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0878321420のMosfet力モジュールの電子工学ICはIntegarted Circutsを欠く

メーカー:
製造者
記述:
コネクター ヘッダーの表面の台紙14の位置0.079" (2.00mm)
部門:
IGBTパワーモジュール
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
温度較差:
55°Cへの+125°C
支払の言葉:
T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
電圧:
125V
現在:
2A
パッケージ:
すくい
工場パッケージ:
ハイライト:

low voltage power mosfet

,

hybrid inverter circuit

導入
87832-1420 Mosfet力モジュールの電子工学ICはIntegarted Circutsを欠く

物品目録部分

帽子0603 150PF 50V CL10C151JB8NNNC 800000 サムスン AC7502D
帽子0603 180PF 50V CL10B181KB8NNNC 800000 サムスン AA20SEE
RES 0805 5K9 1% RC0805FR-075K9L 500000 YAGEO 1606
RES 0805 20K5 1% RC0805FR-0720K5 500000 YAGEO 1606
C.I LNK623PG 10000 1407
C.I STM32F030K6T6 10000 ST 1549
DIODO ES1J-E3/61T 180000 VISHAY 1642/EJ
帽子0603 10PF 50V NPO 5% CL10C100JB8NNNC 400000 サムスン CCBET1P
DIODO 1N5822の弾薬 1000000 MIC 307260623445
TRANS BF422 2000年 TOS 5F
DIODO 1.5KE7.5CA-E3/4 5000 VISHAY 16+
CONECTOR S3B-PH-SM4-TB (LF) (SN) 3200 JST 15+
CONEC.
BM06B-SRSS-TB (LF) (SN)
3000 JST 15+
CONECTOR S4B-PH-SM4-TB (LF) (SN) 9200 JST 2015.11
C.I A2982SLWTR-T 3100 アレグロ 1642
OPTOACOPLADOR CNY74-4H 1000 VISHAY V413H68
DIODO S1G-E3/61T 18000 VISHAY 1632/SG
CI ADS7866IDBVR 2500 チタニウム A66Y
CI MSP430F417IPMR 2500 チタニウム 69A2P1W
C.I MC14584BDR2G 3000 PAC928
C.I PIC12F508-I/SN 1000 マイクロチップ 1624KC6
C.I LM1117IMPX-3.3/NOPB 2000年 チタニウム 4ARD/N05B

特徴

代理店の証明CSA LR19980 UL E29179

概要の製品グループPCBヘッダー シリーズ87832

適用ワイヤーに板コメントによっては自動車産業の適用のためのMolexが接触する

MolexKitsの肯定の概観のmilligridの製品名Milli-Grid™

物理的な分離は(荷を積まれる) 14回路(最高の) 14色を巡回しない

- 樹脂の黒い一等航海士/最後の壊れ目迎合的な燃焼性94V-0白熱ワイヤー無し

合う部分に合う部分の肯定ロックにはい調整する合う部品番号へのガイド無し

材料-金属の蛍光体青銅材料-めっきの合う金材料

- 終了の錫材料-樹脂のはい2オリエンテーション縦PCBのロケータPCBの保持ナイロン列番号めっきするどれも包装タイプ管ピッチ-を合うインターフェイス(で)ピッチ-合うインターフェイス(mm) 2.00 mmピッチ-の0.079言葉。()ピッチ-言葉の0.079をインターフェイスさせなさい。インターフェイス(mm) 2.00 mmのめっき分:合う(µin) 15めっき分:(µm) 0.38のめっき分を合わせること:終了(µin)の75めっき分:終了(µm) 1.88

温度較差- +105°Cへの作動-55°C

終了インターフェイス:様式の表面の台紙の電流

- 接触2Aの電圧-最高125Vごとの最高

最高のはんだプロセス データ持続期間。

プロセス温度(無鉛秒) 10

工程能力の退潮の可能な(SMTだけ)最高。最高の周期。

最高プロセス温度1プロセス温度。C 260

素材に関する情報の参照-図面番号の製品仕様書

SD-87832-006を引くPS-87831-027販売

RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
3000pcs