TC4429CPAのnpnの一般目的のトランジスター力Mosfetのトランジスター6A高速MOSFETの運転者
power mosfet ic
,multi emitter transistor
TC4420/TC4429
6A高速MOSFETの運転者
特徴
•保護されるLatch-Up:>1.5Aの逆の出力電流に抗する
•論理の入力は5Vまで否定的な振動に抗する
•ESDは保護した:4つのkV
•一致させた上昇および落下時間:- 25 ns (2500 pFの負荷)
•高いピーク出力の流れ:6A
•広い入れられた供給電圧の動作範囲:- 4.5Vへの18V
•高い容量性負荷駆動機構:10,000 pF
•短い遅延の時間:55 ns (タイプ。)
•CMOS/TTLの多用性がある入力
•論理『1"と現在の低い供給入れられる:- 450 µA (タイプ。)
•低い出力インピーダンス:2.5Ω
•地面かVDDの25 mVの内のへの出力電圧振動
•スペース節約8 Pin SOICおよび8 Pin 6x5 DFNのパッケージ
適用
•スイッチ モード電源
•運動制御
•脈拍の変圧器の運転者
•クラスDの切換えアンプ
概説
TC4420/TC4429は6A (ピーク)、single-output MOSFETの運転者である。TC4429はTC4420は非逆になる運転者であるが、逆になる運転者(TC429とピン互換性がある)である。これらの運転者は低い電力そしてより有効な操作のためのCMOSで対両極運転者製造される。
装置は両方とも装置への混乱か損傷なしでVDD + 0.3Vが低速としてまたは高く運転することができるTTL/CMOSの多用性がある入力を– 5V備えている。これは外的なレベルshifting回路部品のための必要性をおよび準の費用およびサイズ除去する。出力振動は柵に柵であり、よりよいドライブ電圧差益を、特にパワーアップ/パワー配列の間に保障する。Propagationalの遅れ時間は55だけns (タイプ。)であり、出力上昇および落下時間は使用可能な電源の範囲を渡って2500 pFに25だけns (タイプ。)である。
他の運転者とは違って、TC4420/TC4429は事実上latch-upの証拠である。それら3つ以上の個別部品、救うPCB区域、部品および総合システムの信頼性を改善することを取り替えるため。
絶対最高評価の†
供給電圧..................................................... +20V
入れられた電圧.................................. – 5VへのVDD + 0.3V
入力電流(VIN > VDD) ................................... 50 mA
電力損失(TAの≤ 70°C)
5 Pin TO-220 .................................................... 1.6W
CERDIP ....................................................... 800 MW
DFNの............................................ ...................ノート2
PDIP ............................................................ 730 MW
SOIC ............................................................ 470 MW
パッケージの電力損失(TAの≤ 25°C)
5 Pin TO-220 (脱熱器と) ........................ 12.5W
熱インピーダンス(包装するため)
5 Pin TO-220 RθJ-C ...................................... 10°C/W
保管温度の範囲................ – 65°Cへの+150°C
実用温度(破片) .............................. +150°C
実用温度範囲(包囲された)
C版............................................... 0°Cへの+70°C
私版........................................... – 25°Cへの+85°C
E版.......................................... – 40°Cへの+85°C
M版....................................... – 55°Cへの+125°C
鉛の温度(、10秒はんだ付けすること) ................. +300°C
†は「絶対最高評価の下に」リストされているそれらの上で装置への永久的な損害を与えるかもしれない重点を置く。これらは圧力の評価だけであり、これらの装置またはそれらの上の他のどの条件のも機能操作は指定の操作セクションで意味されない示した。長期の絶対最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
パッケージのタイプ(1)
機能ブロック ダイヤグラム
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
XR16L784IV-F | 200 | EXAR | 12+ | QFP64 |
ABA-54563-TR1G | 3000 | AVAGO | 10+ | SOT-363 |
NCP3066DR2G | 12640 | 11+ | SOP-8 | |
LMZ10503TZ-ADJ | 2351 | チタニウム | 15+ | TO-PMOD-7 |
LTC4357CMS8 | 6350 | 線形 | 15+ | MSOP |
BTA12-800B | 10000 | ST | 15+ | TO-220 |
LT1963AEQ#TRPBF | 7710 | LT | 12+ | TO-263 |
MCP601-I/SN | 5440 | マイクロチップ | 13+ | SOP |
NC7S32P5X | 25000 | フェアチャイルド | 16+ | SOT-563 |
LNK604PG | 5104 | 力 | 14+ | DIP-7 |
L9143 | 2432 | ST | 14+ | SOP |
MC7905CD2TG | 4354 | 11+ | TO-263 | |
LM3478MA | 570 | チタニウム | 13+ | SOP-8 |
MC7908CD2TR4G | 4360 | 14+ | SOT-263 | |
PCA9554BS | 12400 | 14+ | QFN | |
MC7805CD2TG | 4563 | 16+ | TO-263 | |
MC7808CD2TG | 4758 | 11+ | D2PAK | |
PIC18F6520-I/PT | 4333 | マイクロチップ | 11+ | TQFP |
PIC18F4525-I/PT | 4463 | マイクロチップ | 11+ | QFP |
MCP6S26-I/SL | 5566 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
LP2985-33DBVR | 38000 | チタニウム | 15+ | SOT-23-5 |
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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