LF412CN ICの破片の低いオフセットは、低い漂流二重JFET演算増幅器を入れた
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
LF412
低いオフセットは、低い漂流二重JFET演算増幅器を入れた
概説
これらの装置は安価、高速である、JFETは非常に低い入力オフセット電圧の演算増幅器を入れ、保証された入力は電圧漂流を相殺した。それらは現在の低い供給が大きい利益帯域幅プロダクトおよび速いスルー・レートを維持するようにまだ要求している。さらに、よく高圧JFETの入力装置に非常に低い入力バイアスおよびオフセット流れを提供するために一致させた。二重LF412はLM1558との互換性があるピンで止めることでありすぐに現在の仕様の全面的な性能を改善することをデザイナーを許可する。
これらのアンプは高速積分器、速いD/Aのコンバーター、のような適用で使用されるかもしれない低い入力を要求するサンプル及びホールド回路および他の多くの回路は電圧および漂流、低い入力バイアス現在、高い入力インピーダンス、高いスルー・レートおよび広い帯域幅相殺する。
特徴
• 内部的には整えられたオフセットの電圧:1 mV (最高)
•入れられたオフセットの電圧漂流:10 ΜV/˚C (最高)
•低い入力バイアス流れ:50 pA
•低い入力騒音の流れ:0.01pA/√Hz
•広い利益帯域幅:3つのMHz (分)
•高いスルー・レート:10V/µs (分)
•低い供給の流れ:1.8 mA/Amplifier
•高い入力インピーダンス:1012のΩ
•低い総高調波ひずみ≤0.02%
•低い1/f騒音のコーナー:50のHz
•0.01%への速い演算時間: 2つのµs
典型的な関係
発注情報
LF412XYZ
Xは電気等級を示す
Yは温度較差を示す
軍隊のための「M」
コマーシャルのための「C」
Zはパッケージのタイプを示す
「H」か「N」
接続図
簡単だった設計図
絶対最高評価(ノート2)
軍/宇宙航空指定装置が要求されたら、供給および指定のための国民の半導体の営業所のディストリビューターに連絡しなさい。(ノート11)
LF412A | LF412 | |
---|---|---|
供給電圧 | ±22V | ±18V |
差動入れられた電圧 | ±38V | ±30V |
入れられた電圧範囲(ノート3) | ±19V | ±15V |
出力短絡の持続期間(ノート4) | 連続的 | 連続的 |
Hのパッケージ | Nのパッケージ | |
電力損失(ノート12) | (ノート5) | 670 MW |
最高Tj | 150˚C | 115˚C |
θjA (典型的な) | 152˚C/W | 115˚C/W |
作動の臨時雇用者。範囲 | (ノート6) | (ノート6) |
貯蔵の臨時雇用者。 | −65˚C≤TA≤150˚C | −65˚C≤TA≤150˚C |
鉛の臨時雇用者。(、10秒はんだ付けすること。) | 260˚C | 260˚C |
ESDの許容(ノート13) | 1700V | 1700V |
ノート2:「装置へのどの損傷が起こるかもしれないか絶対最高評価」はを越える限界を示す。作動の評価は装置が機能であるが示したり、特定のパフォーマンスの限界を保証しない条件を。
ノート3:他に特に規定がなければ絶対最高の否定的な入力電圧は否定的な電源電圧と等しい。
ノート4:アンプの出力のうちのどれかがindefintelyひくためにショートさせることができるが、複数は最高の接合部温度として超過する同時にショートするべきではない。
ノート5:高温の作動のために、これらの装置はθjAの熱抵抗に基づいて軽減されなければならない。
ノート6:これらの装置は商業温度較差0˚C≤TA≤70˚Cおよび軍の温度較差両方−55˚C≤TA≤125˚C.で利用できる。温度較差はパッケージの直前の位置によってタイプ インする装置番号を示される。商業温度較差および「M」が軍の温度較差を示すことを「C」は示す。軍の温度較差は「H」のパッケージだけで利用できる。いずれの場合も最高使用可能温度は最高内部接合部温度Tjによって限られる。
ノート7:他に特に規定がなければ、指定は完全な温度較差にそしてLF412AとLF412のVS=±15VのVS=±20Vに適用する。VOS、IBおよびIOSはVCM=0で測定される。
ノート8:LF412Aはこの指定にテストされる100%である。LF412はアンプの少なくとも85%がこの指定に合うことを保証するためにアンプの基礎ごとのaでテストされるサンプルである。
ノート9:入力バイアス流れは接合部温度のあらゆる10˚C増加のためにおよそ倍増する接続点の漏出流れ、Tjである。限られた生産テスト時間が原因で、測定される入力バイアス流れは接合部温度に関連する。正常運営では接合部温度は内部電力損失、PDの結果として周囲温度の上に上がる。θjAが接続点からの包囲されたへの熱抵抗であるところTj=TA+θjAPD。脱熱器の使用は入力バイアス流れが最低限におさえられるべきなら推薦される。
ノート10:供給電圧の除去率は一般的な方法に従って同時に増加するか、または減る両方の供給の大きさのために測定される。対=±6Vへの±15V。
ノート11:LF412MHおよびLF412MJの軍の指定のためのRETS412Xを参照しなさい。
ノート12:最高。電力損失はパッケージの特徴によって定義される。最高の近くの部分の作動。電力損失により部品は保証された限界の外で作動するかもしれない。
ノート13:人体モデル、100pFのシリーズの1.5kΩ。
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
MAX3485EESA | 3572 | 格言 | 13+ | SOP-8 |
MAX2606EUT | 3580 | 格言 | 15+ | SOT23-6 |
SN74HC4066N | 3580 | チタニウム | 16+ | DIP14 |
TL074CDR | 3580 | チタニウム | 16+ | SOP-14 |
BZX84-C16 | 3582 | 14+ | SOT-23 | |
IRF7492TRPBF | 3600 | IR | 14+ | SOP-8 |
SGW25N120 | 3600 | 14+ | TO-3P | |
FDS8958B | 3700 | フェアチャイルド | 16+ | SOP-8 |
L7809 | 3700 | ST | 16+ | TO-220 |
SP202ECT | 3700 | SIPEX | 13+ | SOP-16 |
ZTX614 | 3700 | ZETEX | 15+ | TO-92 |
1N4744A | 3710 | ST | 16+ | DO-41 |
SN74HC273N | 3710 | チタニウム | 16+ | DIP-20 |
FQA19N60 | 3711 | フェアチャイルド | 14+ | TO-247 |
TDA7056B | 3711 | フィリップス | 14+ | ジッパー |
XR2206 | 3720 | EXAR | 14+ | DIP16 |
CC2530F256RHAR | 3750 | チタニウム | 16+ | QFN40 |
DTDG14GP | 3750 | ROHM | 16+ | SOT89 |
RT9214PS | 3750 | RICHTEK | 13+ | SOP-8 |
SMAJ58A | 3750 | VISHAY | 15+ | SMA |
NCP1653ADR2G | 3754 | 16+ | SOP-8 | |
DPA6111 | 3771 | IR | 16+ | DIP4 |
TLP281-1 | 3771 | 東芝 | 14+ | SOP4 |
B1100-13-F | 3772 | ダイオード | 14+ | SMA |
SN74LVC1G97DCKR | 3772 | チタニウム | 14+ | SC70-6 |
FQP19N20 | 3777 | フェアチャイルド | 16+ | TO220 |
LTC4412 | 3778 | 線形 | 16+ | SOT23-6 |
MAX4172EUA+T | 3778 | MAXIN | 13+ | MSOP8 |
TLP621-2GB | 3778 | 東芝 | 15+ | DIP8 |
MIC841LBC5 | 3780 | MICREL | 16+ | SC70-5 |

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Transceiver, Non-Inverting 1 Element 8 Bit per Element 3-State Output 20-SOIC
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DAC, Audio 24 b 192k SPI 10-TSSOP
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784Mbps Deserializer 5 Input 35 Output 64-TQFP (10x10)
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USB Bridge, USB to UART USB 2.0 UART Interface 64-LQFP (10x10)
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