元のRT9173PS電子ICはピーク3Aバス終了の調整装置を欠く
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
HCPL-7840 | 4322 | AVAGO | 16+ | DIPSOP |
LT1785IN8 | 4314 | LT | 16+ | DIP-8 |
OPA541AP | 4306 | BB | 13+ | SIP-11 |
AD574AJN | 4298 | 広告 | 15+ | すくい |
MSP430F1121AIDWR | 4290 | チタニウム | 16+ | SOP20 |
SN74CBT3245ADWR | 4282 | チタニウム | 16+ | SOP-20 |
ADG444 | 4274 | 広告 | 14+ | SOP16 |
CM0565 | 4266 | FSC | 14+ | TO-220 |
BA6208 | 4258 | UTC | 14+ | SOP-8 |
TPS74801RGWR | 4250 | チタニウム | 16+ | QFN |
2SC503 | 4242 | FC | 16+ | TO-3P |
AM29F040B-90PI | 4234 | AMD | 13+ | すくい |
BU508AF | 4226 | ST | 15+ | TO-3P |
FM25V02-GTR | 4218 | RAMTRON | 16+ | SOP8 |
ICE3BR1065JF | 4210 | 16+ | TO-220 | |
IRFP064N | 4202 | IR | 14+ | TO-247 |
L4977A | 4194 | ST | 14+ | ZIP15 |
MC908AP32CFBE | 4186 | FREESCAL | 14+ | QFP |
P89C668HBA | 4178 | 16+ | PLCC | |
CXA-L10A | 4170 | TDK | 16+ | |
PC928 | 4162 | シャープ | 13+ | DIP-14 |
PT8300 | 4154 | PTC | 15+ | SOP28 |
IR21531 | 4146 | IR | 16+ | SOP8 |
IRF6215S | 4138 | IR | 16+ | TO-263 |
LT1072CN8 | 4130 | LT | 14+ | DIP-8 |
MC3358P1 | 4122 | 14+ | DIP-8 | |
SN75ALS1178NSR | 4114 | チタニウム | 14+ | SOP-16 |
XC6SLX25-2FGG484I | 4106 | XILINX | 16+ | BGA |
SGW25N120 | 4098 | 16+ | TO-247 | |
CM200DY-24NF | 4090 | MTSUBISH | 13+ | IGBT |
RT9173/A
ピーク3Aバス終了の調整装置
概説
RT9173/Aの調整装置は1.6V及ぶ2つの外的な分圧回路の抵抗器によって調節した望ましい出力電圧に電圧供給をから6Vに変えるように設計されている。調整装置は2% (DDR 1)およびの内のに出力電圧を3% (DDR 2)調整している間またはより少なくピーク電流の3Aまで調達か沈むことができる。
シリーズ終了の抵抗器と共に使用されるRT9173/Aは高速記憶装置バスおよび分散バックプレーンの設計で見られるそれらとして高速送電線の活動的な終了の機構に優秀な電圧源を提供する。調整装置の電圧出力はDDR SDRAMのために終了の電圧として使用することができる。
調達および沈降モード両方の現在の限界は、プラスのonchipの熱操業停止回路を出力障害状況に対して耐久性があるようにする。
特徴
- サポートDDR 1 (1.25VTT)およびDDR両方2の(0.9VTT)条件
- SOP-8、TO-252-5およびTO-263-5パッケージ
- 調達および沈降3Aピーク電流が可能
- 保護の現在制限
- 断熱システム
- 統合された力のMOSFETs
- SSTL-2のための終了の電圧を発生させる
- 満載の高精度な出力電圧
- 外的な抵抗器による調節可能なVOUT
- 最低の外的な部品
- スタンバイのための操業停止またはHigh-impedance出力とのモード操作を中断するため
- 迎合的なRoHSおよびなしの100%の鉛(Pb)
適用
- DDRの記憶終了
- 活動的な終了バス
- 供給のディバイダー
絶対最高評価
入れられた電圧-----------------------------------------------------------------------------------------------------7V
電力損失-----------------------------------------------------------------------------内部的に限られた
ESDの評価------------------------------------------------------------------------------------------------------2kV
保管温度の範囲-----------------------------------------------------------------−65°Cへの150°C
鉛の温度(、10秒はんだ付けすること。)-----------------------------------------------------------------260°C
電力損失、PD @ TA = 25°C
TO-263-5--------------------------------------------------------------------------------------------------1.923W
TO-252-5---------------------------------------------------------------------------------------------------1.471W
SOP-8-----------------------------------------------------------------------------------------------------0.625W
パッケージの熱抵抗(ノート1)
TO-263-5のθJC-------------------------------------------------------------------------------------------7.7°C/W
TO-252-5のθJC---------------------------------------------------------------------------------------------8°C/W
SOP-8のθJC---------------------------------------------------------------------------------------------23.2°C /W
TO-263-5のθJA---------------------------------------------------------------------------------------------52°C/W
TO-252-5のθJA---------------------------------------------------------------------------------------------68°C/W
SOP-8のθJA------------------------------------------------------------------------------------------------160°C/W
ノート1.のθJAは自然な対流でのTA = JEDEC 51-3の熱測定の標準の低く有効な熱伝導性のテスト ボード(単一の層、1S)の25°C測定される。θJCの場合ポイントはVCTRLピン(TO-252-5のための脱熱器(タブ)の中心のにのSOP-8パッケージ、中心およびTO-263-5パッケージのための鉛6及び7)ある。
Pin構成
典型的な適用回路
機能ブロック ダイヤグラム

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イメージ | 部分# | 記述 | |
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1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-SOIC
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非1つの要素8ビットを逆にする74HCT245D集積回路の破片のトランシーバー |
Transceiver, Non-Inverting 1 Element 8 Bit per Element 3-State Output 20-SOIC
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IC TELECOM INTERFACE 18SOIC
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USB Bridge, USB to UART USB 2.0 UART Interface 64-LQFP (10x10)
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