フィルター
フィルター
電子ICの破片
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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BCP55-16 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターNPN 60 V 1 100MHz 1.3 Wの表面の台紙SOT-223
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Diotecの半導体
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BCP55-16 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターNPN 60 V 1 100MHz 1.3 Wの表面の台紙SOT-223
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Diotecの半導体
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BCP56 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターNPN 80 V 1.2 A 1 W表面の台紙SOT-223-4
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ON 半触媒 半触媒
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BCP56 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターNPN 80 V 1.2 A 1 W表面の台紙SOT-223-4
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ON 半触媒 半触媒
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BCP56-16 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターNPN 80 V 1 100MHz 2 Wの表面の台紙SOT-223
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Diotecの半導体
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BCP56-16 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターNPN 80 V 1 100MHz 2 Wの表面の台紙SOT-223
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Diotecの半導体
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BCP56-16 新しい原産物 |
バイポーラ（BJT） トランジスタ NPN 80 V 1 A 1.6 W 面実装 SOT-223
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アンボン・セミ
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BCP56-16 新しい原産物 |
バイポーラ（BJT） トランジスタ NPN 80 V 1 A 1.6 W 面実装 SOT-223
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STMicroelectronics
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BCP69 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 20 V 1.5 A 1 W表面の台紙SOT-223-4
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フェアチャイルド
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BCP69-16 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスター20 V 1 100MHz 3 Wの表面の台紙PG-SOT223-4
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Infineon
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BCV46QTA 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン60ボルト500 mA 200MHz 310 MWの表面の台紙SOT-23-3
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ダイオード
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BCV46-QR 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン60ボルト500 mA 250 MWの表面の台紙TO-236AB
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Nexperia
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BCV46TA 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン60ボルト500 mA 200MHz 330 MWの表面の台紙SOT-23-3
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ダイオード
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BCV47,235 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターNPN -ダーリントン60ボルト500 mA 220MHz 250 MWの表面の台紙TO-236AB
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Nexperia
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BCV47,215 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターNPN -ダーリントン60ボルト500 mA 220MHz 250 MWの表面の台紙TO-236AB
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Nexperia
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BCV46,215 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン60ボルト500 mA 220MHz 250 MWの表面の台紙TO-236AB
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Nexperia
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BCV47TA 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターNPN -ダーリントン60ボルト500 mA 170MHz 330 MWの表面の台紙SOT-23-3
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ダイオード
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IRFP2907PBF フィールド効果トランジスタ |
N-Channel 75 V 209A （穴TO-247ACを通したTc） 470W （Tc）
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Infineon
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IRFP4868PBF フィールド効果トランジスタ |
Nチャンネル 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) スルーホール TO-247AC
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Infineon
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IRFP450LC フィールド効果トランジスタ |
Nチャンネル 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) スルーホール TO-247AC
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VISHAY
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IRFP250MPBF フィールド効果トランジスタ |
Nチャンネル 200 V 30A（Tc） 214W（Tc） スルーホール TO-247AC
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Infineon
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IRFPE40PBF フィールド効果トランジスタ |
N-Channel 800 V 5.4A （穴TO-247ACを通したTc） 150W （Tc）
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VISHAY
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IRG4BC40UPBF フィールド効果トランジスタ |
IGBT 600V 40A 160W スルーホール TO-220AB
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Infineon
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LH1525AABTR フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック |
ソリッド ステートSPST-NO （A） 6-SMD （0.300"、7.62mm） 1つの形態
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VISHAY
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IRFL014NTRPBF フィールド効果トランジスタ |
N-Channel 55 V 1.9A （Ta）の1W （Ta）表面の台紙SOT-223
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Infineon
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BC847BS フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック |
両極（BJT）トランジスター配列2 NPN （二重） 45V 100mA 210mWの表面の台紙SC-88 （SC-70-6）
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ON 半触媒 半触媒
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BC847BW フィールド効果トランジスタ 新品とオリジナルストック |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-323
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Diotecの半導体
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BC847W,135 表面マウントインダクター 新品とオリジナルストック |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-323
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NXP
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BC848B 高周波トランジスタ 新品・オリジナル |
両極（BJT）トランジスターNPN 30 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-23
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台湾Semiconductor Corporation
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BC856B 高電圧トランジスタ 新品・オリジナル |
両極（BJT）トランジスターPNP 65 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-23
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台湾Semiconductor Corporation
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BC856B パワートランジスタ 新品・オリジナル |
両極（BJT）トランジスターPNP 65 V 100 mA 150MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23
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グッドアーク半導体
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BC856BW パワートランジスタ 新品・オリジナル |
両極（BJT）トランジスターPNP 65 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-323
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Diotecの半導体
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BC856W-QX 調節可能なインダクタ 新品とオリジナル ストック |
両極（BJT）トランジスターPNP 65 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-323
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Nexperia
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BC856S 調節可能なインダクタ 新品とオリジナルストック |
両極（BJT）トランジスター配列2 PNP （二重） 65V 100mA 100MHz 250mWの表面の台紙SOT-363
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Diotecの半導体
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BC856W-QF 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 65 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-323
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Nexperia
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BC856W/ZL115 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスター
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NXP
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BC857,215 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 100 mA 100MHz 250 MWの表面の台紙TO-236AB
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Nexperia
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BC857A 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-23
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台湾Semiconductor Corporation
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BC857BS 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスター配列2 PNP （二重） 45V 100mA 200MHz 300mWの表面の台紙SOT-363
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製造者
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BC857BW 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-323
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Diotecの半導体
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BC857C 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 100 mA 150MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23
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グッドアーク半導体
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BC857BW 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-323
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Diotecの半導体
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BC857C 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-23
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台湾Semiconductor Corporation
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BC857W,135 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-323
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Nexperia
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BC857W,115 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-323
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Nexperia
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BC858B 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 30 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-23
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台湾Semiconductor Corporation
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BC858B 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 30 V 100 mA 100MHz 250 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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Infineon
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BCM857BS,115 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスター配列2 PNPの（二重）マッチ ペア45V 100mA 175MHz 300mWの表面の台紙6-TSSOP
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Nexperia
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BCM857BS-7-F 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスター配列2 PNP （二重） 45V 100mA 100MHz 200mWの表面の台紙SOT-363
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ダイオード
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BCP51 新しい原産物 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 1.5 A 1 W表面の台紙SOT-223-4
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ON 半触媒 半触媒
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