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AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびP-CHANNELの強化モード力MOSFET

AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびP-CHANNELの強化モード力MOSFET
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
全体の電力損失:
2.0 W
線形軽減の要因:
0.016 With℃
保管温度の範囲:
-55から150 ℃
作動の接合部温度の範囲:
-55から150 ℃
接続点包囲された最高の熱抵抗:
62.5 ℃/W
下水管源の絶縁破壊電圧:
35ボルト
ハイライト:

small scale integrated circuits

,

integrated components

導入

NおよびP-CHANNELの強化モード力MOSFET

▼低いゲート充満

▼速い切り替え速度

▼PDIP-8パッケージ

N-CH BVDSS 35V

RDS () 25mΩ

ID 7A

P-CH BVDSS -35V

RDS () 40mΩ

ID -6.1A

記述

APECからの高度力のMOSFETsは速い切換え、高耐久化された装置設計、超低いオン抵抗および費用効果の最もよい組合せをデザイナーに与える。

絶対最高評価

記号 変数 評価 単位
N-channel P-channel
VDS 下水管源の電圧 35 -35 V
VGS ゲート源の電圧 ±20 ±20 V
ID@TA =25℃ 連続的な下水管の流れ3 7 -6.1
ID@TA =70℃ 連続的な下水管の流れ3 5.7 -5
IDM 脈打った下水管の流れ1 30 -30
PD@TA =25℃ 全体の電力損失 2.0 W
線形軽減の要因 0.016 With℃
TSTG 保管温度の範囲 -55から150
TJ 作動の接合部温度の範囲 -55から150

パッケージの輪郭:DIP-8

部分の示す情報及びパッキング:DIP-8

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 Q'ty MFG D/C パッケージ
LM331N 4666 NSC 15+ DIP-8
AD7780BRUZ 4662 広告 15+ TSSOP-16
LM385M3X-2.5 4656 NSC 14+ SOT-23
ADS1256IDBR 4650 チタニウム 14+ SSOP28
LTC1658CS8#PBF 4636 線形 13+ SOP
AD8643ACPZ 4631 広告 15+ LFCSP
ADS8361IDBQ 4625 チタニウム 14+ SSOP24
PIC16F1829-I/SS 4622 マイクロチップ 15+ SSOP
AMC1200BDWVR 4622 チタニウム 15+ SOP8
ATMEGA324PA-AU 4621 ATMEL 15+ QFP44
AD8221ARMZ 4611 広告 14+ MSOP-8
MIC29302WUTR 4604 MICREL 13+ TO-263
LM340T-5.0 4600 NSC 14+ TO-220
ADS1240E 4600 チタニウム 15+ SSOP24
LTC1605CSW 4582 線形 10+ SOP
MAX3241EUI+T 4580 格言 14+ TSSOP
AK4384VT-E2 4580 AKM 15+ TSSOP-16
CS5534-ASZ 4575 毛状突起 15+ SSOP20
MPX5700DP 4574 FREESCALE 15+ SIP
ADUM1402ARWZ 4572 広告 15+ SOP16
ATMEGA88PA-MMHR 4560 ATMEL 15+ QFN32

RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs