NLSX5014DR2G
記述:
翻訳 - 電圧レベル 4 ビット 140 MBPS トランスレーター
部門:
集積回路チップ
指定
増殖遅延時間::
10 ns, 11 ns, 13 ns, 35 ns, 37 ns, 40 ns
製品カテゴリー::
翻訳 - 電圧レベル
マウントスタイル::
SMD/SMT
最低動作温度::
- 55 C
供給電圧 - マックス::
4.5 V
パッケージ/ケース::
SOIC-14
最大動作温度::
+ 125 C
パッケージ::
リール
供給電圧 - Min::
0.9V
メーカー::
一半
導入
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