IRFR224可聴周波力mosfetの表面の台紙のsmd力mosfetの高い発電
指定
VDS (v):
250
RDS () (Ω):
VGS = 10ボルト/ 0.21
Qg (最高。) (NC:
14
Qgs (NC):
2.7
Qgd (NC):
7.8
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
物品目録
| BD135 | 5000 | PH | 12+ | TO-126 |
| BT151-800R | 5000 | 16+ | TO-220 | |
| BT152-800R | 5000 | 12+ | TO-220 | |
| BTS410E2 | 5000 | 16+ | TO-263220 | |
| BYM11-800 | 5000 | VISHAY | 16+ | DO-213AB |
| CA3140 | 5000 | INTERSIL | 16+ | SOP8 |
| DS2432P | 5000 | 格言 | 16+ | SOJ6 |
| ERJ-3EKF3000V | 5000 | 松下電器産業 | 16+ | SMD |
| ERJ-3EKF8062V | 5000 | 松下電器産業 | 14+ | SMD |
| HCPL-7800 | 5000 | AVAGO | 16+ | DIP/SOP |
| HEF4046BP | 5000 | 16+ | すくい | |
| HIN202ECBNZ | 5000 | INTERSIL | 15+ | SOP16 |
| ICL7660CBAZ | 5000 | INTERSIL | 16+ | SOP-8 |
| IP101A | 5000 | ICPLUS | 15+ | QFP |
| IR2112 | 5000 | IR | 12+ | DIP-14 |
| IRFB41N15D | 5000 | IR | 16+ | TO-220 |
| KBPC3506 | 5000 | 9月 | 12+ | KBPC |
| KBU808 | 5000 | 9月 | 16+ | KBU-4 |
| L9144 | 5000 | ST | 16+ | SOP-20 |
| L9700D | 5000 | ST | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-3.3 | 5000 | NS | 16+ | SOT223 |
| LM1876TF | 5000 | NS | 16+ | ジッパー |
| LM2904DR | 5000 | チタニウム | 14+ | SOP-8 |
| LM2936Z-5.0 | 5000 | NSC | 16+ | TO-92 |
| LM2940CT-5 | 5000 | NS | 16+ | TO-220 |
| LM311DR | 5000 | チタニウム | 15+ | SOP-8 |
| LM318M | 5000 | NS | 16+ | SOP8 |
| LM741H | 5000 | NS | 15+ | CAN8 |
| LMH6624MA | 5000 | NS | 12+ | SOP8 |
| LP2980IM5X-5.0 | 5000 | NS | 16+ | SOT-153 |
| M908Q4CPE | 5000 | FREESCAL | 12+ | DIP8 |
| M95256-WMW6 | 5000 | ST | 16+ | SOP-8 |
| MAX1487ESA | 5000 | 格言 | 16+ | SOP |
| MAX489CPD | 5000 | 格言 | 16+ | すくい |
| MB3759PF-G-BND-JN-ERE1 | 5000 | FUJITU | 16+ | SOP |
| MBR20100CT | 5000 | 16+ | TO-220 | |
| MBRB2060CT | 5000 | 14+ | TO-263 | |
| MC34064D-5R2G | 5000 | 16+ | SOP8 | |
| MCP810T-485I/TT | 5000 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
| MOC3021 | 5000 | フェアチャイルド | 15+ | SMD6 |
| MPSA18 | 5000 | 16+ | TO-92 |
IRFR224
力MOSFET可聴周波力mosfetのsmd力mosfet
特徴
•動的dV/dtの評価
•評価される反復的ななだれ
•表面の台紙(IRFR224/SiHFR224)
•まっすぐな鉛(IRFU224/SiHFU224)
•テープおよび巻き枠で利用できる
•速い切換え
•平行になる容易さ
•鉛(Pb)のなしの利用できる
記述
第三世代力のMOSFETs Vishayを速い切換え、高耐久化された装置設計、低いオン抵抗および費用効果の最もよい組合せをデザイナーに与えるために形作るため。DPAKは蒸気段階、赤外線、または波のsolderigの技術を使用して表面取り付けのために設計されている。まっすぐな鉛版(IRFU/SiHFUシリーズ)は適用を取付けるによ穴のためである。電力損失のレベル1.5までWは典型的な表面の台紙で可能である
適用。
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RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
5pcs

