24LC02B-I/SN集積回路の部品の集積回路の破片2K I2C連続EEPROM
circuit board ic
,electronic components ic
24AA02/24LC02B
2K I2C™連続EEPROM
装置選択のテーブル
部品番号 | VCC範囲 | 最高のクロック周波数 | 臨時雇用者の範囲 |
24AA02 | 1.8-5.5 | 400のkHz (1) | 私 |
24LC02B | 2.5-5.5 | 400のkHz | I、E |
ノート1: VCCのための100つのkHz<2>
特徴
•操作を用いる単一の供給1.8Vに
•ローパワーCMOSの技術
- 1 mAの活動的な現在の典型的
- 1 µAのスタンバイの現在の典型的(私臨時雇用者)
•256バイト(1 x 256 x 8)の1つのブロックとして組織される
•2ワイヤー シリアル・インタフェース バス、互換性があるI2C™
•騒音の抑制のためのSchmittの制動機入力
•地上の跳ね上がりを除去する出力斜面制御
•100つのkHz (24AA02)および両立性400のkHz (24LC02B)の
•自己時限周期を書きなさい(を含む自動消去)
•ページは8バイトまでのために緩衝を書く
•典型的な2氏は書くためにページのためのサイクル時間を書く
•全体の記憶のためのハードウェア書込禁止
•連続ROMとして作動することができる
•利用できる工場(QTP)プログラミング
•ESDの保護> 4,000V
•1,000,000は/周期を書くために消す
•データ保持> 200年
•8鉛PDIP、SOIC、TSSOPおよびMSOPのパッケージ
•5鉛SOT-23のパッケージ
•利用できるPbなしの終わり
•延長温度較差のために利用できる:
- 産業(i):-40°Cへの+85°C
- 自動車(e):-40°Cへの+125°C
記述
マイクロチップ・テクノロジー株式会社24AA02/24LC02B (24XX02*)は2 Kbit電気で消去可能なPROMである。装置は2ワイヤー シリアル・インタフェースとの256のxの8ビット記憶の1つのブロックとして組織される。低電圧の設計は1.8Vに1つのµAおよび1 mAだけのスタンバイおよび活動的な流れとの操作を、それぞれ可能にする。24XX02はまたページをデータの8バイトまでのために機能を書いてもらう。24XX02は標準的な8ピンPDIP、表面の台紙SOIC、TSSOPおよびMSOPのパッケージで利用でき、5鉛SOT-23のパッケージでまた利用できる。
絶対最高評価(†)
VCC ............................................................................................................................................... 6.5V
すべての入出力w.r.t。VSS ........................................................................... -0.3VへのVCC +1.0V
保管温度.................................................................................................. - 65°Cへの+150°C
+125°Cへの力によって適用される..................................................................... - 65°Cの周囲温度
すべてのピン........................................................................................................... ≥のESDの保護4つのkV
†の通知:「絶対最高評価の下に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の評価だけであり、それらの装置またはこの指定の操作上のリストで示されるそれらの上の他のどの条件のも機能操作は意味されない。長期の最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
パッケージのタイプ
ブロック ダイヤグラム
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
MBR1545CTG | 15849 | 14+ | TO-220 | |
MEC5055-LZY | 5992 | SMSC | 10+ | QFN |
PI3L720ZHEX | 8400 | PERICOM | 12+ | QFN |
BQ24727RGRR | 2905 | チタニウム | 12+ | QFN |
LM2611AMFX | 5000 | NSC | 13+ | SOT-23-5 |
BQ24765RUVR | 3169 | チタニウム | 16+ | QFN |
BQ24777RUYR | 1838 | チタニウム | 13+ | QFN |
MAX15567GTG+T | 5900 | 格言 | 13+ | QFN |
LM358DT | 40000 | ST | 14+ | SOP-8 |
BQ24715RGRR | 3103 | チタニウム | 13+ | QFN |
MPU9150 | 3450 | INVENSEN | 15+ | QFN |
P80C31SBPN | 9660 | フィリップス | 10+ | すくい |
LMX321AXK-T | 10000 | 格言 | 15+ | SC70-5 |
LTM4644EY | 588 | 線形 | 15+ | BGA |
PIC18F46K80-I/P | 4348 | マイクロチップ | 14+ | TQFP |
MMBZ27VCLT1G | 20000 | 11+ | SOT-23 | |
PIC16C711-04/P | 5353 | マイクロチップ | 16+ | すくい |
MF-RX185 | 30000 | BOURNS | 16+ | すくい |
PL2303HX | 9000 | 多産 | 15+ | SSOP-28 |
M25P32-VMN6TG | 4361 | ST | 14+ | SOP |
NRF2401AG | 3800 | 北欧人 | 16+ | QFN |

W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ

PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物

DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫

IR2110PBFの新しく、元の在庫

S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片

W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路

MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520

MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL

SKY65336-11 新しい原産物
イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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