IRFP044N力Mosfetのトランジスター補足力mosfet
指定
				
						Pulsed Drain Current:
						
																				180 A
					
						Power Dissipation:
						
																				120 W
					
						Linear Derating Factor:
						
																				0.77 W/°C
					
						Gate-to-Source Voltage:
						
																				± 20 V
					
						Single Pulse Avalanche Energy:
						
																				230 mJ
					
						Avalanche Current:
						
																				28 A
					
						ハイライト:
						
					
														power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
				
IRFP044N HEXFET®力MOSFET
• 高度の加工技術
•動的dv/dtの評価
•175°C実用温度
•速い切換え
•評価される十分になだれ
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220装置の使用を排除するためにTO-247パッケージが商業産業適用高い発電のレベルのために好まれる。TO-247は類似している隔離された取り付け穴のためにより早いTO-218パッケージより優秀でありではない。
絶対最高評価
| 変数 | 最高。 | 単位 | |
|---|---|---|---|
| ID @ TC = 25°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V | 53 | |
| ID @ TC = 100°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V | 37 | |
| IDM | 脈打った下水管の流れ | 180 | |
| PD @TC = 25°C | 電力損失 | 120 | W | 
| 線形軽減の要因 | 0.77 | With°C | |
| VGS | ゲートに源の電圧 | ± 20 | V | 
| EAS | 単一の脈拍のなだれエネルギーの | 230 | mJ | 
| IAR | なだれの現在の | 28 | |
| 耳 | 反復的ななだれエネルギー | 12 | mJ | 
| dv/dt | ピーク ダイオードの回復dv/dt | 5.0 | V/ns | 
| TJ、TSTG | 作動の接続点および保管温度の範囲 | -55に+ 175 | °C | 
| 10秒のはんだ付けする温度、 | 300 (場合からの1.6mm) | °C | |
| トルク、6-32またはM3ねじを取付ける | 10のlbf•(1.1N•m) | 
標準的な提供(熱い販売法)
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ | 
| SLB9635TT1.2 | 27768 | 16+ | TSSOP | |
| SLB9635TT1.2FW3.19 | 27852 | 16+ | TSSOP | |
| UPD16510GR-8JG-E1 | 3074 | NEC | 04+ | TSSOP | 
| SC16IS740IPW | 2963 | 10+ | TSSOP | |
| SC16IS762IPW | 1565 | 13+ | TSSOP | |
| SC18IM700IPW | 15672 | 07+ | TSSOP | |
| TDA8024TT/C1 | 17562 | 12+ | TSSOP | |
| R5F211B1SP#UO | 3310 | RENES | 09+ | TSSOP | 
| S1A0071X01-RO | 2774 | サムスン | 07+ | TSSOP | 
| S-8253CAA-T8T1G | 11248 | セイコー | 16+ | TSSOP | 
| SII9002CSUTR | 14198 | ケイ素 | 07+ | TSSOP | 
| SIL1162CSU | 4962 | ケイ素 | 16+ | TSSOP | 
| SP3232EEY-L/TR | 17694 | SIPEX | 13+ | TSSOP | 
| S29AL032D70 | 2813 | SPANSION | 16+ | TSSOP | 
| SST39VF1601-70-4C-EKE | 8700 | SST | 10+ | TSSOP | 
| ST3243ECTR-E | 3824 | ST | 07+ | TSSOP | 
| TS922AIPT | 13012 | ST | 13+ | TSSOP | 
| RT9284A-20GJ6E | 15962 | RICHTEK | 16+ | TSOT23-6 | 
| S29GL01GP13TFIV10 | 2339 | SPANSION | 16+ | TSOP56 | 
| S29GL256P10TFI010 | 15812 | SPANSION | 16+ | TSOP56 | 
| S29GL256P10TFI020 | 1832 | SPANSION | 16+ | TSOP56 | 
| S29GL256P90TFCR10 | 1961年 | SPANSION | 13+ | TSOP56 | 
| S29GL256P90TFIR20 | 1712 | SPANSION | 14+ | TSOP56 | 
| S29GL512P11TFI010 | 1412 | SPANSION | 13+ | TSOP56 | 
| S29GL512P11TFI020 | 1052 | SPANSION | 14+ | TSOP56 | 
| SST39VF3201B-70-4I-EKE | 10093 | SST | 16+ | TSOP48 | 
| SST39VF6401B-70-4C-EKE | 2246 | SST | 16+ | TSOP48 | 
| TE28F800B5B90 | 1883 | INTEL | 16+ | TSOP48 | 
| S29AL008J70TFI010 | 23520 | SPANSION | 12+ | TSOP48 | 
| S29GL032A11TFIR4 | 13118 | SPANSION | 13+ | TSOP48 | 
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                            | イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
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							MOQ:
							
					
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