メッセージを送る
> 製品 > フラッシュ・メモリICの破片 > TPIC6595Nの集積回路の破片力の論理の8ビット シフト レジスタ

TPIC6595Nの集積回路の破片力の論理の8ビット シフト レジスタ

部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
論理の供給電圧、VCC (注意しない札に見なさい):
7ボルト
論理の入力電圧範囲、VI:
– 0.3ボルトから7ボルト
力DMOSの下水管に源の電圧、VDS (ノートを札は見てはいけない):
45ボルト
連続的な源下水管のダイオードの陽極流れ:
1 A
脈打った源下水管のダイオードの陽極流れ:
2 A
ハイライト:

chip in electronics

,

small scale integrated circuits

導入

力の論理の8ビット シフト レジスタ


低いrDSの()… 1.3 Ω

►典型的ななだれエネルギー… 75 mJ

►250 mAの8力DMOSのトランジスター出力

►連続的な流れ

►1.5-Aは每に現在脈打った

►45ボルトの出力出力クランプ電圧

►装置はCascadableである

►低い電力の消費

記述

TPIC6595は比較的高い負荷力を要求するシステムの使用のために設計されている単一、高圧、highcurrent力の8ビット シフト レジスタである。装置は誘導の一時的な保護のための出力の作り付けの電圧クランプを含んでいる。力の運転者の塗布はリレー、ソレノイドおよび他の媒体現在か高圧負荷を含んでいる。

この装置は8ビットを連続の、8ビットDタイプの記憶レジスタに与える平行シフト レジスタ含んでいる。転位記録の時計(SRCK)および記録の時計(RCK)の上昇端の転位そして記憶レジスタ両方を通るデータ転送それぞれ。shiftregisterが取り除くとき出力バッファへの記憶レジスタの移動データは(SRCLR)高い。SRCLRが低いとき、入力シフト レジスタは取り除かれる。出力が(G)を握られる高い可能にする時、出力バッファのすべてのデータは低く保持され、すべての下水管の出力は消えている。Gが低い保持されるとき、記憶レジスタからのデータは出力バッファに対して透明である。連続出力(SERの出口)はシフト レジスタからの付加的な装置へデータの滝のように落ちることを可能にする。

出力は45ボルトの出力評価の低側、オープン下水管DMOSのトランジスターおよび250 mA連続的な流しの現在の機能である。出力バッファのデータが低いとき、DMOSトランジスター出力は消えている。データが高いとき、DMOSトランジスター出力に流しの現在の機能がある

別の力および論理のレベルの地面ピンは最高のシステム自在性を促進するために提供される。ピン1、10、11、20は内部的に接続され、寄生インダクタンスを最小にするためにおよび各ピンはパワー系統の地面に外的に接続されなければならない。ピン19、論理と負荷回路間の混線を減らす20の力の地面(PGND)間の一点関係は、外的におよび論理の地面(LGND)、およびピン1、10、11、ある意味ではなされなければならない。

TPIC6595は– 40°Cに125°Cの作動の場合の温度較差上の操作のために特徴付けられる

入出力の設計図

RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20