XCF32P プログラマブル IC チッププログラマブル回路基板 ic コンポーネント
ic programmer circuit
,programmable audio chip
プラットフォーム フラッシュ インシステム プログラマブル コンフィギュレーション PROM
特徴
• ザイリンクス FPGA のコンフィギュレーション用のインシステム プログラマブル PROM
• 低消費電力の高度な CMOS NOR フラッシュ プロセス
• 20,000 回のプログラム/消去サイクルの耐久性
• 全工業用温度範囲 (-40°C ～ +85°C) で動作
• プログラミング、プロトタイピング、テストのための IEEE 標準 1149.1/1532 バウンダリ スキャン (JTAG) のサポート
• 標準 FPGA コンフィギュレーションの JTAG コマンド開始
• より長いビットストリームまたは複数のビットストリームを保存するためのカスケード可能
• 専用バウンダリ スキャン (JTAG) I/O 電源 (VCCJ)
• 1.8V～3.3Vの範囲の電圧レベルと互換性のあるI/Oピン
• ザイリンクス ISE® Alliance および Foundation™ ソフトウェア パッケージを使用した設計サポート
・XCF01S/XCF02S/XCF04S
• 3.3Vの電源電圧
• シリアルFPGAコンフィギュレーションインターフェイス
• 省スペースの VO20 および VOG20 パッケージで利用可能
・XCF08P/XCF16P/XCF32P
• 1.8V 電源電圧
• シリアルまたはパラレル FPGA コンフィギュレーション インターフェイス
• 設置面積の小さい VOG48、FS48、および FSG48 パッケージで利用可能
• 設計リビジョンテクノロジーにより、複数の設計リビジョンの保存とアクセスが可能
構成用
• ザイリンクスの高度な圧縮テクノロジーと互換性のある内蔵データ解凍機能
説明
ザイリンクスは、インシステム プログラマブル コンフィギュレーション PROM の Platform Flash シリーズを発表しました。1 ～ 32 Mb の密度で利用できるこれらの PROM は、大規模なザイリンクス FPGA コンフィギュレーション ビットストリームを格納するための、使いやすく、コスト効率が高く、再プログラム可能な方法を提供します。プラットフォーム フラッシュ PROM シリーズには、3.3V XCFxxS PROM と 1.8V XCFxxP PROM の両方が含まれています。
XCFxxS バージョンには、マスター シリアル FPGA コンフィギュレーション モードとスレーブ シリアル FPGA コンフィギュレーション モードをサポートする 4 Mb、2 Mb、および 1 Mb PROM が含まれています (図 1)。XCFxxP バージョンには、マスター シリアル、スレーブ シリアル、マスター SelectMAP、およびスレーブ SelectMAP FPGA コンフィギュレーション モードをサポートする 32 Mb、16 Mb、および 8 Mb PROM が含まれています (図 2)。
絶対最大定格
| シンボル | 説明 | XCF01S、XCF02S、XCF04S | XCF08P、XCF16P、XCF32P | 単位 | |
| VCCINT | GNDを基準とした内部電源電圧 | –0.5～+4.0 | –0.5 ～ +2.7 | V | |
| VCCO | GNDを基準としたI/O電源電圧 | –0.5～+4.0 | –0.5～+4.0 | V | |
| VCCJ | GNDを基準としたJTAG I/O電源電圧 | –0.5～+4.0 | –0.5～+4.0 | V | |
| Vの | GNDに対する入力電圧 | VCCO< 2.5V | –0.5～+3.6 | –0.5～+3.6 | V |
| VCCO≧2.5V | –0.5～+5.5 | –0.5～+3.6 | V | ||
| VTS | High-Z出力に印加される電圧 | VCCO< 2.5V | –0.5～+3.6 | –0.5～+3.6 | V |
| VCCO≧2.5V | –0.5～+5.5 | –0.5～+3.6 | V | ||
| TSTG | 保管温度（周囲温度） | –65 ～ +150 | –65 ～ +150 | ℃ | |
| TJ | 接合部温度 | +125 | +125 | ℃ | |
ノート：
1. GND を下回る最大 DC アンダーシュートは、0.5V または 10 mA のいずれか達成しやすい方に制限する必要があります。遷移中、デバイスのピンは –2.0V までアンダーシュートするか、+7.0V までオーバーシュートする可能性があります。ただし、このオーバーシュートまたはアンダーシュートが 10ns 未満継続し、強制電流が 200mA に制限されている場合に限ります。
2. 絶対最大定格に記載されているストレスを超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらはストレス定格のみであり、これらの条件または動作条件に記載されている条件を超えるその他の条件でのデバイスの機能動作は暗示されません。絶対最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に悪影響が生じます。
3. はんだ付けのガイドラインについては、www.xilinx.com の「パッケージングと熱特性」に関する情報を参照してください。
株式公開（ホットセル）
| 部品番号 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| MCT61 | 10000 | FSC | 16歳以上 | DIP-8 |
| MAX809LEUR+T | 10000 | マキシム | 16歳以上 | SOT |
| 52271-2079 | 3653 | モレックス | 15歳以上 | コネクタ |
| ZVP3306FTA | 9000 | ゼテックス | 15歳以上 | SOT23 |
| MBR10100G | 15361 | の上 | 16歳以上 | TO-220 |
| NTR2101PT1G | 38000 | の上 | 16歳以上 | SOT-23 |
| MBRD640CTT4G | 17191 | の上 | 16歳以上 | TO-252 |
| NTR4501NT1G | 38000 | の上 | 15歳以上 | SOT-23 |
| LM8272MMX | 1743年 | NSC | 15歳以上 | MSOP-8 |
| NDT014 | 10000 | フェアチャイルド | 14歳以上 | SOT-223 |
| LM5007MM | 1545年 | NSC | 14歳以上 | MSOP-8 |
| NRF24L01+ | 3840 | ノルディック | 10+ | QFN |
| MI1210K600R-10 | 30000 | スチュワード | 16歳以上 | SMD |
| A3144E | 25000 | アレグロ | 13歳以上 | TO-92 |
| MP3V5004DP | 5784 | フリースケール | 13歳以上 | SOP |
| L9856 | 3422 | ST | 15歳以上 | SOP |
| MAX629ESA-T | 4015 | マキシム | 10+ | SOP |
| LP2950CZ-5.0 | 6630 | NSC | 14歳以上 | TO-92 |
| MCP1525T-I/TT | 4984 | マイクロチップ | 16歳以上 | SOT-23 |
| MICRF211AYQS | 6760 | ミクロル | 16歳以上 | QSOP-16 |
| MCP6034-E/SL | 5482 | マイクロチップ | 12歳以上 | SOP |
| MFRC52201HN1 | 6094 | 14歳以上 | QFN | |
| MCP23S08-E/SO | 5188 | マイクロチップ | 16歳以上 | SOP |
| XC6SLX25-2FTG256C | 545 | ザイリンクス | 15歳以上 | BGA |
| XC6SLX16-2FTG256C | 420 | ザイリンクス | 15歳以上 | BGA |
| CSC8801A | 2498 | HWCAT | 15歳以上 | QFP |
| PIC16F1829-I/SO | 5268 | マイクロチップ | 16歳以上 | SOP |
| CSC3100 | 2487 | HWCAT | 16歳以上 | QFP |
| PESD5V0L6US | 7050 | 16歳以上 | SOP | |
| MDB10S | 38000 | フェアチャイルド | 16歳以上 | TDI |
W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ
PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物
DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
IR2110PBFの新しく、元の在庫
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片
W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路
MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520
MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL
SKY65336-11 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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W25N01GVZEIG SLC否定論履積のフラッシュ・メモリIC 3V 1GはWinbond TW SPIをかんだ |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 新しい原産物 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PTのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBFの新しく、元の在庫 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHzのフラッシュ・メモリICの破片 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路 |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOSの管分野効果単一チップドライブPWM ControladorモジュールIRF520 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485の485へのRS-485モジュールへのRS485モジュールTTL TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 新しい原産物 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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