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LF347N電子ICの破片はJFETを入れた演算増幅器を四つ揃えにする

メーカー:
製造者
記述:
J-FETのアンプ4回路14-PDIP
部門:
集積回路チップ
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
供給電圧:
±18V
差動入れられた電圧:
±30V
入れられた電圧:
±15V
電力損失:
1000 MW
保管温度:
−65˚Cへの150˚C
鉛の温度:
260˚C
ハイライト:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

導入

LF147/LF347広い帯域幅のクォードJFETは演算増幅器を入れた

概説

LF147は安価、高速クォードJFET入れた内部的に整えられた入力オフセットの電圧(BI-FET II™の技術)の演算増幅器をである。装置は低い供給の流れを要求したり今までのところでは大きい利益帯域幅プロダクトおよび速いスルー・レートを維持する。さらに、よく高圧JFETの入力装置に非常に低い入力バイアスおよびオフセット流れを提供するために一致させた。LF147は標準的なLM148と互換性があるピンである。この特徴はデザイナーがすぐに既存のLF148およびLM124設計の全面的な性能を改善することを可能にする。

LF147は低い入力オフセットの電圧を、低い入力バイアス現在要求する、高速積分器のような適用で、速いD/Aのコンバーター、sample-and-hold回路および他の多くの回路高い入力インピーダンス、高いスルー・レートおよび広い帯域幅使用されるかもしれない。装置は低雑音およびオフセット電圧漂流を備えている。

特徴

  • 内部的には整えられたオフセットの電圧:最高5 mV
  • 低い入力バイアス流れ:50 pA
  • 低い入力騒音の流れ:0.01pA/√HZ
  • 広い利益帯域幅:4つのMHz
  • 高いスルー・レート:13 V/µs
  • 低い供給の流れ:7.2 mA
  • 高い入力インピーダンス:1012のΩ
  • 低い総高調波ひずみAV =10、: <0>L=10k、VO =20 Vp-p、BW=20 Hz−20 kHz
  • 低い1/f騒音のコーナー:50のHz
  • 0.01%への速い演算時間: 2つのµs

絶対最高評価(ノート2)

軍/宇宙航空指定装置が要求されたら、供給および指定のための国民の半導体の営業所のディストリビューターに連絡しなさい。

LF147 LF347B/LF347
供給電圧 ±22V ±18V
差動入れられた電圧 ±38V ±30V
入れられた電圧範囲(ノート3) ±19V ±15V
出力短絡の持続期間(ノート4) 連続的 連続的
電力損失(ノート5、11) 900 MW 1000 MW
最高Tj 150˚C 150˚C
θjA 陶磁器のすくい(j)のパッケージ 70˚C/W
プラスチックすくい(n)のパッケージ 75˚C/W
表面の台紙の狭いところ(m) 100˚C/W
広い表面の台紙(WM) 85˚C/W
実用温度 (ノート6) (ノート6)
保管温度 −65˚C≤TA≤150˚C
鉛の温度(、10秒はんだ付けすること。) 260˚C 260˚C
はんだ付けする情報
Dual-In-Lineパッケージのはんだ付けすること(10秒) 260˚C

小さい輪郭のパッケージの蒸気段階(60秒)

赤外線(15秒)

215˚C

220˚C

ESDの許容(ノート12) 900V

ノート2:絶対最高評価は装置へのどの損傷が起こるかもしれないかを越える限界を示す。作動の評価は装置が機能であるが示したり、特定のパフォーマンスの限界を保証しない条件を。

ノート3:他に特に規定がなければ絶対最高の否定的な入力電圧は否定的な電源電圧と等しい。

ノート4:アンプの出力のうちのどれかが不明確にひくためにショートさせることができるが、複数は最高の接合部温度として超過する同時にショートするべきではない。

ノート5:高温の作動のために、これらの装置はθjAの熱抵抗に基づいて軽減されなければならない。

ノート6:LF147はLF347BおよびLF347は最高Tjに商業温度較差0˚C≤TA≤70˚C.の接合部温度で利用できる上がることができる=150˚C.が、軍の温度較差−55˚C≤TA≤125˚Cで利用できる。

ノート7:他に特に規定がなければ指定は完全な温度較差にそしてLF147とLF347B/LF347のVS=±15VのVS=±20Vに適用する。VOS、IBおよびIOSはVCM=0で測定される。

ノート8:入力バイアス流れは接合部温度のあらゆる10˚C増加のためにおよそ倍増する接続点の漏出流れ、Tjである。限られた生産テスト時間が原因で、測定される入力バイアス流れは接合部温度に関連する。正常運営では接合部温度は内部電力損失、PDの結果として周囲温度の上に上がる。θjAが接続点からの包囲されたへの熱抵抗であるところTj=TA+θjAPD。脱熱器の使用は入力バイアス流れが最低限におさえられるべきなら推薦される。

ノート9:供給電圧の除去率はLF347そしてLF347Bのために一般的な方法に従って対から=±5Vに±15VおよびLF147のために対から=±20Vに±5V同時に増加するか、または減る両方の供給の大きさのために測定される。

ノート10:LF147DおよびLF147Jの軍の指定のためのRETS147Xを参照しなさい。

ノート11:最高。電力損失はパッケージの特徴によって定義される。最高の近くの部分の作動。電力損失により部品は保証された限界の外で作動するかもしれない。

ノート12:人体モデル、100pFのシリーズの1.5kΩ。

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
LM211P 13049 チタニウム 11+ TSSOP-8
LM224DR 67000 チタニウム 16+ SOP-14
LM22676MRE-5.0 8568 チタニウム 15+ SOP-8
LM22676MRX-5.0 8639 チタニウム 15+ PSOP8
LM22676MRX-ADJ 1691 チタニウム 16+ SOP-8
LM22676TJE-ADJ 6794 チタニウム 13+ TO-263
LM22777TJ-ADJ 5048 NS 16+ TO-263
LM239APT 4458 ST 13+ TSSOP-14
LM25011MY/NOPB 3243 チタニウム 16+ MSOP-10
LM25037MTX 4474 チタニウム 09+ TSSOP-16
LM25119PSQ/NOPB 1820 チタニウム 15+ WQFN-32
LM25575MHX 3711 チタニウム 12+ TSSOP-16
LM25576MHX 5141 チタニウム 14+ TSSOP-20
LM2575D2T-3.3R4G 18153 11+ TO-263
LM2575HVT-5.0 13120 NS 15+ TO-220
LM2575SX-5.0 22261 NS 16+ TO-263
LM2576-5.0WU 4267 MICREL 14+ TO-263
LM2576D2TR4-5G 5273 14+ TO-263
LM2576HVSX-ADJ 6468 チタニウム 15+ TO-263
LM2576HVT-ADJ 21640 NS 16+ TO-220
LM2576SX-1.2 18871 NSC 13+ TO263-5
LM2577T-ADJ 4542 NS 12+ TO-220-5
LM2586SX-ADJ 2498 NS 07+ TO-263-7
LM2588T-5.0 3655 チタニウム 15+ TO-220-7
LM258DR 69000 チタニウム 16+ SOP-8
LM258DT 70000 ST 13+ SOP-8
LM2594HVM-5.0 3314 NS 13+ SOP-8
LM2596HVT-ADJ 21711 NS 14+ TO-220
LM2622MM-ADJ 2888 NSC 08+ MSOP-8
LM2651MTCX-ADJ 8710 NS 04+ TSSOP

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