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キーワード [ insulated gate bipolar ] マッチ 7 製品.
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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IGBT 600V 22A 156Wはゲートの両極トランジスターIRGB10B60KDPBFを絶縁した |
穴TO-220ABを通したIGBT NPT 600 V 22 A 156 W
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Infineon
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MGW12N120D力MosfetのトランジスターはAnti-Parallelダイオードが付いているゲートの両極トランジスターを絶縁した |
IGBT
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製造者
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絶縁されるIRG4BC30UDは両極トランジスター低い電力mosfetをゲートで制御する |
IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
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製造者
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絶縁されるIRG4BC20KDPBFは両極トランジスター低い電力mosfetをゲートで制御する |
IGBT 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
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製造者
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高い導電率IGBTのトランジスター/高速スイッチング・ダイオードBAV99の電圧75V |
ダイオードの配列1組の直列接続75 V 150mAの表面の台紙TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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製造者
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高精度フィールド効果トランジスタ MBR20100CTP 隔離ゲート双極トランジスタ |
ダイオードの配列穴TO-220-3を通した1組の共通の陰極100 V
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製造者
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TC4421AVOA 集積回路チップ 9A 高速 MOSFET ドライバ |
ローサイド ゲート ドライバ IC 反転 8-SOIC
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マイクロチップ
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