メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > FGH40N60SMD Mosfet力モジュールst力mosfet IGBT力モジュール

FGH40N60SMD Mosfet力モジュールst力mosfet IGBT力モジュール

メーカー:
ON 半触媒 半触媒
記述:
穴TO-247-3を通したIGBTの視野絞り600 V 80 A 349 W
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
エミッターの電圧へのコレクター:
600ボルト
エミッターの電圧へのゲート:
± 20 V
脈打ったコレクター流れ:
120 A
脈打ったダイオードの最高前方流れ:
120 A
作動の接合部温度:
-55 +175℃に
保管温度:
-55 +175℃に
ハイライト:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

導入

FGH40N60SMDF

600Vの40A視野絞りIGBT

特徴

•最高の接合部温度:TJ =175℃

•容易な平行操作のためのTemperaure肯定的な係数

•高い現在の機能

•低い飽和電圧:VCE (坐った) =1.9V (タイプ。) @ IC = 40A

•高い入力インピーダンス

•速い切換え

•変数配分をきつく締めなさい

•迎合的なRoHS

適用

•太陽インバーター、UPS、SMPS、PFC

•誘導加熱

概説

新しい視野絞りIGBTの技術を使用して、フェアチャイルドの視野絞りIGBTsの新シリーズは低い伝導および転換の損失が必要である太陽インバーター、UPS、SMPS、IHおよびPFCの塗布のための最適性能を提供する。

絶対最高評価

記号 記述 評価 単位
VCES エミッターの電圧へのコレクター 600 V
VGES エミッターの電圧へのゲート ± 20 V
IC コレクター流れ@ TC = 25℃ 80
コレクター流れ@ TC = 100℃ 40
ICM (1) 脈打ったコレクター流れ 120
ダイオードの前方流れ@ TC = 25℃ 40
ダイオードの前方流れ@ TC = 100℃ 20
IFM (1) 脈打ったダイオードの最高前方流れ 120
PD 最高の電力損失@ TC = 25℃ 349 W
最高の電力損失@ TC = 100℃ 174 W
TJ 作動の接合部温度 -55から+175
Tstg 保管温度の範囲 -55から+175
TL

最高の鉛の臨時雇用者。はんだ付けする目的のため、

5秒の言い分からの1/8"

300

注:1:反復的な評価:最高によって限られる脈拍幅。接合部温度。

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
EL817B-F 12000 EL 16+ すくい
EL817C-F 12000 EVERLIGHT 16+ すくい
EL817S (A) (TA) - F 68000 EVERLIGHT 12+ SOP-4
EM639165TS-6G 7930 ETRONTECH 15+ TSOP-54
EM63A165TS-6G 13467 ETRONTECH 14+ TSOP-54
EM78P459AKJ-G 9386 EMC 15+ DIP-24
EMI2121MTTAG 5294 15+ DFN
ENC28J60-I/SO 7461 マイクロチップ 16+ SOP-28
EP1C3T144C8N 3452 ALTERA 13+ QFP144
EP3C5F256C8N 2848 ALTERA 15+ BGA
EP3C80F780I7N 283 ALTERA 16+ BGA
EP9132 3575 探検しなさい 16+ TQFP-80
EPC1213LC-20 3527 ALT 03+ PLCC20
EPC1213PC8 8853 ALTERA 95+ DIP-8
EPC2LI20N 2794 ALTERA 13+ PLCC
EPM7032SLC44-10N 2472 ALTERA 13+ PLCC44
EPM7064SLC44-10N 2498 ATLERA 15+ PLCC
EPM7128SQC100-10N 1714 ALTERA 12+ QFP
ERA-1SM+ 3210 小型 15+ SOT-86
ES1B-E3/61T 18000 VISHAY 14+ DO-214AC
ES2G-E3/52T 12000 VISHAY 16+ SMB
ES2J-E3/52T 12000 VISHAY 13+ DO-214AA
ES3J 12000 FSC 15+ SMC
ES56031S 3498 ES 16+ SOP-24
ESAD92-02 6268 FUIJ 16+ TO-3P
ESD112-B1-02EL E6327 23000 15+ TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G 9000 13+ SOD-523
ESD5Z7.0T1G 12000 16+ SOD-523
ESDA6V1SC5 51000 ST 15+ SOT23-5
ESP-12E 3991 AI 16+ SMT

関連製品
イメージ 部分# 記述
MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zenerの電圧安定器

MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zenerの電圧安定器

Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorbの一時的な電圧サプレッサー

SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorbの一時的な電圧サプレッサー

Clamp Ipp Tvs Diode
BZX84C12LT1G Zenerの電圧安定器のダイオード225mW SOT−23の表面の台紙

BZX84C12LT1G Zenerの電圧安定器のダイオード225mW SOT−23の表面の台紙

Zener Diode 12 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MUR1620CTGスイッチ モード16A超高速力の整流器100−600V

MUR1620CTGスイッチ モード16A超高速力の整流器100−600V

Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 8A Through Hole TO-220-3
NJW0281G 50W両極NPN PNPのトランジスターTO-3P

NJW0281G 50W両極NPN PNPのトランジスターTO-3P

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
MOCD213M 2500Vrms SOIC8のデュアル・チャネル フォトトランジスター

MOCD213M 2500Vrms SOIC8のデュアル・チャネル フォトトランジスター

Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 2 Channel 8-SOIC
MJE340Gの中型力0.5A 300V 20W NPNのケイ素のトランジスター

MJE340Gの中型力0.5A 300V 20W NPNのケイ素のトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
MURS260T3G力管理IC表面の台紙超高速力の整流器

MURS260T3G力管理IC表面の台紙超高速力の整流器

Diode 600 V 2A Surface Mount SMB
グラウンド ループの除去のためのHCPL0600R2 10bpsコンピュータIC破片の論理回路オプトカプラー

グラウンド ループの除去のためのHCPL0600R2 10bpsコンピュータIC破片の論理回路オプトカプラー

Logic Output Optoisolator 10Mbps Open Collector 3750Vrms 1 Channel 5kV/µs CMTI 8-SOIC
200mW 18V SOD−323 Zenerの電圧安定器のダイオードMM3Z18VT1G

200mW 18V SOD−323 Zenerの電圧安定器のダイオードMM3Z18VT1G

Zener Diode 18 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs