MMBD4148高速スイッチング・ダイオード、表面の台紙のツェナー ダイオードの速い切換え
メーカー:
製造者
記述:
ダイオード 75 V 150mA 面実装 SOT-23-3
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
逆電圧:
75ボルト
ピーク逆電圧:
100ボルト
典型的な接続点キャパシタンス:
4.0 pF
最高の逆は回復する:
4.0 ns
最高の熱抵抗:
357の℃/W
保管温度の範囲:
-55から+125 ℃
ハイライト:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
導入
Mmbd4148高速スイッチング・ダイオード、表面の台紙のツェナー ダイオードの速い切換え
電圧75ボルト 350のmWattsに動力を与えなさい パッケージSOT-23
特徴
•速い切り替え速度。
•理想的に自動挿入に適する表面の台紙のパッケージ
•標準的なJEDECと電気で同一
•高い導電率
機械データ
場合:SOT-23のプラスチック
ターミナル:MIL-STD-202の方法208ごとのSolderable
およそ重量:0.008グラム
印:A2、A3
最高の評価および電気特徴
25℃周囲温度の評価他に特に規定がなければ。
単一フェーズ、半波、60のHzの、抵抗または誘導負荷。
容量性負荷のために、20%によって現在を軽減しなさい。
| 変数 | 記号 | MMBD4148 | MMBD4448 | 単位 |
| 逆電圧 | VR | 75 | 75 | V |
| ピーク逆電圧 | VRM | 100 | 100 | V |
| 抵抗負荷との調整された現在の（平均）、半波改正およびf >=50 Hz | IO | 150 | 150 | mA |
| ピーク前方サージ電流、定格負荷（JEDEC方法）で重ねられる8.3ms単一の半分の正弦波 | IFSM | 2.0 | 4.0 | |
| 電力損失は25℃の上で軽減する | PTOT | 350 | 350 | MW |
|
最高前方電圧@ IF= A 5m @ IF= A |
VF |
- 1.0 |
0.72 1.0 |
V |
| 評価されるDCの妨害電圧TJ= 25℃の最高DCの逆の流れ | IR | 2.5 | 2.5 | µA |
| 典型的な接続点キャパシタンス（Notes1） | CJ | 4.0 | 4.0 | pF |
| 最高の逆の回復（Notes2） | TRR | 4.0 | 4.0 | ns |
| 最高の熱抵抗 | RθJA | 357 | ℃/W | |
| 保管温度の範囲 | TJ | -55から+125 | ℃ | |
注:
1. VR=0、f=1MHZのCJ
2.From IF=10mAへのIR=1mA、VR=6Volts、RL=100Ω
評価および特性曲線
外形図
SOT-23
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs