40mA DG529CJの電子工学の部品アナログCMOS Latchableの多重交換装置
small scale integrated circuits
,integrated components
40mA DG529CJの電子工学の部品アナログCMOS Latchableの多重交換装置
DG526、DG527、DG528、DG529
アナログCMOS Latchableの多重交換装置
特徴
•直接調整
•TTLおよびCMOSの多用性がある住所および入力を可能にするため
•最高の電源の評価……………。44V
•Break-Before-Make切換え
•互い違いの源
適用
•データ収集 システム
•通信システム
•自動試験装置
•マイクロプロセッサはSystemdを制御した
記述
DG526、DG527、DG528およびDG529はCMOSの単一16-Channel/Dual 4チャネルのアナログの多重交換装置である。各装置はオン破片住所および制御掛け金をマイクロ プロセッサ・ベースの適用の設計を簡単にする備えている。DG526は16のチャネルを制御するのに4つの住所ラインを使用する;DG527は、DG528両方8つのチャネルを制御するのに3つの住所ラインを使用する;そしてDG529は4つのチャネルを制御するのに2つの住所ラインを使用する。
ピンをWRの脈拍の間に住所掛け金を可能にするのに使用されている可能にしなさい。チャネルの1つ常に使用されれば論理の供給に配線である場合もある（調整の間にを除いて）または記憶によって地図を描かれる操作のための住所解読の回路部品に結ぶことができる。RSピンが他のどの掛け金または管理線の状態にもかかわらずすべての掛け金を取り除くのに使用されている。ENが低い時WRピンが調整の間にを除く掛け金にアドレス制御 ラインの状態を、移すのにまたは使用されている。
国家ののチャネルは両方の方向で信号を同様にうまく行なう。州で各チャネルは供給の柵まで電圧を妨げる。住所入力、WR、RSは入力をであるTTLおよびCMOS完全な指定操作の温度較差に互換性がある可能にし。
絶対最高評価
V+へのV-。…………………………………… +44V
V- ひくため…………………………………。- 25V
ひくべきVIN （ノート1）。………………。（V- - 2V）、（V+ + 2V）
対またはVDへのV+ （ノート1）…………………… +2V、（V- - 2V）
対またはVDへのV- （ノート1）。…………………。-2V、（V+ + 2V）
Sを除く現在、ターミナルまたは……………… .30mA D.
連続的な流れ、SまたはD.……………………。.20mA
ピーク電流、SまたはD.………………………… .40mA
（1msの最高10%の使用率で脈打って）
作動条件
実用温度
Cの接尾辞……………………………。.0℃への70℃
Bの接尾辞……………………………。-25℃への85℃
接尾辞…………………………… -55℃への125℃
熱情報
熱抵抗（、ノート1）典型的な θJA （℃/W） θJC （℃/W）
18 Ld PDIPのパッケージ…………。 90 N/A
18 Ld CERDIPのパッケージ………。 75 22
18 Ld SOICのパッケージ…………。 95 N/A
28 Ld PDIPのパッケージ…………。 60 N/A
28 Ld CERDIPのパッケージ………。 55 18
28 Ld SOICのパッケージ…………。 70 N/A
最高の接合部温度
陶磁器パッケージ。…………………………。175℃
プラスチック パッケージ…………………………… 150℃
最高の保管温度の範囲
Cの接尾辞…………………………。- 65℃への125℃
およびBの接尾辞………………………。- 65℃への150℃
最高の鉛の温度（はんだ付けする10s）…………。300℃
（SOIC -唯一の鉛の先端）
注意:「絶対最高評価に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の唯一の評価であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されない。
注:
1. θJAは自由大気に評価のパソコン ボードに部品と取付けた測定される。
Pinouts
機能図
図式的な図表
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
| PCA9532PW | 12140 | 15+ | TSSOP | |
| AZ75232GTR-E1 | 1052 | BCD | 11+ | TSSOP20 |
| CS6422-CSZR | 1453 | 毛状突起 | 14+ | SOP |
| Z85C3008PSC | 450 | ZILOG | 06+ | DIP-40 |
| LT6700CS6-3#TRPBF | 14614 | 線形 | 15+ | SOT |
| MC34164D-3R2G | 3472 | 10+ | SOP | |
| 34992* | 2102 | BOSCH | 15+ | ZIP-15 |
| 30651 | 907 | BOSCH | 11+ | QFP-64 |
| PIC16F873A-I/SO | 4903 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
| LT3980EMSE | 5605 | LT | 13+ | MSOP |
| MC74HC4538AN | 4782 | 10+ | すくい | |
| MMSZ4680T1 | 20000 | 10+ | SOD-123 | |
| MAX232DR | 30000 | チタニウム | 16+ | SOP |
| MAX232CSE | 30000 | 格言 | 16+ | SOP |
| MAX232ECPWR | 8150 | チタニウム | 15+ | TSSOP |
| CLRC66301HN | 1178 | 13+ | QFN32 | |
| N82S23AN | 3650 | フィリップス | 14+ | すくい |
| MMA8453QT | 4412 | FREESCALE | 13+ | QFN |
| MC56F8013VFAE | 3580 | FREESCALE | 16+ | QFP |
| MBR1100 | 25000 | 16+ | DO-41 | |
| QG82945GSE SLB2R | 300 | INTEL | 09+ | BGA |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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