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SN74HC02NのアンプICの破片の集積回路の破片四倍2-INPUT POSITIVE-NORのゲート

メーカー:
製造者
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
供給電圧の範囲:
– 0.5ボルトから7ボルト
入れられたクランプ流れ:
±20 mA
出力クランプ流れ:
±20 mA
連続的な出力電流:
±25 mA
VCCまたはGNDを通した連続的な流れ:
±50 mA
保管温度の範囲:
– 65°Cへの150°C
ハイライト:

small scale integrated circuits

,

integrated components

導入

SN54HC02、SN74HC02

四倍2-INPUT POSITIVE-NORのゲート

  • 広作動の電圧範囲2ボルトから6ボルト
  • 出力は10のLSTTLの負荷に運転できる
  • 低い電力の消費、20-µA最高のICC
  • 典型的なtpd = 8 ns
  • ±4 mAは5ボルトでドライブを出力した
  • 最高1つのµAの低い入力電流

SN54HC02… JまたはWのパッケージSN74HC02… D、DB、N、NS、またはPWのパッケージ(平面図)

SN54HC02… FKのパッケージ(平面図)

作動の自由空気温度較差上の絶対最高評価

(通知がなければ) †

供給電圧の範囲、VCC…………………………………………。– 0.5ボルトから7ボルト

入れられたクランプ流れ、IIK (VI< 0="" or="" V=""> I > VCC) (ノート1)………………………… ±20 mAを見なさい

出力クランプ流れ、IOK (VO< 0="" or="" V=""> O > VCC) (ノート1)……………………… ±20 mAを見なさい

連続的な出力電流、IO (VO = 0からVCC)………………………………。±25 mA

VCCまたはGNDを通した連続的な流れ……………………………………。±50 mA

パッケージの熱インピーダンス、θJA (ノート2)を見なさい:Dのパッケージ………………………。86 °C/W

DBのパッケージ……………………… 96 °C/W

Nのパッケージ………………………。 80 °C/W

NSのパッケージ………………………。76 °C/W

PWのパッケージ……………………。113 °C/W

保管温度の範囲、Tstg…………………………………… – 65°Cへの150°C

ロジック・ダイヤグラム(肯定的な論理)

変数測定情報

回路および電圧波形に荷を積みなさい

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 Q'ty MFG D/C パッケージ
MCP6002T-I/SN 10000 マイクロチップ 13+ SOP
MAX186CCPP+ 2200 格言 14+ すくい
NJM13700D 5266 JRC 16+ DIP-16
NDS9407 16560 フェアチャイルド 16+ SOP-8
MMSZ5256BT1G 20000 16+ SOD-123
LPC1114FBD48/301 3622 15+ QFN-48
M95160-WMN6TP 6324 ST 11+ SOP
LC03-3.3BTG 3466 LITTELF 14+ SOP-8
NDB6030PL 15280 フェアチャイルド 16+ TO-263
ATSAM3S4BA-AU 3200 ATMEL 13+ LQFP64
LTC3426ES6#TRPBF 6753 LT 16+ SOT
MJB41CT4G 3149 16+ TO-263
PIC16F631-I/SS 5113 マイクロチップ 12+ SSOP
XTR117AIDGKR 2500 チタニウム 15+ MSOP-8
MMBZ15VALT1G 25000 16+ SOT-23
NDS331N 38000 フェアチャイルド 16+ SOT-23
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LM2842XMKX-ADJL 3000 チタニウム 14+ TSOT-23-6
MMBD301LT1G 20000 16+ SOT-23
MRFE6S9060NR1 649 FREESCALE 14+ TO-270
PBSS4160T 40000 14+ SOT-23

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