新しい及びオリジナルの集積回路の破片256K （32K Xの8）静的なRAM CY62256LL-70PXC
chip in electronics
,small scale integrated circuits
CY62256
256K （32K Xの8）静的なRAM
特徴
•高速
—55 ns
•温度較差
—コマーシャル:0°Cへの70°C
—産業:– 40°Cへの85°C
—自動車:– 40°Cへの125°C
•電圧範囲
—4.5V – 5.5V
•低いアクティブな電源および予備発電
•セリウムおよびOEの特徴との容易なメモリ拡張
•TTL互換性がある入出力
•選択解除された場合自動パワー
•最適速度/力のためのCMOS
•Pbなしおよび非Pbなしの標準的な28ピン狭いところSOICの28ピンTSOP-1で利用できる、
28ピン逆TSOP-1および28ピンすくいのパッケージ
機能の記述
CY62256は8ビットにつき32K単語として組織される高性能CMOSの静的なRAMである。容易なメモリ拡張は活動的で低い破片によって可能にする（セリウムを）提供され、活動的で低い出力は可能になる（OE）および三国から成った運転者。この装置は選択解除されたとき99.9%パワー消費量を減らす自動パワー特徴を備えている。
活動的な低速は書くために信号（私達）を制御する記憶の執筆/読込み操作を可能にする。セリウムおよび私達が入るとき低い両方ともの8つのデータ入出力ピン（I/O0によるI/O7）のデータ住所ピン（A0によるA14）で住所現在によって演説する記憶場所に書かれているある。装置を読むことは装置を選び、出力、セリウムおよびOEの活動的な低速を可能にすることによって私達は不活性または高く残るが、達成される。このような状況の下で、住所ピンの情報によって演説する位置の内容は8つのデータ入出力ピンにある。入出力ピンはhigh-impedance状態に破片が選ばれなければ、出力可能になり、書く可能になる（私達）高い残る。
論理のブロック ダイヤグラム
Pin構成
最高の評価
（上で損なわれる有用な生命がかもしれない。ユーザーの指針のため、テストされない。）
保管温度................................. – 65°Cへの+150°C
周囲温度との
+125°Cへの力応用............................................. – 55°C
潜在性をひく供給電圧
（Pin 28からPin 14） .............................................. – 0.5Vへの+7V
出力に適用されるDC電圧
VCCへの高Z状態.................................... – 0.5V + 0.5V
DC入力電圧を................................ – VCCへの0.5V + 0.5V
出力への出力電流（低く） .............................20 mA
静電気放電の電圧..........................................> 2001V
（MIL-STD-883の方法3015ごとに）
現在のLatch-up ....................................................> 200 mA
動作範囲
| 範囲 | 周囲温度（TA） | VCC |
| コマーシャル | 0°Cへの+70°C | 5V ± 10% |
| 産業 | – 40°Cへの+85°C | 5V ± 10% |
| 自動車 | – 40°Cへの+125°C | 5V ± 10% |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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