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MB85RS256BPNF-G-JNERE1 プログラマブル IC チップ電子 Ic チップカラー TV Ic メモリフラッシュチップ

メーカー:
製造者
記述:
FRAM (Ferroelectric RAM)の記憶IC 256Kbit SPI 33 MHz 8-SOP
部門:
フラッシュ・メモリICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
温度較差:
– 20°Cへの+85°C
支払の言葉:
T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
電圧:
3Vへの3.6V
現在:
5A
パッケージ:
SOP-8
工場パッケージ:
巻き枠
ハイライト:

programming ic chips

,

programmable audio chip

導入

MB85RS256BPNF-G-JNERE1 プログラム Ic 電子 IC チップ

メモリ FRAM CMOS 256 K (32 K] 8) ビット SPI


特徴:
・ビット構成:32,768×8ビット

・動作電源電圧:3.0V~3.6V

• 動作周波数 : 15 MHz (最大)

・シリアルペリフェラルインターフェース:SPI(Serial Peripheral Interface) SPIモード0(0、0)、モード3(1、1)に対応

• 動作温度範囲: -20 °C ~ +85 °C

• データ保持 : 10 年 (+55 °C)

• 高耐久性 100 億読み取り/書き込み (最小)

• パッケージ : 8ピンプラスチックSOP (FPT-8P-M02)
 
概要
     

MB85RS256 は、不揮発性メモリセルの形成に強誘電体プロセスおよびシリコンゲート CMOS プロセス技術を採用した 32,768 ワード×8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) チップです。

       

MB85RS256 はシリアル ペリフェラル インターフェイス (SPI) を採用しています。SRAM とは異なり、MB85RS256 はバックアップ バッテリなしでデータを保持できます。MB85RS256 に使用されているメモリセルは、フラッシュメモリや E2PROM を大幅に上回る、少なくとも 1010 回の読み出し/書き込み動作を向上させています。

 

MB85RS256 はフラッシュメモリや E2PROM のようにデータの書き込みに長い時間がかからず、待ち時間もかかりません。

 

絶対最大定格(1)

電源電圧 VDD 3.0 3.3 3.6 V

入力高電圧 VIH 0.8 × VDD ⎯ VDD + 0.5 V

入力ロー電圧 VIL − 0.5 ⎯ + 0.6 V

動作温度 TA − 20 ⎯ + 85 °C

 
 

トランス BC847BLT1 18000 の上 中国
RC0805JR-0710KL 35000 ヤゲオ 中国
RC0805JR-071KL 20000 ヤゲオ 中国
ディオード DF06S 3000 9月 中国
キャップ 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB 20000 TDK 日本
ディオード US1A-13-F 50000 ダイオード マレーシア
インデューター。100UH SLF7045T-101MR50-PF 10000 TDK 日本
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL 500000 ヤゲオ 中国
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML 500000 ヤゲオ 中国
ディオード P6KE180A 10000 ビシェイ マレーシア
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL 500000 ヤゲオ 中国
ダイオド UF4007 弾薬 500000 総務省 中国
トランス。ZXMN10A09KTC 20000 ゼテックス 台湾
RES0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L
500000 ヤゲオ 中国
アコプラドール・オティコ。MOC3021S-TA1 10000 ライトオン 台湾
トランス MMBT2907A-7-F 30000 ダイオード マレーシア
トランス STGW20NC60VD 1000 ST マレーシア
CI LM2576HVT-ADJ/NOPB 500 TI タイ
CI MC33298DW 1000 MOT マレーシア
CI MC908MR16CFUE 840 フリースカル マレーシア
CI P8255A5 4500 インテル 日本
CI HM6116P-2 5000 日立 日本
CI DS1230Y-150 2400 ダラス フィリピン
トランス。ZXMN10A09KTC 18000 ゼテックス 台湾
トライアック BT151-500R 500000 モロッコ
CI HCNR200-000E 1000 アバゴ 台湾
トライアック TIC116M 10000 TI タイ
ディオード US1M-E3/61T 18000 ビシェイ マレーシア
ディオード ES1D-E3-61T 18000 ビシェイ マレーシア
CI MC908MR16CFUE 840 フリースカル 台湾
CI CD40106BE 250 TI タイ
アコプラドール PC733H 1000 シャープ 日本
トランス NDT452AP 5200 FSC マレーシア
CI LP2951-50DR 1200 TI タイ
CI MC7809CD2TR4G 1200 の上 マレーシア
ディオード MBR20200CTG 22000 の上 マレーシア
フューシベル 30R300UU 10000 リトルフューセイ 台湾
CI TPIC6595N 10000 TI タイ
EPM7064STC44-10N 100 アルテラ マレーシア
ディオード 1N4004-T 5000000 総務省 中国
CI CD4060BM 500 TI タイ
アコプラドール MOC3020M 500 FSC マレーシア
ディオド W08 500 9月 中国
CI SN74HC373N 1000 TI フィリピン
フォトセンサー 2SS52M 500 ハネウェル 日本
CI SN74HC02N 1000 TI タイ
CI CD4585BE 250 TI タイ
CI MT46H32M16LFBF-6IT:C 40 ミクロン マレーシア
ディオード MMSZ5242BT1G 30000 の上 マレーシア

 
 

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