STK621 -形成される033 N.E. Mosfet力モジュール雑種インバーター回路SIPの完全
thyristor diode module
,hybrid inverter circuit
STK621-220A Mosfet力モジュール形成される雑種インバーター回路SIPの完全
STK621-220Aインバーター力の雑種モジュール
SIPの完全な形成されたパッケージ
概観
このICは力の要素（IGBTおよびFRD）、前運転者、過電流および余分な温度の保護回路を含んでいる3-phaseインバーター力雑種ICである。
適用
•3-phaseインバーター モーター ドライブ
特徴
•力の要素（IGBTおよびFRD）、前運転者および保護回線を統合する。
•過電流（バス路線）、余分な温度および前ドライブ低電圧の保護を含む保護回線は造られる。
•絶縁回路（photocoupler、等）のないCMOSのレベル コントロール信号の直接入力は可能である。
•単一の電源ドライブは作り付けICのブートストラップ回路の使用によって可能である
•温度のモニターはICの中のサーミスターによって可能である
•上部および下の側面のトランジスターのための入力の同時によってショートする腕を防ぐ防止回路の作り付けの同時上下。（不感時間は転換の遅れによるショートを防ぐために要求される。）
•移動完全な型の構造のSIP （単一インライン パッケージ）。
指定の絶対的存在
最高の評価のTc = 25°C
| 変数 | 記号 | 条件 | 評価 | 単位 |
| 供給電圧 | Vcc | + - −、サージ < 500V=""> | 450 | V |
| Collector-emitter電圧 | Vce | + - U （V、W）またはU （VのW） | 600 | V |
| 出力電流 | Io | +、−、U、VのWターミナル流れ | ±30 | |
| 出力ピーク電流 | LOP | +、−、U、Vの現在のWターミナルPW = 100μs | ±45 | |
| 前運転者の供給電圧 | VD1,2,3,4 | VB1 -U、VB2 - V、VB3 - W、VDD - VSS | 20 | V |
| 入力信号の電圧 | Vin | HIN1、2、3、LIN1、2の3ターミナル | 0から7 | V |
| 欠陥の末端の電圧 | VFAULT | 欠陥ターミナル | 20 | V |
| 最高の損失 | Pd | 1つのチャネルごと | 49 | W |
| 接合部温度 | Tj | IGBTのFRDの接合部温度 | 150 | °C |
| 保管温度 | Tstg | -40から+125 | °C | |
| 実用温度 | Tc | H-ICの場合温度 | -20から+100 | °C |
| トルクをきつく締めること | 使用M4タイプねじのねじ部品 | 1.17 | N-m | |
| 抵抗電圧 | 気力 | 50Hz正弦波AC 1分 | 2000年 | VRMs |
指示のない場合では、電圧標準は-末端= VSSの末端の電圧である。間のワイヤーで縛るインダクタンスによる転換操作によって発達する*1サージ電圧+および–ターミナル。*2 VB1-U、VD2 = VB2-V、VD3 = VB3-W、VB4 = VDD-VSSの末端の電圧間のVD1 =。脱熱器の*3平坦は0.25mmより低いべきである。*4はテスト条件二番目にAC 2500V、1である。
ノート
1. 電圧の入力は出力段階IGBTをつけるために価値を示す。電圧を離れた入力は出力段階IGBTを消すために価値を示す。出力の時、セット入力信号の電圧0VへのVIH （MAX）。出力の時、セット5Vへの入力信号の電圧VIL （分）。
2. 内部保護回路が作動したりとき、欠陥信号がにある（欠陥ターミナルが低レベルのとき、欠陥信号は国家にある:出力形式は開いた下水管であるが、）欠陥信号は掛け金を降ろさない。保護操作の端の後で、それは80msおよび概要操作の開始の状態に18ms以内程で自動的に戻る。従って、すべての入力信号に（最高）すぐに引き起こされる欠陥の信号検出の後で。但し、前ドライブ電源の低電圧の保護（UVLOの操作:それに0.3Vについてのヒステリシスが）次の通りであるある。そこの上部側面の→は欠陥信号の出力ではないが、対応するゲート信号をする。偶然、それは規則的な操作に正常な電圧、掛け金への回復が入力信号の中でで続くがとき戻る（低速）。ゲート信号が付いている欠陥信号を出力する側面の→を下げなさい。但し、それは上部側面の保護操作と異なっている、正常な電圧に回復するときそれは自動的に18msへ80msについての後で調整、操作の始めの状態を再開する。（保護操作は入力信号によって掛け金を降ろさない。）
3. トルクの範囲をきつく締めるM4タイプが付いている脱熱器の雑種ICをねじ組み立てることは0.79Nである時•mに1.17N•m.脱熱器の平坦は0.25mmより低いべきである。
4. 前ドライブ低電圧の保護は装置を保護する特徴時作動の機能不全を用いる前運転者の供給電圧の低下である。操作の始めの場合には前運転者の供給電圧の低下に関しては、等、私達はセットの確認を要求する。
FGL40N120ANDTU 40A 1200Vの溶接機IGBTの単一の管NPT TO-264
FGA25N120ANTD TO-3P NPTの堀IGBT 25A 1200V
HGTG11N120CND NPT GBT反平行Hyperfastのダイオード43A 1200V
IC BOMサービス電子部品40N60 IGBTのトランジスターFGH40N60 FGH40N60SMD
FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600Vの視野絞りIGBT新しい元のIC
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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FGL40N120ANDTU 40A 1200Vの溶接機IGBTの単一の管NPT TO-264 |
IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W Through Hole TO-264-3
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FGA25N120ANTD TO-3P NPTの堀IGBT 25A 1200V |
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
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HGTG11N120CND NPT GBT反平行Hyperfastのダイオード43A 1200V |
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
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IC BOMサービス電子部品40N60 IGBTのトランジスターFGH40N60 FGH40N60SMD |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 349 W Through Hole TO-247-3
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FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600Vの視野絞りIGBT新しい元のIC |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247-3
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