOT23-6
IPD60R750E6 6123 16+ TO-252
IPS022GTR 6326 IR 04+ SOP-8
IPS7071GPBF 6823 IR 12+ SOP-8
IR2103STRPBF 4102 IR 15+ SOP-8
IR2110PBF 12615 IR 16+ DIP-14
IR2110STRPBF 11621 IR 15+ SOP-16
IR2111PBF 2178 IR 07+ DIP-8
IR2112PBF 8355 IR 08+ DIP-14
IR2113PBF 4677 IR 15+ DIP-14
IR2113STRPBF 12544 IR 15+ SOIC-16
IR2118PBF 14177 IR 16+ DIP-8
IR2118S 6075 IR 14+ SOP-8
IR2153PBF 6146 IR 16+ DIP-8
IR21814STRPBF 5286 IR 16+ SOP-14
IR2233J 2249 IR 15+ PLCC32
IR3566BMTRPBF 3860 IR 16+ QFN48
IR3570BMTRPBF 3411 IR 14+ QFN
IR3585BMSY01TRPBF 3549 IR 13+ QFN48
IR4427PBF 14248 IR 13+ DIP-8
IR4427STRPBF 6248 IR 14+ SOP-8
IRF1010N 3464 IR 14+ TO-220
IRF1404STRLPBF 4764 IR 16+ TO-263
IRF1404ZPBF 9554 IR 16+ TO-220
IRF2807PBF 6558 IR 15+ TO-220
IRF2907Z 2320 IR 11+ TO-220
IRF2907ZPBF 4500 IR 12+ TO-220
IRF3205PBF 8079 IR 16+ TO-220
IRF3205ZSTRLPBF 6857 IR 14+ TO-263

HER201 – HER208

2.0A超高速のダイオード

特徴

  • 拡散させた接続点
  • 低い前方電圧低下
  • 高い現在の機能
  • 高い信頼性
  • 高いサージ電流の機能

機械データ

  • 場合:DO-15の形成されたプラスチック
  • ターミナル:MIL-STD-202の方法208ごとのめっきされた鉛Solderable
  • 極性:陰極バンド
  • 重量:0.40グラム(およそ)
  • 土台位置:
  • 印:タイプ数
  • 無鉛:RoHS/無鉛版のため

最高の評価および電気特徴@TA=25°C他に特に規定がなければ

単一フェーズ、半波、60Hzの、抵抗または誘導負荷。

容量性負荷のために、20%によって現在を軽減しなさい。

特徴 記号

彼女の

201

彼女の

202

彼女の

203

彼女の

204

彼女の

205

彼女の

206

彼女の

207

彼女の

208

単位

ピーク反復的な逆電圧

働くピーク逆電圧

DCの妨害電圧

VRRM

VRWM

VR

50 100 200 300 400 600 800 1000 V
RMSの逆電圧 VR (RMS) 35 70 140 210 280 420 560 700 V

平均によって調整される出力電流

(ノート1) @TA = 55°C

IO 2.0

非反復ピーク前方サージ電流

定格負荷(JEDEC方法)で重ねられる8.3ms単一の半分の正弦波

IFSM 60
前方電圧@IF = 2.0A VFM 1.0 1.3 1.7 V

ピーク逆の現在@TA = 25°C

評価されるDCの妨害電圧@TA = 100°C

IRM

5.0

100

µA
逆の回復時間(ノート2) trr 50 75 nS
典型的な接続点キャパシタンス(ノート3) Cj 60 40 pF
実用温度範囲 Tj -65から+125 °C
保管温度の範囲 TSTG -65から+150 °C

注:

1. 鉛は場合からの9.5mmの間隔で周囲温度で維持した

2. と測定される= 0.5A、IR = 1.0A、IRR = 0.25A。図5.を見なさい。

3. 4.0V D.C.の1.0 MHzそして応用逆電圧で測定される

示す情報 指定の録音

包装情報

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs