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SN74HC04N電子ICは統合された部品の六角形のインバーターを欠く

メーカー:
製造者
記述:
インバーターIC 6チャネル14-PDIP
部門:
集積回路チップ
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
供給電圧:
+7.0ボルトへの−0.5
入力ダイオード流れ:
±20 mA
出力ダイオード流れ:
±20 mA
出力源か流しの流れ:
±25 mA
現在のVccまたはGND:
±50 mA
保管温度:
+150 °Cへの−65
ハイライト:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

導入

74HC04;74HCT04

六角形のインバーター

特徴

•JEDEC標準的なNO 8-1Aに従う

•ESDの保護:HBM EIA/JESD22-A114-Aは2000ボルトMM EIA/JESD22-A115-Aを超過する200 V.を超過する。

•−40から+85 °Cおよび−40 +125 °C.にに指定される。

記述

74HC/HCT04は高速SiゲートCMOS装置で、低い電力ショットキーTTL (LSTTL)と互換性があるピンである。彼らはJEDEC標準的なNO 7Aに従って指定される。74HC/HCT04は6つの逆になる緩衝を提供する。

即時参考データ

GND = 0ボルト;Tamb = 25 °C;tr = tfの≤ 6.0 ns。

記号 変数 条件 典型的 単位
HC04 HCT04
tPHL/tPLH nYへの伝搬遅延nA CL = 15 pF;VCCの= 5ボルト 7 8 ns
CI 入力キャパシタンス 3.5 3.5 pF
CPD ゲートごとの電力損失キャパシタンス ノート1および2 21 24 pF

ノート

1. CPDが動的電力損失(µWのPD)を定めるのに使用されている。

PD = CPDの× VCC 2つの× fiの× N + Σ (CLの× VCCの2 × fo):

MHzのfi =入力頻度;

MHzのfo =出力頻度;

pFのCL =出力負荷キャパシタンス;

VCC =ボルトの供給電圧;

N =総負荷転換の出力;

Σ (CLの× VCCの2 × fo) =出力の合計。

2. 74HC04のため:条件はVCCへVI = GNDである。

74HCT04のため:条件はVCC − 1.5 V.へVI = GNDである。

Fig.1 Pin構成DIP14、SO14および(T) SSOP14。

Fig.2 Pin構成DHVQFN14。 Fig.3論理記号。

Fig.4 IECの論理記号。 Fig.5ロジック・ダイヤグラム(1つのインバーター)。

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