MT29F4G08ABADAWP:D TR プログラム Ic チップ カラー TV Ic メモリ フラッシュ チップ整流ダイオード
ic programmer circuit
,programmable audio chip
4Gb、8Gb、16Gb: x8、x16 NAND フラッシュ メモリの機能
MT29F4G08ABADAH4、MT29F4G08ABADAWP、MT29F4G08ABBDAH4、MT29F4G08ABBDAHC、MT29F4G16ABADAH4、MT29F4G16ABADAWP、MT29F4G16ABBDAH4、MT29F4G16ABBDAHC、MT29F8G0 8ADADAH4、MT29F8G08ADBDAH4、MT29F8G16ADADAH4、MT29F8G16ADBDAH4、MT29F16G08AJADAWP
特徴：
• オープン NAND フラッシュ インターフェイス (ONFI) 1.0 準拠1
• シングルレベルセル (SLC) テクノロジー
• 組織
– ページサイズ x8: 2112 バイト (2048 + 64 バイト)
– ページサイズ x16: 1056 ワード (1024 + 32 ワード)
– ブロックサイズ: 64 ページ (128K + 4K バイト)
– プレーン サイズ: 2 プレーン x プレーンあたり 2048 ブロック
– デバイスサイズ: 4Gb: 4096 ブロック;8Gb: 8192 ブロック 16Gb: 16,384 ブロック
• 非同期 I/O パフォーマンス
– tRC/tWC: 20ns (3.3V)、25ns (1.8V)
• アレイのパフォーマンス
– ページ読み取り: 25µs 3
– プログラムページ: 200µs (TYP: 1.8V、3.3V)3
– 消去ブロック: 700μs (TYP)
• コマンドセット: ONFI NAND フラッシュプロトコル
• 高度なコマンドセット
– プログラムページキャッシュモード4
– 読み取りページ キャッシュ モード 4
– ワンタイムプログラマブル（OTP）モード
– 2 面コマンド 4
– インターリーブド ダイ (LUN) 操作
– 固有IDの読み取り – ブロックロック（1.8Vのみ）
– 内部データの移動
• 動作ステータスバイトは、ソフトウェアによる検出方法を提供します。
– 操作の完了 – 合否条件
– ライトプロテクト状態
• Ready/Busy# (R/B#) 信号は、操作の完了を検出するハードウェア方式を提供します。
• WP# 信号: デバイス全体の書き込み禁止
• 最初のブロック（ブロックアドレス 00h）は、ECC 付きで工場出荷時に有効です。
最低限必要な ECC については、「エラー管理」を参照してください。
• PROGRAM/ERASE サイクルが 1000 未満の場合、ブロック 0 には 1 ビット ECC が必要
• 電源投入後の最初のコマンドとして RESET (FFh) が必要
• 電源投入後のデバイス初期化の代替方法 (Nand_Init) (工場にお問い合わせください)
• データが読み取られるプレーン内でサポートされる内部データ移動操作
• 品質と信頼性 – データ保持: 10 年 – 耐久性: 100,000 プログラム/消去サイクル
• 動作電圧範囲 – VCC: 2.7 ～ 3.6V – VCC: 1.7 ～ 1.95V
• 動作温度:
– 商用: 0°C ～ +70°C
– 産業用 (IT): –40°C ～ +85°C
• パッケージ – 48 ピン TSOP タイプ 1、CPL2
– 63 ボール VFBGA
| 絶対最大定格(1) |
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電源電圧 (VIN)................................................................–0.3V 6Vまで |
| トランス BC847BLT1 | 18000 | の上 | 中国 |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | ヤゲオ | 中国 |
| RC0805JR-071KL | 20000 | ヤゲオ | 中国 |
| ディオード DF06S | 3000 | 9月 | 中国 |
| キャップ 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | 日本 |
| ディオード US1A-13-F | 50000 | ダイオード | マレーシア |
| インデューター。100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | 日本 |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | ヤゲオ | 中国 |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | ヤゲオ | 中国 |
| ディオード P6KE180A | 10000 | ビシェイ | マレーシア |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | ヤゲオ | 中国 |
| ダイオド UF4007 弾薬 | 500000 | 総務省 | 中国 |
| トランス。ZXMN10A09KTC | 20000 | ゼテックス | 台湾 |
| RES0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | ヤゲオ | 中国 |
| アコプラドール・オティコ。MOC3021S-TA1 | 10000 | ライトオン | 台湾 |
| トランス MMBT2907A-7-F | 30000 | ダイオード | マレーシア |
| トランス STGW20NC60VD | 1000 | ST | マレーシア |
| CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | タイ |
| CI MC33298DW | 1000 | MOT | マレーシア |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | フリースカル | マレーシア |
| CI P8255A5 | 4500 | インテル | 日本 |
| CI HM6116P-2 | 5000 | 日立 | 日本 |
| CI DS1230Y-150 | 2400 | ダラス | フィリピン |
| トランス。ZXMN10A09KTC | 18000 | ゼテックス | 台湾 |
| トライアック BT151-500R | 500000 | モロッコ | |
| CI HCNR200-000E | 1000 | アバゴ | 台湾 |
| トライアック TIC116M | 10000 | TI | タイ |
| ディオード US1M-E3/61T | 18000 | ビシェイ | マレーシア |
| ディオード ES1D-E3-61T | 18000 | ビシェイ | マレーシア |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | フリースカル | 台湾 |
| CI CD40106BE | 250 | TI | タイ |
| アコプラドール PC733H | 1000 | シャープ | 日本 |
| トランス NDT452AP | 5200 | FSC | マレーシア |
| CI LP2951-50DR | 1200 | TI | タイ |
| CI MC7809CD2TR4G | 1200 | の上 | マレーシア |
| ディオード MBR20200CTG | 22000 | の上 | マレーシア |
| フューシベル 30R300UU | 10000 | リトルフューセイ | 台湾 |
| CI TPIC6595N | 10000 | TI | タイ |
| EPM7064STC44-10N | 100 | アルテラ | マレーシア |
| ディオード 1N4004-T | 5000000 | 総務省 | 中国 |
| CI CD4060BM | 500 | TI | タイ |
| アコプラドール MOC3020M | 500 | FSC | マレーシア |
| ディオド W08 | 500 | 9月 | 中国 |
| CI SN74HC373N | 1000 | TI | フィリピン |
| フォトセンサー 2SS52M | 500 | ハネウェル | 日本 |
| CI SN74HC02N | 1000 | TI | タイ |
| CI CD4585BE | 250 | TI | タイ |
| CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | ミクロン | マレーシア |
| ディオード MMSZ5242BT1G | 30000 | の上 | マレーシア |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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