500V 5AのN-Channel MOSFETは高圧MOSFETプロセスAOD5N50を進めた
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 500 V 5A （Tc）の104W （Tc）表面の台紙TO-252 （DPAK）
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Vds:
600V@150の℃
ID （VGS=10Vで）:
5 A
RDS （） （VGS=10Vで）:
< 1="">
UISはテストした!:
100%
Rgはテストした!:
100%
ハイライト:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
導入
AOD5N50 500V、5A N-Channel MOSFET
概説
AOD5N50は普及したAC-DCの適用の性能そして強さのハイ レベルを提供するように設計されている高度の高圧MOSFETプロセスを使用して製造される。低いRDSの提供によって（）、保証されたなだれの機能と共にCissそしてCrssは新しく、既存のオフ・ラインの電源の設計にこの装置すぐに採用することができる。
プロダクト概要
VDS 600V@150の℃
D （VGS=10Vで） 5A
RDS （） （VGS=10Vで）< 1="">
テストされる100% UIS!
テストされる100%のRg!
典型的な電気および熱特徴
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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
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RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs