1N5819整流器ダイオード、ショットキー障壁の整流器の高性能
指定
最高の反復的なピーク逆電圧:
40ボルト
最高RMSの電圧:
28ボルト
最高DCの妨害電圧:
40ボルト
最高の非反復ピーク逆電圧:
48V
保管温度:
– 65から+125 °C
パッケージ:
DO-204AL (DO-41)
ハイライト:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
導入
1N5817による1N5819
ショットキー障壁の整流器
40Vへの逆電圧20
前方現在の1.0A
特徴
•プラスチック パッケージに保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0がある
•低い電力の損失、高性能
•低電圧の高周波インバーター、自由に回転、および極性の保護適用の使用のため
•過電圧の保護のためのGuardring
機械データ
- 場合:JEDEC DO-204のALはプラスチック ボディ、ガラス体またはガラスMELFボディを形成した
- ターミナル:MIL-STD-750の方法2026年ごとにsolderableめっきされた鉛
- 高温にはんだ付けすることは保証した:MELFおよび0.375"のためのターミナルの250°C/10秒(9.5mmの)鉛の長さ、axialsのための5lbs (2.3kg)張力
- 極性:色バンドは陰極の端を表示する(バンドはMELFで緑である)
- 重量:プラスチック ボディDO-41:0.34g
- ガラス体DO-41:0.35g
- ガラスMELF:0.25g
最高の評価および熱特徴(通知がなければTA = 25°C)
変数 | 記号 | 1N5817 | 1N5818 | 1N5819 | 単位 |
*最高の反復的なピーク逆電圧 | VRRM | 20 | 30 | 40 | V |
最高RMSの電圧 | VRMS | 14 | 21 | 28 | V |
*最高DCの妨害電圧 | VDC | 20 | 30 | 40 | V |
*最高の非反復ピーク逆電圧 | VRSM | 24 | 36 | 48 | V |
*最高平均は先に現在を調整した 0.375" (TL=90°Cの9.5mmの)鉛の長さ |
(AV) | 1.0 | |||
*ピーク前方サージ電流、単一8.3ms 定格負荷で重ねられる半分の正弦波 (JEDEC方法) TL=70°Cで |
IFSM | 25 | |||
接続点に包囲された典型的な熱抵抗– (ガラス) (ノート1) –接続点に包囲された(プラスチック) –接続点に鉛(プラスチック) |
RΘJA RΘJA RΘJL |
130 50 15 |
°C/W | ||
*保管温度の範囲 | TJ、TSTG | – 65から+125 | °C |
*JEDECは価値を登録した
注:(1)取付けられる縦PCB 0.375"を導く接続点からの熱抵抗(1.5 x 1.5"の9.5mmの)鉛の長さ(38 x 38mm)銅のパッド
関連製品

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
![]() |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
![]() |
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
![]() |
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
![]() |
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
![]() |
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
![]() |
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
![]() |
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
![]() |
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
![]() |
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
![]() |
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
100pcs