IGBT 600V 22A 156Wはゲートの両極トランジスターIRGB10B60KDPBFを絶縁した
メーカー:
Infineon
記述:
穴TO-220ABを通したIGBT NPT 600 V 22 A 156 W
部門:
IGBTパワーモジュール
価格:
To be negotiated
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
PN:
IRGB10B60KDPBF
ブランド:
INFINEON/IR
原物:
ドイツ
タイプ:
絶縁されたゲートの両極トランジスター超高速の柔らかい回復ダイオード
電圧:
IGBT 600V 22A 156W
パッケージ:
TO220AB
ハイライト:
156W Insulated Gate Bipolar Transistor
,22A Insulated Gate Bipolar Transistor
,IGBT Bipolar Recovery Diode
導入
IRGB10B60KDPBF # 超高速ソフトリカバリーダイオードIGBTの隔離ゲート双極トランジスタ
600V 22A 156W TO220AB
特徴
• IGBT テクノロジーを通して低 VCE (オン) ノンパンチ
低ダイオードVF
短回路容量 10μs
平方RBSOA
• 超軟二極管逆回復特性
陽性 VCE (オン) 温度係数
• 鉛 が ない
利益
• モーター制御の基準効率
• 頑丈な一時的な性能
• EMI の低さ
• パラレル運用における優れた電流共有
| 部分番号 | IRGB10B60KDPBF |
| 製造者 | インフィニオン |
| 分類 離散半導体製品 トランジスタ - IGBT - 単一の製造者 | インフィニオン |
| パッケージ | トューブ |
| 原作 | ドイツ |
| 部品のステータス | アクティブ |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) | 600V |
| 電流 - コレクター (Ic) (最大) | 22A |
| 電流 - コレクターパルス (Icm) | 44A |
| VCE (オン) (最大) @ VGE Ic | 2.2V @ 15V 10A |
| パワー - マックス | 156W |
| エネルギー 交換 | 140μJ (オン) 250μJ (オフ) |
| 入力タイプ | スタンダード |
| ゲートチャージ | 38nC |
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
5-10pcs