ショットキー バリア・ダイオードの電子工学のダイオードICの破片BAS85,135
メーカー:
製造者
記述:
ダイオード30 V 200mAの表面の台紙LLDS;MiniMelf
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
パッケージ:
2500PCS/REEL
メイン・ライン:
IC、モジュール、トランジスター、ダイオード、コンデンサー、抵抗器等
連続的な逆電圧:
30ボルト
連続的な前方流れ:
200 mA
平均前方流れ:
200 mA
保管温度:
−65 +150 ° °C
ハイライト:
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
導入
ショットキー バリア・ダイオードの電子工学のダイオードICの破片BAS85
BAS85ショットキーのバリア・ダイオード
特徴
•低い前方電圧
•高い絶縁破壊電圧
•保護される監視リング
•Hermetically-sealed小さいSMDのパッケージ。
記述
静電気放電に対する統合された保護リングが付いている平面のショットキー バリア・ダイオード。この表面の取付けられたダイオードは各端にスズメッキをされた金属ディスクが付いている密封状態で密封されたSOD80CガラスSMDのパッケージで内部に閉じ込められる。それは「自動配置」のために適して、そのように液浸のはんだ付けに抗できる。
適用
•超高速切換え
•電圧締め金で止めること
•保護回路
•ダイオードの妨害。
記号変数状態
MIN. MAX。単位VRの連続的な逆電圧− 30 V
連続的な前方現在なら− 200 mA
（現在の先のAV）平均VRWM = 25ボルト;a = 1.57;δ = 0.5;
ノート1;先のFig.2 − 200 mA IFRMの反復的なピーク現在のTPの≤ 1 s;δの≤ 0.5の− 300 mA I
現在の先のFSMの非反復ピークTP = 10人の氏の− 5 A
Tstgの保管温度−65 +150の°C
Tjの接合部温度の− 125の°C
周囲温度−65 +125の°Cを作動させるTamb
| 記号 | 変数 | 条件 | MAX | 単位 |
| VF | 前方電圧 |
=0.1mAなら =1mAなら =10mAなら =30mAなら =100mAなら |
240 320 400 500 800 |
mV mV mV mV mV |
| IR | Vr=25V | 2.3 | uA | |
| CD | ダイオード キャパシタンス | f=1 MHz Vr=1V | 10 | pF |
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100pcs