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L6385Dの電子集積回路の集積回路の破片の高圧高低の側面の運転者

メーカー:
製造者
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
出力電圧:
-3 Vboot - 18ボルトに
供給電圧:
- 0.3から+18ボルト
浮動の供給電圧:
- 1から618ボルト
上部のゲートの出力電圧:
- Vboot Vへの1
許可された出力スルー・レート:
50 V/ns
接合部温度:
150℃
ハイライト:

chip in electronics

,

integrated components

導入

L6385

高圧高低の側面の運転者

  • 高圧柵600ボルトまで
  • dV/dtの免除+ -完全な温度較差の50 V/nsec
  • 運転者の現在の機能:
    • 400 mAの源、
    • 650 mAの流し
  • 切換えは1nF負荷との50/30 nsec RISE/FALLを時間を計る
  • ヒステリシスおよびおろのCMOS/TTL SCHMITTの制動機入力
  • 下の電圧はより低く、上部の運転セクションで締まる
  • 内部ブートストラップのダイオード
  • 入力との段階の出力

記述

L6385はBCDの"オフ・ラインの」技術と製造された高圧装置である。それに独立した参照されたNチャネル力MOSかIGBTを運転することを可能になる運転者の構造がある。上部の(浮遊)セクションは600Vまで電圧柵を使用するために可能になる。論理の入力は制御装置によってインターフェイスの容易さのために互換性があるCMOS/TTLである。

絶対最高評価

記号 変数 価値 単位
Vout 出力電圧 -3 Vboot - 18に V
Vcc 供給電圧 - 0.3から+18 V
Vboot 浮動の供給電圧 - 1から618 V
Vhvg 上部のゲートの出力電圧 - Vbootへの1 V
Vlvg より低いゲートの出力電圧 -0.3からVcc +0.3 V
VI 論理の入力電圧 -0.3からVcc +0.3 V
dVout/dt 許可された出力スルー・レート 50 V/ns
Ptot 全体の電力損失(Tj = 85 °C) 750 MW
Tj 接合部温度 150 °C
TS 保管温度 -50から150 °C

注:ピン6、7および8のためのESDの免除は900V (人体モデル)まで保証される

ブロック ダイヤグラム

ピン接続

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 Q'ty MFG D/C パッケージ
AZC002-02N.R7F 2000年 驚かせること 08+ SOT-143
LM7372MR 852 NSC 14+ SOP-8
LM4040D25IDBZR 5467 チタニウム 15+ SOT-23
LM7372MRX 719 チタニウム 14+ SOP-8
LM4040C25IDBZR 4765 チタニウム 15+ SOT-23
LM2675MX-ADJ 3000 NSC 14+ SOP-8
MPXV5010DP 6169 FREESCALE 14+ SMD
LM7815CT 8548 NSC 14+ TO-220
MIC2026-1YM 6358 MICREL 16+ SOP
MCP2515-I/ST 5224 マイクロチップ 15+ TSSOP
AAT3236IGV-3.3-T1 15000 類推的 15+ SOT23-5
NE5532P 10000 チタニウム 16+ すくい
LM833N 5074 NSC 15+ DIP-16
LTC4242CG 6415 線形 14+ SSOP
LT3580EMS8E#TRPBF 3426 線形 10+ MSOP
MCP2120-I/SL 5140 マイクロチップ 14+ SOP
MCP1416RT-E/OT 4966 マイクロチップ 14+ SOT-23
MAX1921EUT33+T 7400 格言 10+ SOT
OPA2677U 7220 チタニウム 16+ SOP-8
LM393DR 40000 チタニウム 15+ SOP-8
BQ24702PWG4 5600 チタニウム 12+ TSSOP24

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