電子工学の集積回路の破片の16メガビットの2.5ボルトまたは2.7ボルトDataFlashのAT45DB161D-SUの破片
electronic chip board
,electronic components ic
16メガビットの2.5ボルトか2.7ボルトDataFlash® AT45DB161D
特徴
•単一2.5V - 3.6Vか2.7V - 3.6V供給
•RapidS™のシリアル・インタフェース:最高のクロック周波数66のMHzの
– SPIの多用性があるモード0および3
•ユーザーの構成可能のページ サイズ
–ページごとの512バイト
–ページごとの528バイト
–ページ サイズは512バイトのために前もって構成される工場である場合もある
•ページ プログラム操作
–理性的なプログラミング操作
–主記憶操置4,096ページ（512/528バイト/ページ）
•適用範囲が広い消去の選択
–ページの消去（512バイト）
–ブロックの消去（4 Kバイト）
–セクターの消去（128 Kバイト）
–破片の消去（16 Mbits）
•2つのSRAMのデータ バッファ（バイト512/528の）
–抜け目がない配列をプログラムし直している間データの受け入れを許可する
•全体の配列による連続的な読まれた機能
–適用を尾行するコードのための理想
•ローパワー消滅
–典型的な7 mAの活動的な読まれた流れ
– 25 µAのスタンバイの現在の典型的
–典型的な9つのµAの深い力
•ハードウェアおよびソフトウェア データ保護の特徴
–個々のセクター
•安全なコードおよびデータ記憶のためのセクターのロック式
–個々のセクター
•保証:128バイトの保証記録
– 64バイトのユーザーのプログラム可能なスペース
–独特な64バイトの装置識別子
•JEDEC標準的な製造業者および装置IDは読んだ
•ページの最低ごとの100,000のプログラム/消去周期
•データ保持– 20年
•産業温度較差
•緑（迎合的なPb/Halide-free/RoHS）の包装の選択
1. 記述
AT45DB161Dは2.5ボルトまたは2.7ボルト、理想的にいろいろデジタル音声に、イメージ適する、連続インターフェイス順次アクセスフラッシュ・メモリ プログラム コードおよびデータストレージの適用である。AT45DB161Dは非常に高速操作を要求する適用のための急流のシリアル・インタフェースを支える。急流のシリアル・インタフェースは頻度のために互換性があるSPI 66までのMHzである。記憶のその17,301,504ビットは512バイトまたは528バイトそれぞれの4,096ページとして組織される。主記憶操置に加えて、AT45DB161Dはまたバイト512/528のの2つのSRAMの緩衝をそれぞれ含んでいる。緩衝は主記憶操置のページがプログラムし直されている間、また計量値の流れを書くことを可能にするデータの受け入れ。EEPROMの模範化ははめ込み式スリー ステップと（ビットまたはバイトのalterability）容易に読書変更書く操作を扱われる。複数アドレスラインおよびパラレル インターフェイスと任意にアクセスされる慣習的なフラッシュ・メモリとは違って、DataFlashはデータをシーケンシャル アクセスのに急流のシリアル・インタフェースを使用する。簡単な順次アクセスは劇的に活動的なピン・カウントを減らし、ハードウェア レイアウトを促進し、装置の信頼度を高め、転換の騒音を最小にし、そしてパッケージのサイズを減らす。装置は多くの商業および産業適用の使用のために、低ピン計算高密度、低電圧ところで最大限に活用され、ローパワー必要でであって下さい。
簡単な内部システムreprogrammabilityを可能にするためには、AT45DB161Dはプログラミングのために高い入力電圧が要求しない。装置は単一の電源、2.5Vから3.6Vにまたは2.7Vプログラムのための3.6Vに、作動し、読込み操作を。AT45DB161Dは破片選り抜きピン（CS）を通して可能になり、連続入力（SI）、連続出力（そう）、および連続時計（SCK）から成っているthree-wireインターフェイスによってアクセスされる。
すべてのプログラミングおよび消去周期は自己時限である。
2. Pin構成およびPinouts
絶対最高のRatings*
バイアス............................... -55° Cから+125° Cの下の温度
保管温度.................................... -65° Cから+150° C
すべての入れられた電圧（を含むNCピン）
地面................................... - 0.6Vへの+6.25Vに関して
すべての出力電圧
VCCへの地面............................. - 0.6Vに関して+ 0.6V
*NOTICE:「絶対最高評価の下に」リストされているそれらを越える圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の評価だけであり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらを越える他のどの条件のも機能操作は意味されない。長期の絶対最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
ブロック ダイヤグラム
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
| PIC16F876A-I/SP | 4873 | マイクロチップ | 16+ | すくい |
| MCP9801-M/SN | 5710 | マイクロチップ | 16+ | SOP-8 |
| PCA82C251T/YM | 11900 | 16+ | SOP | |
| MMSZ6V2T1G | 25000 | 16+ | SOD-123 | |
| M29W160EB70N6E | 3815 | ST | 16+ | TSSOP |
| PIC12C508-I/P | 9400 | マイクロチップ | 16+ | すくい |
| NE5532DR | 10000 | チタニウム | 16+ | SOP |
| LM2676SX-5.0 | 3000 | NSC | 15+ | TO-263-7 |
| LMC555CMMX | 5340 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| M29W640GB70NA6E | 3763 | ST | 10+ | TSOP |
| LP3470M5X-2.93 | 5820 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| LP38690DTX-1.8 | 2854 | NSC | 15+ | TO-252 |
| MAX3238CDBR | 11800 | チタニウム | 16+ | SSOP |
| PIC16F628A-I/SO | 5128 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
| MT48LC4M16A2P-75:G | 7296 | ミクロン | 16+ | TSOP |
| LP38690DTX-3.3 | 3872 | チタニウム | 13+ | TO-252 |
| MC34151PG | 3454 | 16+ | すくい | |
| MC14017BDR2G | 30000 | 11+ | SOP | |
| ZHCS500TA | 6000 | ZETEX | 14+ | SOT23 |
| LM317MDT | 38000 | ST | 14+ | TO-252 |
| MJD210T4G | 5000 | 16+ | TO-252 |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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