フィルター
フィルター
電子ICの破片
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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LQH5BPN100MT0Lの新しく、元の在庫 |
10 µH シールド付きドラムコア、巻線インダクタ 1.6 A 106 mOhm 非標準
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製造者
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LQH5BPN1R5NT0Lの新しく、元の在庫 |
1.5 µH シールド付きドラムコア、巻線インダクタ 3 A 24ミリオーム 非標準
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製造者
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LQW15AN36NH00Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
36 nH シールドなしドラムコア、巻線インダクタ 260 mA 630 ミオーム最大 0402 (1005 メートル法)
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製造者
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LQP15MN1N0W02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
1nH シールドなし厚膜インダクタ 400mA 100ミリオーム最大 0402（1005メートル法）
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製造者
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LQP15MN1N2B02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
1.2 nH シールドなし厚膜インダクタ 390 mA 100ミリオーム最大 0402（1005メートル法）
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製造者
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LQP15MN1N3W02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
1.3 nH シールドなし厚膜インダクタ 280 mA 200ミリオーム最大 0402（1005メートル法）
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製造者
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LQP03TN56NJ02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
56 nH シールドなし厚膜インダクタ 100 mA 3.9 オーム最大 0201 (0603 メートル法)
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製造者
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LQP03TN5N1H02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
5.1 nH シールドなし厚膜インダクタ 350 mA 400ミリオーム最大 0201（0603メートル法）
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製造者
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LQP03TN5N6H02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
5.6 nH シールドなし厚膜インダクタ 350 mA 400ミリオーム最大 0201（0603メートル法）
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製造者
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LQP03TN62NJ02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
62 nH シールドなし厚膜インダクタ 100 mA 8 オーム最大 0201 (0603 メートル法)
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製造者
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LQP03TN68NJ02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
68 nH シールドなし厚膜インダクタ 100 mA 8 オーム最大 0201 (0603 メートル法)
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製造者
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LQP03TN7N5H02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
7.5 nH シールドなし厚膜インダクタ 300 mA 600ミリオーム最大 0201（0603メートル法）
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製造者
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LQP03TN8N2H02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
8.2 nH シールドなし厚膜インダクタ 250 mA 700ミリオーム最大 0201（0603メートル法）
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製造者
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LQP03TN6N2H02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
6.2 nH シールドなし厚膜インダクタ 300 mA 600ミリオーム最大 0201（0603メートル法）
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製造者
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LQP03TN6N8H02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
6.8 nH シールドなし厚膜インダクタ 300 mA 600ミリオーム最大 0201（0603メートル法）
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製造者
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LQP03TN82NJ02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
82 nH シールドなし厚膜インダクタ 100 mA 10オーム最大 0201 (0603 メートル法)
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製造者
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LQP03TN2N2B02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
2.2 nH シールドなし厚膜インダクタ 600 mA 150ミリオーム最大 0201（0603メートル法）
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製造者
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LQP03TN2N4B02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
2.4 nH シールドなし厚膜インダクタ 500 mA 200ミリオーム最大 0201（0603メートル法）
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製造者
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LQP03TN30NH02Dのフェライト・ビーズ誘導器新しく、元の在庫 |
30 nH シールドなし厚膜インダクタ 120 mA 2.95 オーム最大 0201 (0603 メートル法)
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製造者
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CPC1943G電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
ソリッド ステートSPST-NO （A） 6-DIP （0.300"、7.62mm） 1つの形態
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製造者
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CNY17-3電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
基礎出力5000Vrms 1チャネル6-DIPが付いているオプティカルアイソレータのトランジスター
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VISHAY
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CS8900A-IQ3Z電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
イーサネット コントローラ 10 Base-T PHY ISA インターフェイス 100-LQFP (14x14)
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製造者
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CSD16321Q5電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
Nチャンネル 25 V 31A (Ta)、100A (Tc) 3.1W (Ta) 面実装 8-VSON-CLIP (5x6)
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テキサス・インストラクション
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CSD16322Q5C電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
Nチャンネル 25 V 21A (Ta)、97A (Tc) 3.1W (Ta) 面実装 8-SON
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テキサス・インストラクション
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CSD17308Q3電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
Nチャンネル 30 V 14A (Ta)、44A (Tc) 2.7W (Ta) 面実装 8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
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テキサス・インストラクション
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CSD17556Q5B電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
Nチャンネル 30 V 34A (Ta)、100A (Tc) 3.1W (Ta)、191W (Tc) 面実装 8-VSON-CLIP (5x6)
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テキサス・インストラクション
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CSD17313Q2電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
Nチャンネル 30 V 5A（Tc） 2.3W（Ta） 面実装 6-WSON（2x2）
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テキサス・インストラクション
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CSD17313Q2Q1電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
Nチャンネル 30 V 5A（Tc） 2.3W（Ta） 面実装 6-WSON（2x2）
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テキサス・インストラクション
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CSD17553Q5A電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
Nチャンネル 30 V 23.5A (Ta)、100A (Tc) 3.1W (Ta) 面実装 8-VSONP (5x6)
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テキサス・インストラクション
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CSD18534Q5A電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
Nチャンネル 60 V 13A (Ta)、50A (Tc) 3.1W (Ta)、77W (Tc) 面実装 8-VSONP (5x6)
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テキサス・インストラクション
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CSD18540Q5B電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
Nチャンネル 60 V 100A (Ta) 3.1W (Ta)、195W (Tc) 面実装 8-VSON-CLIP (5x6)
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テキサス・インストラクション
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CSD86350Q5D電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
MOSFET アレイ 25V 40A 13W 表面実装 8-LSON (5x6)
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テキサス・インストラクション
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CUS05F30、H3F電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
ダイオード 30 V 500mA 面実装 USC
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製造者
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CSNE151-104電子ICの破片の新しく、元の在庫 |
電流センサー 56A 1 チャンネル ホール効果、閉ループ双方向モジュール、シングルパススルー
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製造者
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LQH5BPN1R0NT0Lの新しく、元の在庫 |
22 µH シールド付きドラムコア、巻線インダクタ 1.05 A 259mOhm 非標準
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製造者
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LQH5BPN220MT0Lの新しく、元の在庫 |
22 µH シールド付きドラムコア、巻線インダクタ 1.05 A 259mOhm 非標準
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製造者
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LQH5BPN2R2NT0Lの新しく、元の在庫 |
2.2 µH シールド付きドラムコア、巻線インダクタ 2.6 A 最大 36 mOhm 非標準
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製造者
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LQH5BPN4R7NT0Lの新しく、元の在庫 |
4.7 µH シールド付きドラムコア、巻線インダクタ 2 A 58ミリオーム、非標準
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製造者
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LQH5BPN6R8NT0Lの新しく、元の在庫 |
6.8 µH シールド付きドラムコア、巻線インダクタ 1.65 A 83mOhm 非標準
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製造者
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LQM18FN100M00Dの新しく、元の在庫 |
10 µH シールド付き多層インダクタ 50 mA 1.17オーム最大 0603 (1608メートル法)
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製造者
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LQM18NN1R0K00Dの新しく、元の在庫 |
1 µH シールド付き多層インダクタ 25 mA 600ミリオーム最大 0603 (1608メートル法)
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製造者
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LQM18NN2R2K00Dの新しく、元の在庫 |
2.2 µH シールド付き多層インダクタ 15 mA 1.15オーム最大 0603（1608メートル法）
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製造者
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LQM21FN1R0N00Dの新しく、元の在庫 |
1 µH シールド付き多層インダクタ 220 mA 260ミリオーム最大 0805 (2012 メートル法)
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製造者
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LQM18PN2R2MFRLの新しく、元の在庫 |
2.2 µH シールド付き多層インダクタ 750 mA 375ミリオーム最大 0603（1608メートル法）
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製造者
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LQM21FN100M70Lの新しく、元の在庫 |
10 µH シールド付き多層インダクタ 100 mA 780ミリオーム最大 0805 (2012 メートル法)
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製造者
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LQM21FN100M80Lの新しく、元の在庫 |
10 µH シールド付き多層インダクタ 100 mA 390ミリオーム最大 0805 (2012 メートル法)
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製造者
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LQM21FN100N00Lの新しく、元の在庫 |
10 µH シールド付き多層インダクタ 60 mA 650ミリオーム最大 0805 (2012 メートル法)
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製造者
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LQM21FN2R2N00Dの新しく、元の在庫 |
2.2 µH シールド付き多層インダクタ 150 mA 364ミリオーム最大 0805 (2012メートル法)
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製造者
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LQM21FN4R7M70Lの新しく、元の在庫 |
4.7 µH シールド付き多層インダクタ 120 mA 455ミリオーム最大 0805 (2012メートル法)
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製造者
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LQM21FN4R7N00Lの新しく、元の在庫 |
4.7 µH シールド付き多層インダクタ 80 mA 390ミリオーム最大 0805 (2012メートル法)
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製造者
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