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IR21091S電子ICはデジタル集積回路の運転者ICを欠く

メーカー:
製造者
記述:
ICのゲートDRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
部門:
力管理IC
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
絶対電圧を浮かべる高い側面:
-0.3から625ボルト
正当なオフセットの供給電圧のトランジェント:
50 V/ns
接合部温度:
150°C
保管温度:
-50 150°Cに
鉛の温度の(はんだ付けする、10秒):
300°C
周囲温度:
-40から125 °C
ハイライト:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

導入

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
LM2662MX 5344 チタニウム 16+ SOP-8
LM2663M 6856 NS 16+ SOP-8
LM2675MX-5.0 5274 チタニウム 16+ SOP-8
LM2675MX-ADJ 5415 チタニウム 15+ SOP-8
LM2734YMK 12799 チタニウム 16+ SOT23-6
LM2767M5X 6927 NSC 16+ SOT23-5
LM2825N-ADJ 1525 NSC 06+ DIP-24
LM2842YMK-ADJL 4655 チタニウム 16+ SOT23-6
LM285MX-1.2 5929 NS 16+ SOP-8
LM2901DR2G 104000 13+ SOP
LM2902DR2G 77000 15+ SOP
LM2903DR2G 107000 15+ SOP
LM2903IMX 13191 FSC 11+ SOP-8
LM2904DR2G 82000 16+ SOP-8
LM2904MX 11700 NS 15+ SOP-8
LM2904P 20000 チタニウム 16+ TSSOP-8
LM2904QPWRQ1 6065 チタニウム 14+ TSSOP-8
LM2907N-8 8781 NS 97+ DIP-8
LM2917N-8 6580 NS 13+ DIP-8
LM2931AD-5.0R2G 19723 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 14829 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 10000 15+ SOP-8
LM2936MPX-3.3 9351 チタニウム 14+ SOT-223
LM2936Z-5.0 3406 NS 05+ TO-92
LM2937ESX-3.3 9135 NSC 07+ TO-263
LM2937IMPX-3.3 1862 チタニウム 16+ SOT-223
LM2940CSX-5.0 8095 NS 14+ TO-263
LM2940S-5.0 10367 NS 16+ TO-263
LM2940SX-5.0 8852 NS 15+ TO-263
LM2941CT 5900 NS 00+ TO-220

IR21091及び(PbF)

HALF-BRIDGEの運転者

特徴

•免疫がある否定的で一時的な電圧dV/dtに耐久性がある+600Vに完全に機能したブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル

•10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲

•両方のチャネルのための不足電圧閉鎖

•互換性がある3.3V、5Vおよび15V入力論理

•交差伝導の防止の論理

•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延

•入力のとの段階の高い側面の出力

•論理および力の地面+/- 5Vオフセット。

•1つの外的なRDTの抵抗器を搭載する5usまで内部500ns死時間およびプログラム可能

•よりよいノイズ耐性のためのより低いdi/dtのゲートの運転者

•二重機能DT/SDピン入力は両方のチャネルを消す。

•無鉛で利用できる

記述

IR21091は高圧の、高速力MOSFETであり、依存した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。

論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者のcrossconductionのために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。浮遊チャネルが600ボルトまで作動させる高い側面構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。

プロダクト概要

VOFFSET 最高600V。

IO +/- 120 mA/250 mA

VOUT 10 - 20V

トン/(タイプ。) 680及び170 ns

不感時間 500 ns

(5uSまでプログラム可能)

絶対最高評価

絶対最高評価は装置へのどの損傷が起こるかもしれないかを越える支えられた限界を示す。すべての電圧変数はCOMに参照される絶対電圧である。熱抵抗および電力損失の評価は取付けられる板およびまだ空気状態の下で測定される。

記号 定義 最高 単位
VB 絶対電圧を浮かべる高い側面 -0.3 625 V
高い側面の浮動の供給のオフセット電圧 VB - 25 VB + 0.3
VHO 高い側面の浮動の出力電圧 - 0.3対 VB + 0.3
VCC 低い側面および論理の固定供給電圧 -0.3 25
VLO 低い側面の出力電圧 -0.3 VCC + 0.3
DT/SD プログラム可能な死時間および操業停止ピン電圧 VSS - 0.3 VCC + 0.3
VIN 論理の入力電圧 VSS - 0.3 VCC + 0.3
dVS/dt 正当なオフセットの供給電圧のトランジェント - 50 V/ns
PD パッケージの電力損失@ TAの≤ +25°C (8鉛PDIP) - 1.0 W
(8鉛SOIC) - 0.625
RthJA 熱抵抗、包囲されたへの接続点 (8鉛PDIP) - 125 °C/W
(8鉛SOIC) - 200
TJ 接合部温度 - 150 °C
TS 保管温度 -50 150
TL 鉛の温度の(はんだ付けする、10秒) - 300

パッケージ

典型的な関係

RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs