MUR420RLGの高速スイッチング・ダイオードのSwitchmode Tm力の整流器
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
MUR420RLGの高速スイッチング・ダイオードのSwitchmode Tm力の整流器
超高速の整流器
4.0アンペア、50−600ボルト
これらのstate−of−the−art装置は転換の電源、インバーターのそして自由な回転ダイオードとして使用のために設計されているシリーズである。
特徴
•超高速の25 ns、50 nsおよび75 nsの回復時間
•175°C作動の接合部温度
•低い前方電圧
•低い漏出流れ
•高温ガラス不動態化された接続点
•600ボルトへの逆電圧
•ポリ袋で出荷される、袋ごとの500
•、部品番号へ「RL "の接尾辞を加えることによってテープおよび巻き枠、巻き枠ごとの1500で利用できる
•Pb−FreeのパッケージはAvailable*である
機械特徴:
•場合:エポキシ、形成される
•重量:1.1グラム(およそ)
•終わり:すべての外面は防蝕浮上し、末端の鉛は容易にSolderableである
•はんだ付けする目的のための鉛の温度:最高260°C。10秒のため
•極性:陰極は極性バンドによって示した
最高の評価
評価 | 記号 | MUR | 単位 | |||||
405 | 410 | 415 | 420 | 440 | 460 | |||
ピーク反復的な逆電圧 働くピーク逆電圧 DCの妨害電圧 |
VRRM VRWM VR |
50 | 100 | 150 | 200 | 400 | 600 | V |
平均によって調整される前方流れ(方形波) (ノート2)ごとの方法#3を取付ける |
(AV) | 4.0 @ TA = 80°C |
4.0 @ TA = 40°C |
|||||
非反復ピーク サージ電流 (定格負荷の状態、半波、単一フェーズ、60のHzに加えられるサージ) |
IFSM | 125 | 110 | |||||
作動の接合部温度及び保管温度 | TJ、Tstg | -65から+175 | °C |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
示す図表
パッケージ次元
軸鉛
場合267−05
(DO−201AD)
問題G

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
![]() |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
![]() |
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
![]() |
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
![]() |
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
![]() |
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
![]() |
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
![]() |
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
![]() |
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
![]() |
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
![]() |
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|