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MC74LCX245DTR2G力mosfet ICの低電圧CMOSの8のトランシーバー

メーカー:
製造者
記述:
要素の3州の出力20-TSSOPごとの1つの要素8ビットを非逆にするトランシーバー
部門:
集積回路チップ
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
DCの供給電圧:
+7.0ボルトへの−0.5
電圧をDC入力:
−0.5 ≤ VIの≤ +7.0 V
ダイオード流れをDC入力:
-50 mA
DCの出力源/流しの流れ:
±50 mA
DCは地上Pinごとの流れをひいた:
±100 mA
保管温度の範囲:
+150 °Cへの−65
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

MC74LCX245低電圧CMOSの8のトランシーバー

を使ってV−Tolerantの5入出力(3−State、Non−Inverting)

MC74LCX245は2.0から5.5ボルトの供給から作動する8のトランシーバーをnon−inverting高性能である。高いインピーダンスTTL多用性がある入力は入力運転者にかなりTTLの多用性がある出力が改善された転換の騒音の性能を提供する間、現在のローディングを減らす。5.5ボルトのVI指定はVCCが5.0 V.よりより少しならMC74LCX245入力が安全に5つのV形章から運転されるようにする。MC74LCX245は運転するメモリ アドレスのために適して、すべてのTTLのレベル バスはトランシーバーの塗布を方向づけた。

現在の駆動機構はAおよびBの両方港に24 mAである。送信/受信(T/R)入力はbi−directionalのトランシーバーを通るデータの流れの方向を定める。(active−HIGH)可能にするAの港からのBの港にデータを送信しなさい;(active−LOW)可能にするBからのAの港にデータを受け取りなさい。出力は入力を、高いとき可能にしたり、高いZの状態にそれらを置くことによってAおよびBの両方港を無効にする。

特徴

•2.0から5.5ボルトVCC操作のために設計されている

•5ボルトの5ボルトTTLの論理の耐久性がある−インターフェイス機能

•サポートは挿入および回収を住んでいる

•IOFFの指定は高いインピーダンスを時VCCの= 0ボルト保証する

•互換性があるLVTTL

•互換性があるLVCMOS

•24 mAは出力流しおよび源の機能のバランスをとった

•すべての3つの論理の州(A) 10のゼロ静的な供給の流れの近く

大幅にシステム電力要求事項を減らす

•Latchupの性能は500 mAを超過する

•ESDの性能:人体モデル>2000 V

機械モデル>200 V

•独特な場所を要求する自動車および他の適用のためのNLVの接頭辞

制御変化の条件;AEC−Q100は可能なPPAP修飾し、

•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである

最高の評価

記号 変数 価値 条件 単位
VCC DCの供給電圧 +7.0への−0.5 V
VI 電圧をDC入力 −0.5 ≤ VIの≤ +7.0 V
VO DCの出力電圧 −0.5 ≤ VOの≤ +7.0 3−Stateの出力 V
−0.5 ≤ VOの≤ VCC + 0.5 高くか低い状態(ノート1)の出力 V
IIK ダイオード流れをDC入力 −50 VI< GND=""> mA
IOK DCの出力ダイオード流れ −50 VO< GND=""> mA
+50 VO > VCC mA
IO DCの出力源/流しの流れ ±50 mA
ICC 供給PinごとのDCの供給の流れ ±100 mA
IGND DCは地上Pinごとの流れをひいた ±100 mA
TSTG 保管温度の範囲 +150への−65 °C
MSL 湿気感受性 レベル1

最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。

1. IOの絶対最高評価は観察されなければならない。

示す図表

Pinout (平面図)

ロジック・ダイヤグラム

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