IRFZ44NPBF力MOSFET転換力mosfetの低い電力mosfet
指定
連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V:
35 A
脈打つ現在のを流出させなさい:
160 A
電力損失:
94 W
線形軽減の要因:
0.63 With°C
ゲートに源の電圧:
± 20 V
ハイライト:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
導入
物品目録
UPC1688G | 3000 | NEC | 16+ | SOT-143 |
VIPER32 | 3000 | ST | 16+ | DIP-8 |
VN0300M | 3000 | VISHAY | 16+ | TO-92 |
VP0808 | 3000 | VISHAY | 14+ | TO-92 |
ZX5T853G | 3000 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
HEF4024BT | 3001 | PHILPS | 16+ | SO-14 |
L6565N | 3002 | ST | 15+ | すくい |
MCP1700T-3002E/TT | 3002 | マイクロチップ | 16+ | SOT-23 |
MCP1701AT-1802I/CB | 3003 | マイクロチップ | 15+ | SOT23-3 |
IRAMX20UP60A | 3004 | IR | 12+ | NA |
74LVC1G384GW | 3005 | 16+ | SOT-353 | |
TIP102 | 3008 | ST | 12+ | TO-220 |
TPS3825-33DBVT | 3008 | チタニウム | 16+ | SOT-153 |
H20R1202 | 3033 | 16+ | TO-247 | |
IRF7504TR | 3050 | IR | 16+ | MSOP-8 |
A7800 | 3100 | AVAGO | 16+ | SOP-8 |
H21A1 | 3100 | フェアチャイルド | 16+ | DIP-4 |
IRFB52N15D | 3100 | IR | 14+ | TO-220 |
RTD2660-GR | 3100 | REALTEK | 16+ | QFP128 |
SN75C23243DGGR | 3100 | チタニウム | 16+ | TSSOP-48P |
GT60N321 | 3114 | 東芝 | 15+ | - 3PLに |
BTS426L1 | 3120 | 16+ | TO-263 | |
CM1213-08 | 3121 | CMD | 15+ | MSOP10 |
2N1893 | 3200 | MOT | 12+ | TO-39 |
2SK386 | 3200 | 東芝 | 16+ | TO-220F |
74HC377PW | 3200 | 12+ | TSSOP | |
ADM706SARZ | 3200 | 広告 | 16+ | SOP |
ADP3338-1.8 | 3200 | 広告 | 16+ | SOT223 |
BF513 | 3200 | 16+ | SOT-23 | |
BS801 | 3200 | HOLTEK | 16+ | SOT23-6 |
CY7C68013A-128AXI | 3200 | CYPRESS | 16+ | LQFP |
DS2431P | 3200 | 格言 | 14+ | TSOC-6 |
FEP16DTA | 3200 | FSC | 16+ | TO-220 |
L78M06CDT-TR | 3200 | ST | 16+ | TO-252 |
IRFZ44N
力MOSFET転換力mosfetの低い電力mosfet
►高度の加工技術
►超低いオン抵抗
►動的dv/dtの評価
►175°C実用温度
►速い切換え
►評価される十分になだれ
記述
国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する
関連製品

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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標準的:
MOQ:
100pcs