光学集積回路の破片の高精度の二重演算増幅器TLC27L2C
small scale integrated circuits
,integrated components
光学集積回路の破片の高精度の二重演算増幅器
TLC27L2C PLincmoseの精密二重演算増幅器のESD保護回路部品
か。整えられたオフセットの電圧:25°C、VDDで最高TLC27L7… 500 µV = 5ボルトか。
入れられたオフセットの電圧漂流…。最初の30日を含む普通0.1 µV/Month、か。
広範囲指定温度較差上の供給電圧:0°Cへの70°C。3ボルトから16ボルト– 40°Cへの85°C。4ボルトから16ボルト– 55°Cへの125°C。4ボルトから16ボルトか。
単一供給操作か。
共通モード入れられた電圧範囲は否定的な柵の下で伸びる(C接尾辞、私接尾辞はタイプする)か。
25°C、VDDの超低い力の…普通95 µW = 5ボルトか。
出力電圧範囲は否定的な柵を含んでいるか。
高い入れられたインピーダンス… 1012のΩのタイプか。
ESD保護回路部品か。テープおよび巻き枠で利用できるまた小型輪郭のパッケージの選択か。Latch-Upの免除設計
記述
TLC27L2およびTLC27L7二重演算増幅器
低速と入力オフセット電圧等級の広い範囲を結合しなさい
相殺された電圧漂流、極端に低い高い入力インピーダンス
力および高利得。
これらの装置は慣習的な金属ゲート プロセスをずっと利用できる安定性を超過するオフセットの電圧安定性に与えるテキサス・インスツルメントのケイ素 ゲートのLinCMOSのの技術を使用する。
非常に高い入力インピーダンス、低いバイアス流れおよび低い電力の消費これらの費用効果が大きい装置を高利得、低頻度、低い電力の適用にとって理想的にさせるため。4つのオフセットの電圧等級は利用でき(C接尾辞および私接尾辞のタイプ)、高精度TLC27L7 (500 µV)まで低価格TLC27L2 (10 mV)から及ぶ。よい共通モード拒絶を伴うこれらの利点は、供給電圧の拒絶、これらの装置に新しい最新式の設計のためのよい選択をし、また現在の仕様を改善するために。
一般に、両極技術と関連付けられる多くの特徴は両極技術の力の罰なしでLinCMOSのの演算増幅器で利用できる。トランスデューサーのインターフェイス、アナログの計算、アンプのブロック、活動的なフィルターおよび信号の緩衝のような一般的な適用はTLC27L2およびTLC27L7と容易に設計されている。装置はまた理想的に遠隔および得難い電池式の適用に適するそれらを作る低電圧の単一供給操作および超低いパワー消費量を表わす。共通モード入力電圧範囲は否定的な柵を含んでいる。
包装の選択の広い範囲は高密度システム応用のために小型輪郭および破片キャリア版を含んで利用できる。
装置入出力は支えるlatch-upなしで– 100 mAサージ電流に抗するように設計されている。
TLC27L2およびTLC27L7は同様にMIL-STD-883Cの下でテストされる2000ボルトまで電圧で機能失敗を防ぐ内部ESD保護回路方法3015.2を組み込む;但し、心配はESDへの露出としてこれらの装置の処理で装置パラメーター付き性能の低下で起因するかもしれない運動するべきである。
C接尾辞装置は0°Cからの70°C.への操作のために特徴付けられる。私接尾辞装置は– 40°Cからの85°C.に操作のために特徴付けられる。M接尾辞装置は– 55°Cに125°C.の完全な軍の温度較差上の操作のために特徴付けられる。
同等の設計図(各アンプ)

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