メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > HSMS-2862-TR1整流器ダイオードの表面の台紙のマイクロウェーブ ショットキー探知器ダイオード

HSMS-2862-TR1整流器ダイオードの表面の台紙のマイクロウェーブ ショットキー探知器ダイオード

メーカー:
製造者
記述:
RF ダイオード ショットキー - 1 ペア直列接続 4V SOT-23-3
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal、ウェスタン・ユニオン
指定
ピーク逆電圧:
4.0 V
接合部温度:
150℃
保管温度:
-65~150℃
実用温度:
65から150 °C
ハイライト:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

導入

特徴

•表面の台紙SOT-23/SOTの‑ 143のパッケージ

•ミニチュアSOT-323およびSOTの‑ 363のパッケージ

•高い検出の感受性:

915のMHzの50までmV/µW

2.45 GHzの35までmV/µW

5.80 GHzの25までmV/µW

•低い適合(時間の失敗) Rate*

•利用できるテープおよび巻き枠の選択

•表面の台紙SOT-363のパッケージの独特な構成

–増加の柔軟性

–保管板スペース

–コストを削減しなさい

•HSMS-286Kは中心の鉛を提供する10までdBのより高い分離を基づかせていた

•堅実なパーフォーマンスのための一致させたダイオード

•高い発電の消滅のためのよりよく熱伝導性

•無鉛

記述

AvagoのDCのHSMSの‑ 286xの系列は915のMHzからの5.8 GHzへの使用のために探知器ダイオードに設計され、最大限に活用された偏った。それらはDCの転換にRF/IDおよびRFの札のにとって理想的塗布、また大きい信号検出、調節、RFまたは電圧倍増である。

さまざまなパッケージ構成で利用できる、探知器ダイオードのこの系列はいろいろ設計問題に安価解決を提供する。Avagoの製造技術は2つ以上のダイオードが単一の表面の台紙のパッケージに取付けられるとき、マッチの最大級の程度を保証するウエファーの隣接した場所から取られること保証する。

絶対最高評価、TC = +25°Cの単一のダイオード

記号 変数 単位 SOT-23/143 SOT-323/363
PIV ピーク逆電圧 V 2.0 2.0
TJ 接合部温度 °C 150 150
TSTG 保管温度 °C -65から150 -65から150
実用温度 °C -65から150 -65から150
θjc 熱抵抗[2] °C/W 500 150

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs