フィルター
フィルター
電子ICの破片
イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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TAJB105K050RNJの新しく、元の在庫 |
1 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 1411(3528メートル法)、1210 7オーム
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KYOCERA AVX
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TAJD155K050RNJの新しく、元の在庫 |
1.5 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2917(7343メートル法) 4オーム
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KYOCERA AVX
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TAJB474K050RNJの新しく、元の在庫 |
0.47 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 1411(3528メートル法)、1210 9.5オーム
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KYOCERA AVX
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TAJC474K050RNJの新しく、元の在庫 |
0.47 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2312(6032メートル法) 8オーム
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KYOCERA AVX
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TAJC684K050RNJの新しく、元の在庫 |
0.68 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2312(6032メートル法) 7オーム
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KYOCERA AVX
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TAJC105K050RNJの新しく、元の在庫 |
1 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2312(6032メートル法) 5.5オーム
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KYOCERA AVX
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TAJC155K050RNJの新しく、元の在庫 |
1.5 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2312(6032メートル法) 4.5オーム
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KYOCERA AVX
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TAJC225K050RNJの新しく、元の在庫 |
2.2 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2312(6032メートル法) 2.5オーム
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KYOCERA AVX
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TAJD225K050RNJの新しく、元の在庫 |
2.2 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2917(7343メートル法) 2.5オーム
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KYOCERA AVX
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TAJC335K050RNJの新しく、元の在庫 |
3.3 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2312(6032メートル法) 2.5オーム
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KYOCERA AVX
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TAJD335K050RNJの新しく、元の在庫 |
3.3 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2917(7343メートル法) 2オーム
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KYOCERA AVX
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TAJD475K050RNJの新しく、元の在庫 |
4.7 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2917(7343メートル法) 1.4オーム
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KYOCERA AVX
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TAJD685K050RNJの新しく、元の在庫 |
6.8 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2917(7343メートル法) 1オーム
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KYOCERA AVX
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TAJD106K050RNJの新しく、元の在庫 |
10 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2917(7343メートル法) 800ミリオーム
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KYOCERA AVX
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TAJE106K050RNJの新しく、元の在庫 |
10 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2917(7343メートル法) 1オーム
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KYOCERA AVX
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TAJE156K050RNJの新しく、元の在庫 |
15 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2917(7343メートル法) 600ミリオーム
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KYOCERA AVX
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TAJV226K050RNJの新しく、元の在庫 |
22 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 2924(7361メートル法) 600ミリオーム
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KYOCERA AVX
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TAJA686M002RNJの新しく、元の在庫 |
68 µF モールドタンタルコンデンサ 2.5 V 1206(3216メートル法) 1.5オーム
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KYOCERA AVX
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TAJA104K050RNJの新しく、元の在庫 |
0.1 µF モールドタンタルコンデンサ 50 V 1206(3216メートル法) 22オーム
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KYOCERA AVX
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AO4409 30V P-Channel MOSFET superjunction力mosfet |
P-Channel 30 V 15A (Ta)の3.1W (Ta)表面の台紙8-SOIC
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製造者
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TVカメラのCapacitory元のC5750Y5V1C107Zの陶磁器のコンデンサー |
100 µF -20%の+80%の(f) 2220 (メートル5750) 16V陶磁器のコンデンサーY5V
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製造者
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電力線SMDの元の電子工学ICの破片TVの破片のためのSLF7045T-101MR50-PF誘導器 |
100 µHはドラム中心、Wirewound誘導器を650 mA 300mOhmの最高の標準外保護した
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製造者
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概要のための陶磁器のコンデンサーSMDのフェライト・ビーズC1608X5R1A226MT |
22 µF ±20%の10V陶磁器のコンデンサーX5R 0603 (メートル1608)
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製造者
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SMDの電気分解コンデンサーのRoHSのアルミニウム指令迎合的なEEE-FK1E471P |
470のµF 25 Vのアルミニウム電気分解コンデンサーの放射状のものは、- SMD 105°C 2000 Hrsの@できる
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製造者
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LPS3015 SMDのフェライト・ビーズLPS3015-332MRCは力誘導器を保護した |
3.3 µHは誘導器1.4を130mOhm最高の標準外保護した
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製造者
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台紙SMDのフェライト・ビーズSS1H10-E3/61Tの高圧ショットキー表面の整流器 |
ダイオード100 V 1Aの表面の台紙DO-214AC (SMA)
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VISHAY
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高い導電率の速いダイオードの多層陶磁器のチップ・コンデンサFDLL914 |
ダイオード 100 V 200mA 面実装 SOD-80
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ON 半触媒 半触媒
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タイプ(DC)の上のBLM21AG601SN1D SMDのフェライト・ビーズはEMIの抑制TVカメラをろ過する |
600オーム@ 100つのMHz 1のフェライト・ビーズ0805 (メートル2012) 600mA 210mOhm
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製造者
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Fk EEE-FK1V331PアルミニウムEleectrolyticのコンデンサーの表面の台紙のタイプ集積回路の破片 |
330のµF 35 Vのアルミニウム電気分解コンデンサーの放射状のものは、- SMD 105°C 2000 Hrsの@できる
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製造者
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台紙のタイプ フェライト・ビーズのモデル アルミニウム電気分解コンデンサー/Fk EEE-FK1V101XP |
100つのµF 35 Vのアルミニウム電気分解コンデンサーの放射状のものは、- SMD 105°C 2000 Hrsの@できる
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製造者
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帽子のオリジナルのコンデンサー220uF 16V ECEV1CA221XP SMDのアルミニウム電気分解コンデンサー/V-G TVカメラ |
220のµF 16 Vのアルミニウム電気分解コンデンサーの放射状のものは、- SMD 85°C 2000 Hrsの@できる
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製造者
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放射状の加鉛治されるの炎-抑制エポキシ ポリマー絶縁体はUL 94V-0の条件を満たす 60R090XU |
穴の放射状のもの、ディスクを通した重合体PTCの再設置可能なヒューズ60V 900 mA Ih
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製造者
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EMIFIL (誘導器タイプ)の破片のフェライト・ビーズBLM18Pシリーズ0603サイズBLM18PG121SN1D |
120オーム@ 100つのMHz 1の電力線フェライト・ビーズ0603 (メートル1608) 2A 50mOhm
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製造者
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Ïの 180、330mm浮彫りにされた録音SMDのフェライト・ビーズGRM21BR71H224KA01L |
0.22のµF ±10%の50V陶磁器のコンデンサーX7R 0805 (メートル2012)
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製造者
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強化モードpHEMTの技術SMDのフェライト・ビーズ(E-のpHEMT) GRM188R71H104KA93D |
0.1のµF ±10%の50V陶磁器のコンデンサーX7R 0603 (メートル1608)
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製造者
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保護された力誘導器- LPS6235低いDCRの高い現在の保護された構造LPS6235-103MRC |
10 µHはドラム中心誘導器1.28を100mOhm最高の2424保護した(メートル6060)
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製造者
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EEE-FK1V101AP SMDのフェライト・ビーズ3A/3A出力電流が付いている広いVINの二重標準的な木びき台の調整装置 |
100つのµF 35 Vのアルミニウム電気分解コンデンサーの放射状のものは、- SMD 105°C 2000 Hrsの@できる
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製造者
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NFM21PC475B1A3D SMD/BLOCKのタイプEMIの抑制フィルター |
コンデンサー10V 6を通した4.7のµFの供給5mOhm 0805 (メートル2012)、3 PCのパッド
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製造者
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回路を減結合するためのNLCV32T-100K-PFの集積回路の破片誘導器 |
10のµHの保護されていないドラム中心、Wirewound誘導器450 mA 468mOhm最高の1210 (メートル3225)
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製造者
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MLX90614ESF-ACF-000-TUの赤外線温度検出器モジュールGY-906 |
温度検出器デジタル、赤外線(IR) -40°C | 85°C 16 b TO-39
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製造者
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MLX90614ESF-BCF-000-TU互換性があるのための熱赤外線イメージ投射 モジュールGY-906 |
温度検出器デジタル、赤外線(IR) -40°C | 85°C 16 b TO-39
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製造者
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MLX90614ESF-ACC-000-TUの赤外線温度検出器IRの温度の獲得モジュールGY-906 |
温度検出器デジタル、赤外線(IR) -40°C | 85°C 16 b TO-39
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製造者
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無接触モジュールGY-906 MLX90614ESF-DCA-000-TU |
温度検出器デジタル、赤外線(IR) -40°C | 85°C 16 b TO-39
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製造者
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無接触の温度検出器モジュールGY-906 MLX90614ESF-BAA-000-TU |
温度検出器デジタル、赤外線(IR) -40°C | 85°C 16 b TO-39
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製造者
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無接触の赤外線センサー モジュールGY-906 MLX90614ESF-BCC-000-SP |
温度検出器デジタル、赤外線(IR) -40°C | 85°C 16 b TO-39
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製造者
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2N4093 smd力mosfet力MosfetのトランジスターN-CHANNEL J-FETはMIL-PRF-19500/431ごとに修飾した |
穴TO-18を通ってJFETのN-Channel 40 V 360 MW
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マイクロチップ
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EXC-CET103U圧力センサーIC中国の製造者のオリジナルのダイオードICの破片の電子工学の部品 |
LCの(Tタイプの) EMIフィルタの第3等級の低域1つのチャネルC = 10000pF 2 A 1807 (メートル4518)、3 PCのパッド
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製造者
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2N3440 npnの一般目的のトランジスター力Mosfetのトランジスター ケイ素NPNのトランジスター |
穴TO-39 (TO-205AD)を通って両極(BJT)トランジスターNPN 250 V 1 A 800 MW
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マイクロチップ
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抜け目がない集積回路の破片ICの電子工学CMOSの125 MHzの完全なDDSのシンセサイザをプログラムするMT9M021IA3XTC TQFP-64 |
プロセッサのイメージ センサー1280H X 960V 3.75µm x 3.75µm 63-IBGA (9x9)とのCMOS
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ON 半触媒 半触媒
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0459003.UR表面の台紙はPICO SMFのヒューズを> 459のシリーズ溶かす 集積回路の破片 |
3 125のV AC 125ボルトDCのヒューズ板台紙(除かれるカートリッジ様式)の表面の台紙2-SMDのJ鉛
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製造者
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