IR2112普及した集積回路、トランジスターおよび集積回路の高低の側面の運転者
メーカー:
製造者
記述:
高側または低側のゲートの運転者IC非逆になる14-DIP
部門:
集積回路チップ
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
高い側面の浮動の供給電圧:
-0.3 /625 V
高い側面の浮動の供給のオフセット電圧:
VB - 25 /VB + 0.3ボルト
高い側面の浮動の出力電圧:
- 0.3 /VB対+ 0.3ボルト
低い側面の固定供給電圧-0.3 25:
-0.3/ 25ボルト
低い側面の出力電圧:
-0.3 VCCの+ 0.3ボルト
ハイライト:
small scale integrated circuits
,integrated components
導入
高低の側面の運転者
特徴
•ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
•+600Vに完全に機能した
•免疫がある否定的で一時的な電圧dV/dtに耐久性がある
•10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
•両方のチャネルのための不足電圧閉鎖
•3.3V論理の多用性がある別の論理の供給の範囲
3.3Vから20V論理および力の地面±5Vのオフセットへの
•CMOSはプルダウン式の入力をSchmitt誘発した
•周期のedge-triggered操業停止の論理による周期
•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
•入力との段階の出力
•また利用できる無鉛
記述
IR2112は高圧の、高速力MOSFETであり、独立した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者のcrossconductionのために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。伝搬遅延は高周波適用の使用を簡単にするために一致する。浮遊チャネルが600ボルトまで作動させる高い側面構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。
典型的な関係
推薦された作動条件
入出力論理のタイミング ダイアグラムは図1.で示されている。適切な処理のために装置は推薦された条件の内で使用されるべきである。対そしてVSS評価をテストされる15V差動で偏りのあるすべての供給と相殺しなさい。他のバイアス条件の典型的な評価は図36および37で示されている。
| 記号 | 定義 | Min. | 最高。 | 単位 |
| VB | 高い側面の浮動の供給の絶対電圧 | + 10対 | + 20対 | V |
| 対 | 高い側面の浮動の供給のオフセット電圧対 | ノート | 600 | |
| VHO | 高い側面の浮動の出力電圧 | 対 | VB | |
| VCC | 低い側面の固定供給電圧 | 10 | 20 | |
| VLO | 低い側面の出力電圧 | 0 | VCC | |
| VDD | 論理の供給電圧 | VSS + 3 | VSS + 20 | |
| VSS | VSSの論理の供給のオフセット電圧-5 （ノート2） 5 | -5 （ノート2） | 5 | |
| VIN | 論理の入力電圧（HIN、林及びSD） | VSS | VDD | |
| TA | 周囲温度 | -40 | 125 |
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