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LF412CN ICの破片の低いオフセットは、低い漂流二重JFET演算増幅器を入れた

メーカー:
製造者
記述:
J-FETのアンプ2回路8-PDIP
部門:
集積回路チップ
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
供給電圧:
±18V
差動入れられた電圧:
±30V
入れられた電圧:
±15V
貯蔵の臨時雇用者。:
−65˚Cへの150˚C
鉛の臨時雇用者。(、10秒はんだ付けすること。):
260˚C
ESDの許容:
1700V
ハイライト:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

導入

LF412

低いオフセットは、低い漂流二重JFET演算増幅器を入れた

概説

これらの装置は安価、高速である、JFETは非常に低い入力オフセット電圧の演算増幅器を入れ、保証された入力は電圧漂流を相殺した。それらは現在の低い供給が大きい利益帯域幅プロダクトおよび速いスルー・レートを維持するようにまだ要求している。さらに、よく高圧JFETの入力装置に非常に低い入力バイアスおよびオフセット流れを提供するために一致させた。二重LF412はLM1558との互換性があるピンで止めることでありすぐに現在の仕様の全面的な性能を改善することをデザイナーを許可する。

これらのアンプは高速積分器、速いD/Aのコンバーター、のような適用で使用されるかもしれない低い入力を要求するサンプル及びホールド回路および他の多くの回路は電圧および漂流、低い入力バイアス現在、高い入力インピーダンス、高いスルー・レートおよび広い帯域幅相殺する。

特徴

• 内部的には整えられたオフセットの電圧:1 mV (最高)

•入れられたオフセットの電圧漂流:10 ΜV/˚C (最高)

•低い入力バイアス流れ:50 pA

•低い入力騒音の流れ:0.01pA/√Hz

•広い利益帯域幅:3つのMHz (分)

•高いスルー・レート:10V/µs (分)

•低い供給の流れ:1.8 mA/Amplifier

•高い入力インピーダンス:1012のΩ

•低い総高調波ひずみ≤0.02%

•低い1/f騒音のコーナー:50のHz

•0.01%への速い演算時間: 2つのµs

典型的な関係

発注情報

LF412XYZ

Xは電気等級を示す

Yは温度較差を示す

軍隊のための「M」

コマーシャルのための「C」

Zはパッケージのタイプを示す

「H」か「N」

接続図

簡単だった設計図

絶対最高評価(ノート2)

軍/宇宙航空指定装置が要求されたら、供給および指定のための国民の半導体の営業所のディストリビューターに連絡しなさい。(ノート11)

LF412A LF412
供給電圧 ±22V ±18V
差動入れられた電圧 ±38V ±30V
入れられた電圧範囲(ノート3) ±19V ±15V
出力短絡の持続期間(ノート4) 連続的 連続的
Hのパッケージ Nのパッケージ
電力損失(ノート12) (ノート5) 670 MW
最高Tj 150˚C 115˚C
θjA (典型的な) 152˚C/W 115˚C/W
作動の臨時雇用者。範囲 (ノート6) (ノート6)
貯蔵の臨時雇用者。 −65˚C≤TA≤150˚C −65˚C≤TA≤150˚C
鉛の臨時雇用者。(、10秒はんだ付けすること。) 260˚C 260˚C
ESDの許容(ノート13) 1700V 1700V

ノート2:「装置へのどの損傷が起こるかもしれないか絶対最高評価」はを越える限界を示す。作動の評価は装置が機能であるが示したり、特定のパフォーマンスの限界を保証しない条件を。

ノート3:他に特に規定がなければ絶対最高の否定的な入力電圧は否定的な電源電圧と等しい。

ノート4:アンプの出力のうちのどれかがindefintelyひくためにショートさせることができるが、複数は最高の接合部温度として超過する同時にショートするべきではない。

ノート5:高温の作動のために、これらの装置はθjAの熱抵抗に基づいて軽減されなければならない。

ノート6:これらの装置は商業温度較差0˚C≤TA≤70˚Cおよび軍の温度較差両方−55˚C≤TA≤125˚C.で利用できる。温度較差はパッケージの直前の位置によってタイプ インする装置番号を示される。商業温度較差および「M」が軍の温度較差を示すことを「C」は示す。軍の温度較差は「H」のパッケージだけで利用できる。いずれの場合も最高使用可能温度は最高内部接合部温度Tjによって限られる。

ノート7:他に特に規定がなければ、指定は完全な温度較差にそしてLF412AとLF412のVS=±15VのVS=±20Vに適用する。VOS、IBおよびIOSはVCM=0で測定される。

ノート8:LF412Aはこの指定にテストされる100%である。LF412はアンプの少なくとも85%がこの指定に合うことを保証するためにアンプの基礎ごとのaでテストされるサンプルである。

ノート9:入力バイアス流れは接合部温度のあらゆる10˚C増加のためにおよそ倍増する接続点の漏出流れ、Tjである。限られた生産テスト時間が原因で、測定される入力バイアス流れは接合部温度に関連する。正常運営では接合部温度は内部電力損失、PDの結果として周囲温度の上に上がる。θjAが接続点からの包囲されたへの熱抵抗であるところTj=TA+θjAPD。脱熱器の使用は入力バイアス流れが最低限におさえられるべきなら推薦される。

ノート10:供給電圧の除去率は一般的な方法に従って同時に増加するか、または減る両方の供給の大きさのために測定される。対=±6Vへの±15V。

ノート11:LF412MHおよびLF412MJの軍の指定のためのRETS412Xを参照しなさい。

ノート12:最高。電力損失はパッケージの特徴によって定義される。最高の近くの部分の作動。電力損失により部品は保証された限界の外で作動するかもしれない。

ノート13:人体モデル、100pFのシリーズの1.5kΩ。

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
MAX3485EESA 3572 格言 13+ SOP-8
MAX2606EUT 3580 格言 15+ SOT23-6
SN74HC4066N 3580 チタニウム 16+ DIP14
TL074CDR 3580 チタニウム 16+ SOP-14
BZX84-C16 3582 14+ SOT-23
IRF7492TRPBF 3600 IR 14+ SOP-8
SGW25N120 3600 14+ TO-3P
FDS8958B 3700 フェアチャイルド 16+ SOP-8
L7809 3700 ST 16+ TO-220
SP202ECT 3700 SIPEX 13+ SOP-16
ZTX614 3700 ZETEX 15+ TO-92
1N4744A 3710 ST 16+ DO-41
SN74HC273N 3710 チタニウム 16+ DIP-20
FQA19N60 3711 フェアチャイルド 14+ TO-247
TDA7056B 3711 フィリップス 14+ ジッパー
XR2206 3720 EXAR 14+ DIP16
CC2530F256RHAR 3750 チタニウム 16+ QFN40
DTDG14GP 3750 ROHM 16+ SOT89
RT9214PS 3750 RICHTEK 13+ SOP-8
SMAJ58A 3750 VISHAY 15+ SMA
NCP1653ADR2G 3754 16+ SOP-8
DPA6111 3771 IR 16+ DIP4
TLP281-1 3771 東芝 14+ SOP4
B1100-13-F 3772 ダイオード 14+ SMA
SN74LVC1G97DCKR 3772 チタニウム 14+ SC70-6
FQP19N20 3777 フェアチャイルド 16+ TO220
LTC4412 3778 線形 16+ SOT23-6
MAX4172EUA+T 3778 MAXIN 13+ MSOP8
TLP621-2GB 3778 東芝 15+ DIP8
MIC841LBC5 3780 MICREL 16+ SC70-5

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