2 Mbit 256Kb X 8紫外線EPROMおよびOTP EPROMの集積回路の破片M27C2001-10F1
指定
包囲された実用温度(3):
– 40から125 °C
バイアスの下の温度:
– 50から125 °C
保管温度:
– 65から150 °C
入力または出力電圧(A9を除いて):
– 2から7ボルト
供給電圧:
– 2から7ボルト
ハイライト:
small scale integrated circuits
,integrated components
導入
2 Mbit (256Kb X 8)紫外線EPROMおよびOTP EPROM
■読込み操作の5V ± 10%の供給電圧
■アクセス時間:55ns
■低い電力の消費:
– 5MHzの活動的な現在30mA
–スタンバイの現在の100µA
■プログラミングの電圧:12.75V ± 0.25V
■プログラミングの時間:100µs/word
■電子署名
–製造業者コード:20h
–デバイス・コード:61h
記述
M27C2001は紫外線2つの範囲(紫外消去)およびOTP (プログラム可能な1回)で提供される高速2 Mbit EPROMである。それは大きいプログラムを要求するマイクロプロセッサ システムに理想的に適し、262,144として8ビットにつき組織される。FDIP32Wに(窓の陶磁器のフリット シールのパッケージ)およびLCCC32W (無鉛のチップ・キャリア パッケージ)にビット構成を消すためにユーザーが紫外線--に破片をさらすことを可能にする透明なふたがある。新しいパターンは装置にプログラミングのプロシージャに続くことによってそれから書くことができる。内容が1回ただプログラムされるおよび削除が要求されない適用のため、
M27C2001はPDIP32、PLCC32およびTSOP32 (8つx 20のmm)パッケージで提供される。
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
TA | 包囲された実用温度(3) | – 40から125 | °C |
TBIAS | バイアスの下の温度 | -50から125 | °C |
TSTG | 保管温度 | – 65から150 | °C |
VCC | 供給電圧 | – 2から7 | V |
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