MMSZ5230BT1Gのケイ素の平面のツェナー ダイオードの整流器ダイオードのZenerの電圧安定器123の表面の台紙
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
MMSZ5230BT1Gのケイ素の平面のツェナー ダイオードの整流器ダイオードのZenerの電圧安定器123の表面の台紙
ツェナー ダイオードの3つの大ぞろいは便利な、表面の台紙のプラスチックSOD−123パッケージで提供される。これらの装置は無鉛34−package様式に便利な代わりを提供する。
特徴
•FR−4かFR−5板の500 MWの評価
•広いZenerの逆電圧範囲の− 2.4 Vから110ボルト
•最適の自動化された板アセンブリのために設計されているパッケージ
•高密度適用のための小型パッケージのサイズ
•一般目的の、中型の流れ
•人体モデルごとのクラス3 （>16 kV）のESDの評価
•Pb−Freeのパッケージは利用できる
機械特徴
場合:無効なしの、移動形成された、thermosettingプラスチック ケース
終わり:solderable防蝕終わり、容易に
はんだ付けする目的のための最高の場合温度:10秒の260°C
極性:陰極は極性バンドによって示した
燃焼性の評価:UL 94 V−0
最高の評価
| 評価 | 記号 | 最高 | 単位 |
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FR−5板の全体の電力損失、 （ノート1） @ TL = 75°C 75°Cの上で軽減される |
PD |
500 6.7 |
MW mW/°C |
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熱抵抗、（ノート2） Junction−to−Ambient |
RθJA | 340 | °C/W |
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熱抵抗、（ノート2） Junction−to−Lead |
RθJL | 150 | °C/W |
| 接続点および保管温度の範囲 | TJ、Tstg | +150への−55 | °C |
最高の評価はどの装置損傷が起こることができるかを越えるそれらの価値である。最高の評価は装置にで、個々の圧力の限界値（正常な動作条件）である同時に無効適用した。これらの限界が超過すれば、装置機能操作は意味されない、損傷は起こり、信頼性は影響を受けるかもしれない。
1. FR−5 =最低の推薦された足跡を使用して3.5のx 1.5インチ。
2. 赤外線走査方法によって得られる熱抵抗の測定。
パッケージ次元
SOD−123
場合425−04
問題C
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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