L6385Dの電子集積回路の集積回路の破片の高圧高低の側面の運転者
指定
出力電圧:
-3 Vboot - 18ボルトに
供給電圧:
- 0.3から+18ボルト
浮動の供給電圧:
- 1から618ボルト
上部のゲートの出力電圧:
- Vboot Vへの1
許可された出力スルー・レート:
50 V/ns
接合部温度:
150℃
ハイライト:
chip in electronics
,integrated components
導入
L6385
高圧高低の側面の運転者
- 高圧柵600ボルトまで
- dV/dtの免除+ -完全な温度較差の50 V/nsec
- 運転者の現在の機能:
- 400 mAの源、
- 650 mAの流し
- 切換えは1nF負荷との50/30 nsec RISE/FALLを時間を計る
- ヒステリシスおよびおろのCMOS/TTL SCHMITTの制動機入力
- 下の電圧はより低く、上部の運転セクションで締まる
- 内部ブートストラップのダイオード
- 入力との段階の出力
記述
L6385はBCDの"オフ・ラインの」技術と製造された高圧装置である。それに独立した参照されたNチャネル力MOSかIGBTを運転することを可能になる運転者の構造がある。上部の(浮遊)セクションは600Vまで電圧柵を使用するために可能になる。論理の入力は制御装置によってインターフェイスの容易さのために互換性があるCMOS/TTLである。
絶対最高評価
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
Vout | 出力電圧 | -3 Vboot - 18に | V |
Vcc | 供給電圧 | - 0.3から+18 | V |
Vboot | 浮動の供給電圧 | - 1から618 | V |
Vhvg | 上部のゲートの出力電圧 | - Vbootへの1 | V |
Vlvg | より低いゲートの出力電圧 | -0.3からVcc +0.3 | V |
VI | 論理の入力電圧 | -0.3からVcc +0.3 | V |
dVout/dt | 許可された出力スルー・レート | 50 | V/ns |
Ptot | 全体の電力損失(Tj = 85 °C) | 750 | MW |
Tj | 接合部温度 | 150 | °C |
TS | 保管温度 | -50から150 | °C |
注:ピン6、7および8のためのESDの免除は900V (人体モデル)まで保証される
ブロック ダイヤグラム
ピン接続
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
AZC002-02N.R7F | 2000年 | 驚かせること | 08+ | SOT-143 |
LM7372MR | 852 | NSC | 14+ | SOP-8 |
LM4040D25IDBZR | 5467 | チタニウム | 15+ | SOT-23 |
LM7372MRX | 719 | チタニウム | 14+ | SOP-8 |
LM4040C25IDBZR | 4765 | チタニウム | 15+ | SOT-23 |
LM2675MX-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | SOP-8 |
MPXV5010DP | 6169 | FREESCALE | 14+ | SMD |
LM7815CT | 8548 | NSC | 14+ | TO-220 |
MIC2026-1YM | 6358 | MICREL | 16+ | SOP |
MCP2515-I/ST | 5224 | マイクロチップ | 15+ | TSSOP |
AAT3236IGV-3.3-T1 | 15000 | 類推的 | 15+ | SOT23-5 |
NE5532P | 10000 | チタニウム | 16+ | すくい |
LM833N | 5074 | NSC | 15+ | DIP-16 |
LTC4242CG | 6415 | 線形 | 14+ | SSOP |
LT3580EMS8E#TRPBF | 3426 | 線形 | 10+ | MSOP |
MCP2120-I/SL | 5140 | マイクロチップ | 14+ | SOP |
MCP1416RT-E/OT | 4966 | マイクロチップ | 14+ | SOT-23 |
MAX1921EUT33+T | 7400 | 格言 | 10+ | SOT |
OPA2677U | 7220 | チタニウム | 16+ | SOP-8 |
LM393DR | 40000 | チタニウム | 15+ | SOP-8 |
BQ24702PWG4 | 5600 | チタニウム | 12+ | TSSOP24 |
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